Infineon IRF5305SPBF

Name: Infineon IRF5305SPBF
Brand: Infineon
SKU: IRF5305SPBF

Mosfet, Power; P-ch; Vdss -55V; Rds(on) 0.06 Ohm; Id -31A; D2PAK; Pd 110W; Vgs +/-20V

$ 2.28

Obsolete

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Distributor	SKU		Min	Pkg
RS (Formerly Allied Electronics)	IRF5305SPBF	0	900	Bulk				2,280	2,280	11h
Farnell	IRF5305SPBF	0	5			1,044*	0,942*	0,622*	0,617*	5h
Win Source	WS-IRF5305SPBF	24 860	80				0,767	0,594	0,594	20h
Worldway Electronics	IRF5305SPBF	13 113	7	Tube		0,185	0,179	0,170	0,170	19h
Fly-Wing Technology	IRF5305SPBF	214 493			0,658	0,541	0,523	0,489	0,489	1d

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element14 APAC

Datasheet11 pagesIl y a 21 ans

Newark

RS (Formerly Allied Electronics)

TME

Jameco

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Chaîne d'approvisionnement

Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99

Introduction Date2005-04-22

Lifecycle StatusObsolete (Last Updated: 4 months ago)

LTB Date2018-12-15

LTD Date2019-06-15

Pièces détachées

InfineonIRF5305STRLPBF

MOSFET, Power;P-Ch;VDSS -55V;RDS(ON) 0.06Ohm;ID -31A;D2Pak;PD 110W;VGS +/-20V

Détails

InfineonIRF5305STRRPBF

Single P-Channel 55 V 60 mOhm 42 nC HEXFET® Power Mosfet - D2PAK

Détails

onsemiNTB30N06G

Tube Surface Mount N-Channel Single Mosfet Transistor 27A Ta 27A 88.2W 31ns

Détails

STMicroelectronicsSTB45NF06T4

N-channel 60 V, 0.22 Ohm typ., 38 A STripFET(TM) II Power MOSFET in a D2PAK package

Détails

onsemiFQB30N06LTM

N-Channel Power MOSFET, Logic Level, QFET®, 60 V, 32 A, 35 mΩ, D2PAK

Détails

InfineonIRLZ34NSTRLPBF

55V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET in a D2-Pak package, D2PAK-3, RoHS

Détails

Descriptions

Descriptions de Infineon IRF5305SPBF fournies par ses distributeurs.

MOSFET, Power;P-Ch;VDSS -55V;RDS(ON) 0.06Ohm;ID -31A;D2Pak;PD 110W;VGS +/-20V

RS (Formerly Allied Electronics)

Single P-Channel 55 V 0.06 Ohm 63 nC HEXFET® Power Mosfet - D2PAK

Future Electronics

-55V Single P-Channel HEXFET Power MOSFET in a D2-Pak package, D2PAK-3, RoHS

Infineon SCT

Trans MOSFET P-CH 55V 31A 3-Pin(2+Tab) D2PAK

Avnet

HEXFET POWER MOSFET Power Field-Effect Transistor, 31A I(D), 55V, 0.06ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-252

ComSIT Distribution GmbH

Benefits: RoHS Compliant; Low RDS(on); Industry-leading quality; Dynamic dv/dt Rating; Fast Switching; Fully Avalanche Rated; 175C Operating Temperature; P-Channel MOSFET

Infineon

MOSFET; Transistor Type:MOSFET; Transistor Polarity:P Channel; Drain Source Voltage, Vds:-55V; Continuous Drain Current, Id:-31A; On Resistance, Rds(on):60mohm; Rds(on) Test Voltage, Vgs:-10V; Package/Case:D2-PAK ;RoHS Compliant: Yes

Newark

Transistor Polarity = P-Channel / Configuration = Single / Continuous Drain Current (Id) A = -31 / Drain-Source Voltage (Vds) V = -55 / ON Resistance (Rds(on)) mOhm = 60 / Gate-Source Voltage V = 20 / Fall Time ns = 63 / Rise Time ns = 66 / Turn-OFF Delay Time ns = 39 / Turn-ON Delay Time ns = 14 / Operating Temperature Min. °C = -55 / Operating Temperature Max. °C = 175 / Package Type = TO-263 / Pins = 3 / Mounting Type = SMD / MSL = Level-1 / Packaging = Tape & Reel / Power Dissipation (Pd) W = 3.8

Distrelec

Images

RS (Formerly Allied Electronics)

Alias du fabricant

Infineon possède plusieurs marques à travers le monde que les distributeurs peuvent utiliser comme noms alternatifs. Infineon peut également être connu sous les noms suivants :

Infineon Technologies
INF
INFINEO
INFINE
INFIN
INFINION
INFI
INFENION
SIM
INFIEON
INFINEON TECH
INFINEN
IFX
INFIENON
IR/INFINEON
INFINEON/IR
IFT
INFINEON/SIEMENS
LNFINEON
INFN
Infineon Tech ICs
INFINEON TECHNOLOGIE
NFINEON
INFINEON/Infineon
INFINEON TECHNOLOGIES (ASIA

Alias de numéro de pièce

Ce composant peut être référencé sous ces autres numéros :

5305SPBF
IRF5305SPBF.
SP001563340

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Spécifications techniques

Physical

Case/PackageD2PAK

MountSurface Mount

Number of Pins3

Number of Terminals2

Technical

Continuous Drain Current (ID)31 A

Current Rating-31 A

Drain to Source Breakdown Voltage-55 V

Drain to Source Resistance60 mΩ

Drain to Source Voltage (Vdss)-55 V

Dual Supply Voltage-55 V

Element ConfigurationSingle

Fall Time63 ns

Gate to Source Voltage (Vgs)20 V

Input Capacitance1.2 nF

Max Junction Temperature (Tj)175 °C

Max Operating Temperature150 °C

Max Power Dissipation110 W

Min Breakdown Voltage55 V

Min Operating Temperature-55 °C

Nominal Vgs-4 V

Number of Channels1

Number of Elements1

On-State Resistance60 mΩ

Package Quantity1000

PackagingBulk

Power Dissipation3.8 W

Rds On Max60 mΩ

Recovery Time110 ns

Rise Time66 ns

Schedule B8541290080

Threshold Voltage-4 V

Turn-Off Delay Time39 ns

Turn-On Delay Time14 ns

Voltage Rating (DC)-55 V

Dimensions

Height5.084 mm

Length10.668 mm

Fiches techniques et documents

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Datasheet11 pagesIl y a 21 ans

Newark

RS (Formerly Allied Electronics)

TME

Jameco

Conformité

Classification environnementale

Lead FreeLead Free

Radiation HardeningNo

REACH SVHCNo

RoHSCompliant

Déclarations de conformité

Conflict Mineral StatementN/AN/A

Reach Statement6 pagesIl y a 12 ans

Rohs Statement1 pageIl y a 12 ans