onsemi MJW21191G
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Obsolete
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|---|---|---|---|
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Pièces de rechange
Ce composant
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Stock
93,152
81,893
Authorized Distributors
2
2
Mount
Through Hole
Through Hole
Case/Package
TO-247
TO-247
Polarity
PNP
PNP
Collector Emitter Breakdown Voltage
150 V
150 V
Max Collector Current
8 A
8 A
Transition Frequency
4 MHz
4 MHz
Collector Emitter Saturation Voltage
2 V
2 V
hFE Min
5
5
Power Dissipation
125 W
-
Chaîne d'approvisionnement
Country of OriginMainland China
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date1997-08-15
Lifecycle StatusObsolete (Last Updated: 5 years ago)
LTB Date2011-01-06
LTD Date2011-07-02
Manufacturer Lifecycle StatusOBSOLETE (Last Updated: 5 years ago)
Descriptions
Descriptions de onsemi MJW21191G fournies par ses distributeurs.
Tube Through Hole PNP Single Bipolar (BJT) Transistor 15 @ 4A 2V 8A 125W 4MHz
Power Bipolar Transistor, 8A I(C), 150V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, TO-247AE, Plastic/Epoxy, 3 Pin
PNP Audio Bipolar Power Transistor
MJW21191G, SINGLE BIPOLAR TRANSISTORS;
Alias du fabricant
onsemi possède plusieurs marques à travers le monde que les distributeurs peuvent utiliser comme noms alternatifs. onsemi peut également être connu sous les noms suivants :
- ON Semiconductor
- ONS
- ONSEMICON
- ON SEM
- ON SEMICONDUCTO
- ON SEMICONDUCTORS
- ONSEMIC
- ON Semicondu
- OSC
- ONSE
- ON SEMICOND
- ON Semiconductor / Fairchild
- SCG
- ON Semiconductor Cor
- ON SEMICO
- ONSM
- ON SEMICONDUCTOR CORP
- onsemi / Fairchild
- MOT/ON SEMI
- Fairchild/ONSemiconductor
- ON Semiconductor Corporation
- ON4
- ON Semi - ON Semiconductor
- ON SEMICONDUCT
- ON-SEMI SCG
- ON Semiconductor Inc.
- onsemiconductor
- On Semiconductor Ltd
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Spécifications techniques
Physical
Case/PackageTO-247
Contact PlatingTin
MountThrough Hole
Number of Pins3
Number of Terminals3
Technical
Collector Base Voltage (VCBO)150 V
Collector Emitter Breakdown Voltage150 V
Collector Emitter Saturation Voltage2 V
Collector Emitter Voltage (VCEO)150 V
Current Rating-4 A
Element ConfigurationSingle
Emitter Base Voltage (VEBO)5 V
Gain Bandwidth Product4 MHz
hFE Min5
Max Collector Current8 A
Max Junction Temperature (Tj)150 °C
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation125 W
Min Operating Temperature-65 °C
Number of Elements1
PolarityPNP
Power Dissipation125 W
Transition Frequency4 MHz
Voltage Rating (DC)-150 V
Dimensions
Height25.58 mm
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Conformité
Classification environnementale
China RoHSCompliant
Lead FreeLead Free
RoHSCompliant
Déclarations de conformité