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Téléchargez les fiches techniques et la documentation du fabricant pour onsemi ISL9N312AD3ST.
Chaîne d'approvisionnement
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date2001-05-30
Lifecycle StatusObsolete (Last Updated: 4 months ago)
LTB Date2006-10-05
LTD Date2007-04-05
Pièces détachées
onsemiNTP65N02RG
Tube Through Hole N-Channel Single Mosfet Transistor 7.6A Ta 58A Tc 58A 62.5W 10ns
onsemiHUF76121P3
Power Field-Effect Transistor, 47A I(D), 30V, 0.028ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB
Descriptions
Descriptions de onsemi ISL9N312AD3ST fournies par ses distributeurs.
MOSFET N-Ch LL UltraFET PWM Optimized
Power Field-Effect Transistor, 50A I(D), 30V, 0.012ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-252AA, DPAK-3
N-CHANNEL POWER MOSFET
MISCELLANEOUS MOSFETS;
Alias du fabricant
onsemi possède plusieurs marques à travers le monde que les distributeurs peuvent utiliser comme noms alternatifs. onsemi peut également être connu sous les noms suivants :
- ON Semiconductor
- ONS
- ONSEMICON
- ON SEM
- ON SEMICONDUCTO
- ON SEMICONDUCTORS
- ONSEMIC
- ON Semicondu
- OSC
- ONSE
- ON SEMICOND
- ON Semiconductor / Fairchild
- SCG
- ON Semiconductor Cor
- ON SEMICO
- ONSM
- ON SEMICONDUCTOR CORP
- onsemi / Fairchild
- MOT/ON SEMI
- Fairchild/ONSemiconductor
- ON Semiconductor Corporation
- ON4
- ON Semi - ON Semiconductor
- ON SEMICONDUCT
- ON-SEMI SCG
- ON Semiconductor Inc.
- onsemiconductor
- On Semiconductor Ltd
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Spécifications techniques
Physical
Number of Terminals2
Technical
Continuous Drain Current (ID)50 A
Drain to Source Breakdown Voltage30 V
Drain to Source Resistance12 mΩ
Element ConfigurationSingle
Fall Time30 ns
Gate to Source Voltage (Vgs)20 V
Max Operating Temperature175 °C
Max Power Dissipation75 W
Min Breakdown Voltage30 V
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Elements1
Power Dissipation75 W
Rise Time30 ns
Turn-Off Delay Time45 ns
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