onsemi FQB30N06LTM
EOL
Prix et stock
Distributeurs agréés
Distributeurs de solutions de stockage non agréés
Revendeurs non agréés
Distributeur
SKU
Minimum
Emballage
Prix de gros
Historique des stocks
Tendance de l'historique des stocks indisponible
Modèles CAO
Télécharger le symbole, l’empreinte et le 3D STEP
Pièces de rechange
0 composant disponible
Fiches techniques et documents
Téléchargez les fiches techniques et la documentation du fabricant pour onsemi FQB30N06LTM.
Modèles CAO
Téléchargez les symboles onsemi FQB30N06LTM, les empreintes et les modèles STEP 3D de nos partenaires de confiance.
| SOURCE | ECAD | MCAD | FICHIERS |
|---|---|---|---|
 Component Search Engine | SymboleEmpreinte | 3D | Télécharger |
 SnapEDA | Empreinte | Télécharger | |
 Ultra Librarian | SymboleEmpreinte | Télécharger |
Le site partenaire s’ouvrira dans un nouvel onglet lorsque vous téléchargez ses modèles de CAO.
En téléchargeant des modèles de CAO depuis Octopart, vous acceptez nos conditions générales d’utilisation et notre politique de confidentialité.
Chaîne d'approvisionnement
Lifecycle StatusEOL (Last Updated: 2 weeks ago)
Manufacturer Lifecycle StatusLAST SHIPMENTS (Last Updated: 2 weeks ago)
Pièces détachées
STMicroelectronicsSTB45NF06T4
N-channel 60 V, 0.22 Ohm typ., 38 A STripFET(TM) II Power MOSFET in a D2PAK package
InfineonIRLZ34NSTRLPBF
MOSFET N-CH 55V 30A D2PAK "N-Channel 55 V 30A (Tc) 3.8W (Ta), 68W (Tc) Surface Mount D2PAK"
STMicroelectronicsSTB36NF06LT4
N-channel 60V - 0.032Ohm - 30A - D2PAK STripFET(TM) II Power MOSFET
InfineonIRF5305STRLPBF
MOSFET, Power;P-Ch;VDSS -55V;RDS(ON) 0.06Ohm;ID -31A;D2Pak;PD 110W;VGS +/-20V
InfineonIRF5305SPBF
MOSFET, Power;P-Ch;VDSS -55V;RDS(ON) 0.06Ohm;ID -31A;D2Pak;PD 110W;VGS +/-20V
Descriptions
Descriptions de onsemi FQB30N06LTM fournies par ses distributeurs.
N-Channel Power MOSFET, Logic Level, QFET®, 60 V, 32 A, 35 mΩ, D2PAK
TRANSISTOR,MOSFET,N-CHANNEL,60V V(BR)DSS,32A I(D),TO-263AB
N-Channel 60 V 0.035 Ohm Surface Mount Mosfet - D2PAK-3
Trans MOSFET N-CH 60V 32A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
Power Field-Effect Transistor, 32A I(D), 60V, 0.045ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-263AB
MOSFET, N CH, 60V, 32A, TO263AB-3; Transistor Polarity: N Channel; Continuous Drain Current Id: 32A; Drain Source Voltage Vds: 60V; On Resistance Rds(on): 0.027ohm; Available until stocks are exhausted Alternative available
This N-Channel enhancement mode power MOSFET is produced using Fairchild Semiconductor’s proprietary planar stripe and DMOS technology. This advanced MOSFET technology has been especially tailored to reduce on-state resistance, and to provide superior switching performance and high avalanche energy strength. These devices are suitable for switched mode power supplies, audio amplifier, DC motor control, and variable switching power applications.
Alias du fabricant
onsemi possède plusieurs marques à travers le monde que les distributeurs peuvent utiliser comme noms alternatifs. onsemi peut également être connu sous les noms suivants :
- ON Semiconductor
- ONS
- ONSEMICON
- ON SEM
- ON SEMICONDUCTO
- ON SEMICONDUCTORS
- ONSEMIC
- ON Semicondu
- OSC
- ONSE
- ON Semiconductor / Fairchild
- ON SEMICOND
- SCG
- ON Semiconductor Cor
- ON SEMICO
- ONSM
- onsemi / Fairchild
- ON SEMICONDUCTOR CORP
- MOT/ON SEMI
- Fairchild/ONSemiconductor
- ON Semiconductor Corporation
- ON4
- ON Semi - ON Semiconductor
- ON SEMICONDUCT
- ON-SEMI SCG
- ON Semiconductor Inc.
- onsemiconductor
- On Semiconductor Ltd
Historique des stocks
Tendance de l'historique des stocks indisponible
Modèles CAO
Télécharger le symbole, l’empreinte et le 3D STEP
Pièces de rechange
0 composant disponible
Spécifications techniques
Physical
Case/PackageD2PAK
MountSurface Mount
Number of Pins3
Number of Terminals2
Weight1.31247 g
Technical
Continuous Drain Current (ID)32 A
Current Rating32 A
Drain to Source Breakdown Voltage60 V
Drain to Source Resistance45 mΩ
Drain to Source Voltage (Vds)60 V
Element ConfigurationSingle
Fall Time110 ns
Gate to Source Voltage (Vgs)20 V
Input Capacitance1.04 nF
Max Junction Temperature (Tj)175 °C
Max Operating Temperature175 °C
Max Power Dissipation79 W
Min Breakdown Voltage60 V
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Channels1
Number of Elements1
Power Dissipation3.75 W
Rds On Max35 mΩ
Resistance35 mΩ
Rise Time210 ns
Schedule B8541290080
Threshold Voltage2.5 V
Turn-Off Delay Time60 ns
Turn-On Delay Time15 ns
Voltage Rating (DC)60 V
Dimensions
Height4.83 mm
Length10.67 mm
Width9.65 mm
Fiches techniques et documents
Téléchargez les fiches techniques et la documentation du fabricant pour onsemi FQB30N06LTM.
Conformité
Classification environnementale
China RoHSNon-Compliant
Lead FreeLead Free
Radiation HardeningNo
REACH SVHCAffected
RoHSCompliant
Déclarations de conformité