onsemi MUN5214DW1T1G
$ 0.059
Production
Prix et stock
Distributeurs agréés
Distributeurs de solutions de stockage non agréés
Revendeurs non agréés
| Distributor | SKU | Min | Pkg | |||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| Future Electronics | MUN5214DW1T1G | 384 000 | 3K | Tape & Reel | ||||||||
| Avnet | MUN5214DW1T1G | 75 000 | 3K | 17h | ||||||||
| Newark | MUN5214DW1T1G | 239 | 1 | Cut Tape | ||||||||
| Master Electronics | MUN5214DW1T1G | 42 000 | 3K | |||||||||
| Onlinecomponents.com | MUN5214DW1T1G | 42 000 | 3K | Bulk |
Historique des stocks
Tendance sur 3 mois : -34.33%
Modèles CAO
Télécharger le symbole, l’empreinte et le 3D STEP
Pièces de rechange
0 composant disponible
Fiches techniques et documents
Téléchargez les fiches techniques et la documentation du fabricant pour onsemi MUN5214DW1T1G.
Modèles CAO
Téléchargez les symboles onsemi MUN5214DW1T1G, les empreintes et les modèles STEP 3D de nos partenaires de confiance.
| SOURCE | ECAD | MCAD | FICHIERS |
|---|---|---|---|
 Component Search Engine | SymboleEmpreinte | 3D | Télécharger |
 EE Concierge | SymboleEmpreinte | ||
 SnapEDA | 3D | Télécharger |
Le site partenaire s’ouvrira dans un nouvel onglet lorsque vous téléchargez ses modèles de CAO.
En téléchargeant des modèles de CAO depuis Octopart, vous acceptez nos conditions générales d’utilisation et notre politique de confidentialité.
Chaîne d'approvisionnement
Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 5 years ago)
Manufacturer Lifecycle StatusACTIVE (Last Updated: 5 years ago)
Pièces détachées
onsemiMUN5213DW1T1G
Bipolar Transistors (BJT); MUN5213DW1T1G; ON SEMICONDUCTOR; NPN; 6; 50 V; 100 mA
onsemiMUN5235DW1T1G
Trans Digital BJT NPN 50V 100mA 385mW 6-Pin SC-88 T/R / TRANS 2NPN PREBIAS 0.25W SOT363
onsemiMUN5314DW1T1G
Bipolar Pre-Biased / Digital Transistor, BRT, NPN and PNP Complement, 50 V, 50 V, 100 mA, 10 kohm
Descriptions
Descriptions de onsemi MUN5214DW1T1G fournies par ses distributeurs.
Bipolar Pre-Biased / Digital Transistor, BRT, Dual NPN, 50 V, 100 mA, 10 kohm, 47 kohm
DUAL NPN BIAS RESISTOR TRANSISTOR Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 50V V(BR)CEO, 2-Element, NPN, Silicon
MUN Series 50 V 100 mA 10 kOhm NPN Silicon Dual Bias Resistor Transistor SOT-363
80@5mA,10V 2 NPN - Pre-Biased 250mW 100mA 50V 500nA SOT-323-6 Digital Transistors ROHS
Trans Digital BJT NPN 50V 100mA 385mW 6-Pin SC-88 T/R
100 mA 50 V 2 CHANNEL NPN Si SMALL SIGNAL TRANSISTOR
Bipolar Transistors - Pre-Biased SS BR XSTR NPN 50V
TRANS, 50V, 10/47KOHM, SOT-363; Digital Transistor Polarity: Dual NPN; Collector Emitter Voltage V(br)ceo: 50V; Continuous Collector Current Ic: 100mA; Base Input Resistor R1: 10kohm; Base-Emitter Resistor R2: 47kohm; Resisto
Brt Transistor, 50V, 47K/10Kohm, Sot-363; Tensión Colector Emisor V(Br)Ceo:50V; Intensidad De Collector Continua Ic:100Ma; Resitencia Básica De Entrada R1:10Kohm; Resistor R2 Base-Emisor:47Kohm; Ratio De La Resistencia, R1/R2:0.21 |Onsemi MUN5214DW1T1G
The BRT (Bias Resistor Transistor) contains a single transistor with a monolithic bias network consisting of two resistors; a series base resistor and a base-emitter resistor. These digital transistors are designed to replace a single device and its external resistor bias network. The BRT eliminates these individual components by integrating them into a single device. In the MUN5211DW1T1 series two BRT devices are housed in the SOT-363 package which is ideal for low power surface mount applications where board space is at a premium.
Alias du fabricant
onsemi possède plusieurs marques à travers le monde que les distributeurs peuvent utiliser comme noms alternatifs. onsemi peut également être connu sous les noms suivants :
- ON Semiconductor
- ONS
- ONSEMICON
- ON SEM
- ON SEMICONDUCTO
- ON SEMICONDUCTORS
- ONSEMIC
- ON Semicondu
- OSC
- ONSE
- ON SEMICOND
- ON Semiconductor / Fairchild
- SCG
- ON Semiconductor Cor
- ON SEMICO
- ONSM
- ON SEMICONDUCTOR CORP
- onsemi / Fairchild
- MOT/ON SEMI
- Fairchild/ONSemiconductor
- ON Semiconductor Corporation
- ON4
- ON Semi - ON Semiconductor
- ON SEMICONDUCT
- ON-SEMI SCG
- ON Semiconductor Inc.
- onsemiconductor
- On Semiconductor Ltd
Historique des stocks
Tendance sur 3 mois : -34.33%
Modèles CAO
Télécharger le symbole, l’empreinte et le 3D STEP
Pièces de rechange
0 composant disponible
Spécifications techniques
Physical
Case/PackageSOT-363-6
Contact PlatingTin
Number of Pins6
Number of Terminals6
Technical
Collector Emitter Breakdown Voltage50 V
Collector Emitter Saturation Voltage250 mV
Collector Emitter Voltage (VCEO)50 V
Continuous Collector Current100 mA
Current Rating100 mA
Element ConfigurationDual
hFE Min80
Max Breakdown Voltage50 V
Max Collector Current100 mA
Max Operating Temperature150 °C
Max Output Current100 mA
Max Power Dissipation385 mW
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Elements2
Operating Supply Voltage50 V
PackagingTape and Reel
PolarityNPN
Power Dissipation256 mW
Schedule B8541210080
Voltage Rating (DC)50 V
Dimensions
Height1 mm
Length2.2 mm
Width1.35 mm
Fiches techniques et documents
Téléchargez les fiches techniques et la documentation du fabricant pour onsemi MUN5214DW1T1G.
Conformité
Classification environnementale
China RoHSCompliant
Halogen FreeHalogen Free
Lead FreeLead Free
Radiation HardeningNo
REACH SVHCYes
RoHSCompliant
Déclarations de conformité