onsemi HGTP3N60A4

Trans IGBT Chip N-CH 600V 17A 70000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Rail
$ 1.215
Obsolete
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Prix et stock

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DistributorSKUMinPkg
Rochester ElectronicsHGTP3N60A4106 700
9h
Verical
3
HGTP3N60A4104 431248
FarnellHGTP3N60A401
9h
Component Stockers USAHGTP3N60A4562
>1wk
Win SourceWS-HGTP3N60A49 33060
10h

Fiches techniques et documents

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IHS

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onsemi

Fairchild Semiconductor

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Chaîne d'approvisionnement

Country of OriginMainland China
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Harmonized Tariff Schedule (HTS) Code8541.29.00.95
Introduction Date2000-01-20
Lifecycle StatusObsolete (Last Updated: 4 days ago)
LTB Date2021-07-29
LTD Date2022-01-29
Manufacturer Lifecycle StatusOBSOLETE (Last Updated: 4 days ago)

Pièces détachées

InfineonIRGB6B60KDPBF
600V UltraFast 10-30 kHz Copack IGBT in a TO-220AB package, TO220COPAK-3, RoHS
Détails
onsemiHGTP7N60A4
Trans IGBT Chip N-CH 600V 34A 125000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube / IGBT 600V 34A 125W TO220AB
Détails
InfineonIRG4BC40FPBF
Transistor IGBT Chip Negative Channel 600 Volt 49A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
Détails
onsemiHGTP12N60A4D
Trans IGBT Chip N-CH 600V 54A 167000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Rail
Détails
onsemiHGTP20N60A4
Trans IGBT Chip N=-CH 600V 70A 290000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Rail
Détails
InfineonIRG4BC30WPBF
600V Warp 60-150 kHz Discrete IGBT in a TO-220AB package, TO220-3, RoHS
Détails

Descriptions

Descriptions de onsemi HGTP3N60A4 fournies par ses distributeurs.

Trans IGBT Chip N-CH 600V 17A 70000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Rail
Verical
Insulated Gate Bipolar Transistor, 17A I(C), 600V V(BR)CES, N-Channel, TO-220AB
IHS
IGBT, N, TO-220; Transistor type:IGBT; Voltage, Vces:600V; Current, Ic continuous a max:17A; Voltage, Vce sat max:2.7V; Power dissipation:70W; Case style:TO-220AB; Current, Icm pulsed:40A; Pin format:GCE; Pins, No. of:3; Power, Pd:70W; Power, Ptot:70W; Temperature, current:25°C; Temperature, full power rating:25°C; Termination Type:Through Hole; Time, fall:47ns; Time, rise:11ns; Transistor polarity:N; Transistors, No. of:1; Voltage, Vceo:600V
Farnell
The HGTP3N60A4 combines the best features of high input impedance of a MOSFET and the low on-state conduction loss of a bipolar transistor. This IGBT is ideal for many high voltage switching applications operating at high frequencies where low conduction losses are essential. This device has been optimized for fast switching applications, such as UPS and welder.
Fairchild Semiconductor

Images

Farnell
Rochester Electronics

Alias du fabricant

onsemi possède plusieurs marques à travers le monde que les distributeurs peuvent utiliser comme noms alternatifs. onsemi peut également être connu sous les noms suivants :

  • ON Semiconductor
  • ONS
  • ONSEMICON
  • ON SEM
  • ON SEMICONDUCTO
  • ON SEMICONDUCTORS
  • ONSEMIC
  • ON Semicondu
  • OSC
  • ONSE
  • ON SEMICOND
  • ON Semiconductor / Fairchild
  • SCG
  • ON Semiconductor Cor
  • ON SEMICO
  • ONSM
  • ON SEMICONDUCTOR CORP
  • onsemi / Fairchild
  • MOT/ON SEMI
  • Fairchild/ONSemiconductor
  • ON Semiconductor Corporation
  • ON4
  • ON Semi - ON Semiconductor
  • ON SEMICONDUCT
  • ON-SEMI SCG
  • ON Semiconductor Inc.
  • onsemiconductor
  • On Semiconductor Ltd