onsemi MTB30P06VT4G
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Obsolete
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Chaîne d'approvisionnement
Country of OriginMalaysia
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date1999-06-01
Lifecycle StatusObsolete (Last Updated: 5 years ago)
LTB Date2015-10-17
LTD Date2016-04-17
Manufacturer Lifecycle StatusOBSOLETE (Last Updated: 5 years ago)
Pièces détachées
InfineonIRF5305STRLPBF
MOSFET, Power;P-Ch;VDSS -55V;RDS(ON) 0.06Ohm;ID -31A;D2Pak;PD 110W;VGS +/-20V
InfineonIRF5305SPBF
MOSFET, Power;P-Ch;VDSS -55V;RDS(ON) 0.06Ohm;ID -31A;D2Pak;PD 110W;VGS +/-20V
STMicroelectronicsSTB45NF06T4
N-channel 60 V, 0.22 Ohm typ., 38 A STripFET(TM) II Power MOSFET in a D2PAK package
Descriptions
Descriptions de onsemi MTB30P06VT4G fournies par ses distributeurs.
Power MOSFET -60V -30A 80 mOhm Single P-Channel D2PAK
MTB30P06VT4G P-CHANNEL MOSFET TRANSISTOR, 30 A, 60 V, 3-PIN D2PAK
Tape & Reel (TR) Surface Mount P-Channel Single Mosfet Transistor 30A Tc 30A 3W 52.4ns
Trans MOSFET P-CH 60V 30A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
60 VOLTS, 30 AMPS, P-CHANNEL D2PAK POWER MOSFET Power Field-Effect Transistor, 30A I(D), 60V, 0.08ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET
P CHANNEL MOSFET, -60V, 30A, D2-PAK; Transistor Polarity:P Channel; Continuous Drain Current Id:30A; Drain Source Voltage Vds:60V; On Resistance Rds(on):80mohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:10V; Threshold Voltage Vgs Typ:2.6V
P Channel Mosfet, -60V, 30A, D2-Pak; Transistor, Polaridad:Canal P; Intensidad Drenador Continua Id:-30A; Tensión Drenaje-Fuente Vds:-60V; Resistencia De Activación Rds(On):67Mohm; Tensión Vgs De Medición Rds(On):-10V |Onsemi MTB30P06VT4G
This Power MOSFET is designed to withstand high energy in the avalanche and commutation modes. Designed for low voltage high speed switching applications in power supplies converters and power motor controls these devices are particularly well suited for bridge circuits where diode speed and commutating safe operating areas are critical and offer additional safety margin against unexpected voltage transients.
Alias du fabricant
onsemi possède plusieurs marques à travers le monde que les distributeurs peuvent utiliser comme noms alternatifs. onsemi peut également être connu sous les noms suivants :
- ON Semiconductor
- ONS
- ONSEMICON
- ON SEM
- ON SEMICONDUCTO
- ON SEMICONDUCTORS
- ONSEMIC
- ON Semicondu
- OSC
- ONSE
- ON SEMICOND
- ON Semiconductor / Fairchild
- SCG
- ON Semiconductor Cor
- ON SEMICO
- ONSM
- ON SEMICONDUCTOR CORP
- onsemi / Fairchild
- MOT/ON SEMI
- Fairchild/ONSemiconductor
- ON Semiconductor Corporation
- ON4
- ON Semi - ON Semiconductor
- ON SEMICONDUCT
- ON-SEMI SCG
- ON Semiconductor Inc.
- onsemiconductor
- On Semiconductor Ltd
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Pièces de rechange
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Spécifications techniques
Physical
Case/PackageD2PAK
Contact PlatingTin
Number of Pins3
Number of Terminals2
Technical
Continuous Drain Current (ID)30 A
Current Rating-30 A
Drain to Source Resistance80 mΩ
Drain to Source Voltage (Vdss)60 V
Element ConfigurationSingle
Fall Time52.4 ns
Gate to Source Voltage (Vgs)15 V
Input Capacitance2.19 nF
Max Operating Temperature175 °C
Max Power Dissipation125 W
Min Breakdown Voltage60 V
Min Operating Temperature-55 °C
Nominal Vgs-2.6 V
Number of Elements1
PackagingTape and Reel
Rds On Max80 mΩ
Resistance80 MΩ
Rise Time25.9 ns
Turn-Off Delay Time98 ns
Turn-On Delay Time14.7 ns
Voltage Rating (DC)-60 V
Dimensions
Height4.83 mm
Length10.29 mm
Width9.65 mm
Fiches techniques et documents
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Conformité
Classification environnementale
China RoHSNon-Compliant
Lead FreeLead Free
Radiation HardeningNo
REACH SVHCNo
RoHSCompliant
Déclarations de conformité