onsemi MJD112-1G

Power Bipolar Transistor, 2A I(C), 100V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, Plastic/Epoxy, 3 Pin
$ 0.469
Production
Page du fabricantFiche technique

Prix et stock

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DistributorSKUMinPkg
Future ElectronicsMJD112-1G7350Tube
Verical
8
MJD112-1G52575
Arrow Electronics
2
MJD112-1G1 2901
Master ElectronicsMJD112-1G43 20075
Onlinecomponents.comMJD112-1G43 20075Bulk

Fiches techniques et documents

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Farnell

onsemi

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Pièces de rechange

Ce composant
Pièces de rechange
onsemiMJD112-1G
onsemiMJD112-001
Price @ 1000
$ 0.469
$ 0.175
Stock
1,068,941
50,237
Authorized Distributors
6
1
Mount
-
-
Case/Package
TO-251
TO-251
Polarity
NPN
NPN
Collector Emitter Breakdown Voltage
100 V
100 V
Max Collector Current
2 A
2 A
Transition Frequency
25 MHz
25 MHz
Collector Emitter Saturation Voltage
2 V
2 V
hFE Min
200
200
Power Dissipation
1.75 W
20 W

Chaîne d'approvisionnement

Country of OriginMainland China, Malaysia
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date1999-01-01
Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 5 years ago)
Manufacturer Lifecycle StatusACTIVE (Last Updated: 5 years ago)

Pièces détachées

onsemiMJD112-001
Power Bipolar Transistor, 2A I(C), 100V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, Plastic/Epoxy, 3 Pin
Détails
onsemiKSH122ITU
Power Bipolar Transistor, 8A I(C), 100V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-251AA, Plastic/Epoxy, 3 Pin
Détails
onsemi2SC4135T-E
Bipolar Transistor, (-)100V, (-)2A, Low VCE(sat), (PNP)NPN Single TP/TP-FA
Détails

Descriptions

Descriptions de onsemi MJD112-1G fournies par ses distributeurs.

Power Bipolar Transistor, 2A I(C), 100V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, Plastic/Epoxy, 3 Pin
IHS
2.0 A, 100 V NPN Darlington Bipolar Power Transistor
onsemi
MJD Series 100 V 2 A Through Hole NPN Complementary Darlington Power Transistor
Future Electronics
ON SEMI MJD112-1G NPN DARLINGTON TRANSISTOR, 2 A 100 V HFE:1000, 3-PIN IPAK
RS (Formerly Allied Electronics)
Designed for general purpose power and switching such as output or driver stages in applications such as switching regulators converters and power amplifiers.
North Star Micro
TRANSISTOR, NPN, 100V, 2A, TO-251; Transistor Polarity: NPN; Collector Emitter Voltage V(br)ceo: 100V; Transition Frequency ft: 25MHz; Power Dissipation Pd: 20W; DC Collector Current: 2A; DC Current Gain hFE: 200hFE; Transisto
Farnell
Darlington Transistor, Npn, 100V, Dpak-3; Transistor Polarity:Npn; Collector Emitter Voltage V(Br)Ceo:100V; Power Dissipation Pd:20W; Dc Collector Current:2A; Rf Transistor Case:To-252 (Dpak); No. Of Pins:3Pins; Product Range:- Rohs Compliant: Yes |Onsemi MJD112-1G
Newark

Images

Farnell
Augswan
Newark
RS (Formerly Allied Electronics)
TME
LZChips
Future Electronics
Rochester Electronics
JRH Electronics

Alias du fabricant

onsemi possède plusieurs marques à travers le monde que les distributeurs peuvent utiliser comme noms alternatifs. onsemi peut également être connu sous les noms suivants :

  • ON Semiconductor
  • ONS
  • ONSEMICON
  • ON SEM
  • ON SEMICONDUCTO
  • ON SEMICONDUCTORS
  • ONSEMIC
  • ON Semicondu
  • OSC
  • ONSE
  • ON SEMICOND
  • ON Semiconductor / Fairchild
  • SCG
  • ON Semiconductor Cor
  • ON SEMICO
  • ONSM
  • ON SEMICONDUCTOR CORP
  • onsemi / Fairchild
  • MOT/ON SEMI
  • Fairchild/ONSemiconductor
  • ON Semiconductor Corporation
  • ON4
  • ON Semi - ON Semiconductor
  • ON SEMICONDUCT
  • ON-SEMI SCG
  • ON Semiconductor Inc.
  • onsemiconductor
  • On Semiconductor Ltd

Alias de numéro de pièce

Ce composant peut être référencé sous ces autres numéros :

  • MJD112-1G.