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Chaîne d'approvisionnement
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date1999-10-11
Lifecycle StatusObsolete (Last Updated: 4 months ago)
LTB Date2011-09-14
LTD Date2012-03-14
Pièces détachées
InfineonIRLU120NPBF
MOSFET, Power;N-Ch;VDSS 100V;RDS(ON) 0.185Ohm;ID 10A;I-Pak (TO-251AA);PD 48W
InfineonIRFU120NPBF
MOSFET, Power;N-Ch;VDSS 100V;RDS(ON) 0.21Ohm;ID 9.4A;I-Pak (TO-251AA);PD 48W
InfineonIRFU5410PBF
MOSFET, Power;P-Ch;VDSS -100V;RDS(ON) 0.205Ohm;ID -13A;I-Pak (TO-251AA);PD 66W
Descriptions
Descriptions de onsemi HUF76609D3 fournies par ses distributeurs.
Trans MOSFET N-CH 100V 10A 3-Pin(3+Tab) IPAK Rail
MOSFETs 10a,100V, 0.165 Ohm 1Ch HS Logic Gate
10A, 100V, 0.165 OHM, N-CHANNEL, LOGIC LEVEL ULTRAFET POWER MOSFET Power Field-Effect Transistor, 10A I(D), 100V, 0.168ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-251AA
PWR MOS 100V/11A/0.178 OHM N-CH LOGIC LVL TO-251AA
ADDED FOR DPP(INTERSIL) PKG ID CHANGE<AZ
Alias du fabricant
onsemi possède plusieurs marques à travers le monde que les distributeurs peuvent utiliser comme noms alternatifs. onsemi peut également être connu sous les noms suivants :
- ON Semiconductor
- ONS
- ONSEMICON
- ON SEM
- ON SEMICONDUCTO
- ON SEMICONDUCTORS
- ONSEMIC
- ON Semicondu
- OSC
- ONSE
- ON SEMICOND
- ON Semiconductor / Fairchild
- SCG
- ON Semiconductor Cor
- ON SEMICO
- ONSM
- ON SEMICONDUCTOR CORP
- onsemi / Fairchild
- MOT/ON SEMI
- Fairchild/ONSemiconductor
- ON Semiconductor Corporation
- ON4
- ON Semi - ON Semiconductor
- ON SEMICONDUCT
- ON-SEMI SCG
- ON Semiconductor Inc.
- onsemiconductor
- On Semiconductor Ltd
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Spécifications techniques
Physical
Case/PackageTO-251-3
MountThrough Hole
Number of Terminals3
Technical
Continuous Drain Current (ID)10 A
Current Rating10 A
Drain to Source Breakdown Voltage100 V
Drain to Source Resistance168 mΩ
Drain to Source Voltage (Vdss)100 V
Element ConfigurationSingle
Fall Time28 ns
Gate to Source Voltage (Vgs)16 V
Input Capacitance425 pF
Max Junction Temperature (Tj)175 °C
Max Operating Temperature175 °C
Max Power Dissipation49 W
Min Breakdown Voltage100 V
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Channels1
Number of Elements1
Power Dissipation49 W
Rds On Max160 mΩ
Rise Time41 ns
Turn-Off Delay Time55 ns
Turn-On Delay Time6 ns
Voltage Rating (DC)100 V
Dimensions
Height2.517 mm
Fiches techniques et documents
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Conformité
Classification environnementale
Lead FreeLead Free
REACH SVHCNo
RoHSCompliant
Déclarations de conformité