onsemi HUFA75645S3S
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Chaîne d'approvisionnement
Country of OriginMainland China
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Harmonized Tariff Schedule (HTS) Code8541.29.00.95
Introduction Date2000-12-08
Lifecycle StatusEOL (Last Updated: 2 days ago)
Manufacturer Lifecycle StatusLAST SHIPMENTS (Last Updated: 2 days ago)
Pièces détachées
InfineonIRF8010SPBF
Single N-Channel 100 V 260 W 81 nC Hexfet Power Mosfet Surface Mount - D2PAK-3
InfineonIRF2807SPBF
MOSFET, Power;N-Ch;VDSS 75V;RDS(ON) 13 Milliohms;ID 82A;D2Pak;PD 230W;VGS +/-20V
STMicroelectronicsSTB75NF75T4
N channel 75 V, 0.0095 Ohm typ., 80 A STripFET II Power MOSFET in D2PAK package
Descriptions
Descriptions de onsemi HUFA75645S3S fournies par ses distributeurs.
N-Channel UltraFET Power MOSFET 100V, 75A, 14mΩ
Transistor, mosfet, n-Channel,100V V(Br)Dss,75A I(D),to-263Ab Rohs Compliant: Yes |Onsemi HUFA75645S3S
100 V, 75 A, 0.014 OHM, N-CHANNEL, ULTRAFET POWER MOSFET Power Field-Effect Transistor, 75A I(D), 100V, 0.014ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-263AB
Alias du fabricant
onsemi possède plusieurs marques à travers le monde que les distributeurs peuvent utiliser comme noms alternatifs. onsemi peut également être connu sous les noms suivants :
- ON Semiconductor
- ONS
- ONSEMICON
- ON SEM
- ON SEMICONDUCTO
- ON SEMICONDUCTORS
- ONSEMIC
- ON Semicondu
- OSC
- ONSE
- ON SEMICOND
- ON Semiconductor / Fairchild
- SCG
- ON Semiconductor Cor
- ON SEMICO
- ONSM
- ON SEMICONDUCTOR CORP
- onsemi / Fairchild
- MOT/ON SEMI
- Fairchild/ONSemiconductor
- ON Semiconductor Corporation
- ON4
- ON Semi - ON Semiconductor
- ON SEMICONDUCT
- ON-SEMI SCG
- ON Semiconductor Inc.
- onsemiconductor
- On Semiconductor Ltd
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Spécifications techniques
Physical
Case/PackageD2PAK
MountSurface Mount
Number of Terminals2
Weight1.31247 g
Technical
Continuous Drain Current (ID)75 A
Current Rating75 A
Drain to Source Breakdown Voltage100 V
Drain to Source Resistance14 mΩ
Drain to Source Voltage (Vdss)100 V
Element ConfigurationSingle
Fall Time97 ns
Gate to Source Voltage (Vgs)20 V
Input Capacitance3.79 nF
Max Operating Temperature175 °C
Max Power Dissipation310 W
Min Breakdown Voltage100 V
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Elements1
Power Dissipation310 W
Rds On Max14 mΩ
Rise Time117 ns
Turn-Off Delay Time41 ns
Turn-On Delay Time14 ns
Voltage Rating (DC)100 V
Fiches techniques et documents
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Conformité
Classification environnementale
China RoHSNon-Compliant
Lead FreeLead Free
Radiation HardeningNo
REACH SVHCNo
RoHSCompliant
Déclarations de conformité