onsemi MMBT5551LT1G

Name: onsemi MMBT5551LT1G
Brand: onsemi
SKU: MMBT5551LT1G

Bipolar (BJT) Single Transistor, General Purpose, NPN, 160 V, 600 mA, 225 mW, SOT-23, Surface Mount

$ 0.04

Production

Page du fabricant Fiche technique

Prix et stock

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Distributor		SKU		Min	Pkg
Future Electronics	5	MMBT5551LT1G	17 271 000	3K	Tape & Reel					0,014
Avnet	4	MMBT5551LT1G	126 000	3K						0,012	1d
Newark	4	MMBT5551LT1G	188 180	1	Cut Tape	0,156	0,156	0,065	0,043	0,043
Arrow Electronics	3	MMBT5551LT1G	11 650	1		0,136	0,080	0,053	0,035	0,014
Verical	4	MMBT5551LT1G	1 095 000	3K						0,011

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Technical Drawing1 pageIl y a 6 ans

IHS

Newark

onsemi

Farnell

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Ce composant

Pièces de rechange

onsemiMMBT5551LT1G

Diodes Inc.MMBT5551-7-F

Price @ 1000

$ 0.04

$ 0.06

Stock

90,438,283

9,881,069

Authorized Distributors

Mount

Surface Mount

Case/Package

SOT-23-3

SOT-23

Polarity

NPN

Collector Emitter Breakdown Voltage

160 V

Max Collector Current

60 mA

200 mA

Transition Frequency

100 MHz

Collector Emitter Saturation Voltage

200 mV

hFE Min

Power Dissipation

225 mW

300 mW

Chaîne d'approvisionnement

Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 5 years ago)

Manufacturer Lifecycle StatusACTIVE (Last Updated: 5 years ago)

Pièces détachées

onsemiMMBT5550LT1G

Bipolar (BJT) Single Transistor, General Purpose, NPN, 140 V, 600 mA, 225 mW, SOT-23, Surface Mount

Détails

onsemiMMBT5550LT3G

Small Signal Bipolar Transistor, 0.6A I(C), 140V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-236AB

Détails

onsemiMMBT5550LT1

Cut Tape (CT) Single 3 Contains Lead Bipolar (BJT) Transistor 600mA 225mW 180V 150C

Détails

Descriptions

Descriptions de onsemi MMBT5551LT1G fournies par ses distributeurs.

Bipolar (BJT) Single Transistor, General Purpose, NPN, 160 V, 600 mA, 225 mW, SOT-23, Surface Mount

Avnet Silica

160V 225mW 600mA NPN SOT-23(SOT-23-3) Bipolar Transistors - BJT ROHS

Dasenic

ON SEMI MMBT5551LT1G NPN BIPOLAR TRANSISTOR, 0.06 A, 160 V, 3-PIN SOT-23

RS (Formerly Allied Electronics)

NPN transistor, 160V, 600mA, SOT-23, used for high-voltage switching and amplification

ComSIT Distribution GmbH

Bipolar Transistors (BJT); MMBT5551LT1G; ON SEMICONDUCTOR; NPN; 3; 160 V; 600 mA

Maritex

Small Signal Bipolar Transistor, 0.06A I(C), 160V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-236AB

Semicontronic

Transistor GP BJT NPN 160V 0.06A 3-Pin SOT-23 T/R

Avnet Japan

High Voltage NPN Bipolar Transistor

onsemi

ON Semiconductor MMBT5551LT1G Transistor Tape on Full reel For high voltage

Rapid Electronics

60 mA 160 V NPN Si SMALL SIGNAL TRANSISTOR TO-236AB

Component Stockers USA

TRANSISTOR, NPN, 160V, 600MA, SOT-23-3; Transistor Polarity: NPN; Collector Emitter Voltage V(br)ceo: 160V; Transition Frequency ft: -; Power Dissipation Pd: 225mW; DC Collector Current: 600mA; DC Current Gain hFE: 30hFE; Tran

Farnell

Bjt, Npn, 160V, Sot-23, Full Reel; Transistor Polarity:Npn; Collector Emitter Voltage Max:160V; Continuous Collector Current:60Ma; Power Dissipation:225Mw; Transistor Mounting:Surface Mount; No. Of Pins:3Pins; Transition Frequency:- Rohs Compliant: Yes |Onsemi MMBT5551LT1G.

Newark

Alias du fabricant

onsemi possède plusieurs marques à travers le monde que les distributeurs peuvent utiliser comme noms alternatifs. onsemi peut également être connu sous les noms suivants :

ON Semiconductor
ONS
ONSEMICON
ON SEM
ON SEMICONDUCTO
ON SEMICONDUCTORS
ONSEMIC
ON Semicondu
OSC
ONSE
ON SEMICOND
ON Semiconductor / Fairchild
SCG
ON Semiconductor Cor
ON SEMICO
ONSM
ON SEMICONDUCTOR CORP
onsemi / Fairchild
MOT/ON SEMI
Fairchild/ONSemiconductor
ON Semiconductor Corporation
ON4
ON Semi - ON Semiconductor
ON SEMICONDUCT
ON-SEMI SCG
ON Semiconductor Inc.
onsemiconductor
On Semiconductor Ltd

Alias de numéro de pièce

Ce composant peut être référencé sous ces autres numéros :

MMBT 5551LT1G
MMBT5551LT1G.

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Spécifications techniques

Physical

Case/PackageSOT-23-3

Contact PlatingTin

Number of Pins3

Number of Terminals3

Weight4.535924 g

Technical

Collector Base Voltage (VCBO)180 V

Collector Emitter Breakdown Voltage160 V

Collector Emitter Saturation Voltage200 mV

Collector Emitter Voltage (VCEO)160 V

Current Rating600 mA

Element ConfigurationSingle

Emitter Base Voltage (VEBO)6 V

hFE Min30

Max Breakdown Voltage160 V

Max Collector Current60 mA

Max Junction Temperature (Tj)150 °C

Max Operating Temperature150 °C

Max Power Dissipation300 mW

Min Operating Temperature-55 °C

Number of Elements1

PackagingTape and Reel

PolarityNPN

Power Dissipation225 mW

Schedule B8541210080

Voltage Rating (DC)160 V

Dimensions

Height1.11 mm

Length2.9 mm

Width1.3 mm