onsemi MJD112T4G
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 EE Concierge | SymboleEmpreinte | ||
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Pièces de rechange
Ce composant
Pièces de rechange
Price @ 1000
$ 0.265
$ 0.241
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Stock
5,105,799
505,579
505,579
Authorized Distributors
6
6
6
Mount
-
-
-
Case/Package
DPAK
DPAK
DPAK
Polarity
NPN
NPN
NPN
Collector Emitter Breakdown Voltage
100 V
100 V
100 V
Max Collector Current
2 A
2 A
2 A
Transition Frequency
25 MHz
25 MHz
25 MHz
Collector Emitter Saturation Voltage
2 V
2 V
2 V
hFE Min
200
200
200
Power Dissipation
-
-
-
Chaîne d'approvisionnement
Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 5 years ago)
Manufacturer Lifecycle StatusACTIVE (Last Updated: 5 years ago)
Pièces détachées
Descriptions
Descriptions de onsemi MJD112T4G fournies par ses distributeurs.
Power Bipolar Transistor, 2A I(C), 100V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, Plastic/Epoxy, 2 Pin
2.0 A, 100 V NPN Darlington Bipolar Power Transistor
Bipolar Transistors (BJT); MJD112T4G; ON SEMICONDUCTOR; NPN; 3; 100 V; 2 A
MJD Series 100 V 2 A NPN Complementary Darlington Power Transistor - TO-252
ON SEMI MJD112T4G NPN DARLINGTON TRANSISTOR, 4 A 100 V HFE:200, 3-PIN DPAK
TRANS NPN DARL 100V 2A DPAK / Trans Darlington NPN 100V 2A 1750mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
TRANSISTOR, BIPOL, NPN, 100V, TO-252AA-3; Transistor Polarity: NPN; Collector Emitter Voltage V(br)ceo: 100V; Transition Frequency ft: 25MHz; Power Dissipation Pd: 20W; DC Collector Current: 2A; DC Current Gain hFE: 200hFE; Tr
Alias du fabricant
onsemi possède plusieurs marques à travers le monde que les distributeurs peuvent utiliser comme noms alternatifs. onsemi peut également être connu sous les noms suivants :
- ON Semiconductor
- ONS
- ONSEMICON
- ON SEM
- ON SEMICONDUCTO
- ON SEMICONDUCTORS
- ONSEMIC
- ON Semicondu
- OSC
- ONSE
- ON SEMICOND
- ON Semiconductor / Fairchild
- SCG
- ON Semiconductor Cor
- ON SEMICO
- ONSM
- ON SEMICONDUCTOR CORP
- onsemi / Fairchild
- MOT/ON SEMI
- Fairchild/ONSemiconductor
- ON Semiconductor Corporation
- ON4
- ON Semi - ON Semiconductor
- ON SEMICONDUCT
- ON-SEMI SCG
- ON Semiconductor Inc.
- onsemiconductor
- On Semiconductor Ltd
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Spécifications techniques
Physical
Case/PackageDPAK
Contact PlatingTin
Number of Pins3
Number of Terminals2
Technical
Collector Base Voltage (VCBO)100 V
Collector Emitter Breakdown Voltage100 V
Collector Emitter Saturation Voltage2 V
Collector Emitter Voltage (VCEO)100 V
Continuous Collector Current2 A
Current Rating2 A
Element ConfigurationSingle
Emitter Base Voltage (VEBO)5 V
hFE Min200
Max Breakdown Voltage100 V
Max Collector Current2 A
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation20 W
Min Operating Temperature-65 °C
Number of Elements1
PackagingTape and Reel
PolarityNPN
Schedule B8541290080
Transition Frequency25 MHz
Voltage Rating (DC)100 V
Dimensions
Height2.38 mm
Length6.73 mm
Width6.22 mm
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Conformité
Classification environnementale
China RoHSNon-Compliant
Halogen FreeHalogen Free
Lead FreeLead Free
Radiation HardeningNo
REACH SVHCNo
RoHSCompliant
Déclarations de conformité