onsemi HGTP12N60A4D
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Obsolete
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Chaîne d'approvisionnement
Country of OriginMainland China
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date2001-03-07
Lifecycle StatusObsolete (Last Updated: 4 days ago)
LTB Date2021-07-29
LTD Date2022-01-29
Manufacturer Lifecycle StatusOBSOLETE (Last Updated: 4 days ago)
Pièces détachées
InfineonIRGB20B60PD1PBF
IRGB20B60PD1PBF Series 600 V 22 A N-Channel UltraFast IGBT - TO-220AB, TO220COPAK-3, RoHS
InfineonIRG4BC40SPBF
600V DC-1 kHz (Standard) Discrete IGBT in a TO-220AB package, TO220-3, RoHS
onsemiHGTP7N60A4
Trans IGBT Chip N-CH 600V 34A 125000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube / IGBT 600V 34A 125W TO220AB
Descriptions
Descriptions de onsemi HGTP12N60A4D fournies par ses distributeurs.
Trans IGBT Chip N-CH 600V 54A 167000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Rail
600V SMPS Series N-Channel IGBT with Anti-Parallel Hyperfast Diode Insulated Gate Bipolar Transistor, 54A I(C), 600V V(BR)CES, N-Channel, TO-220AB
IGBT, TO-220; DC Collector Current: 54A; Collector Emitter Saturation Voltage Vce(on): 2.7V; Power Dissipation Pd: 167W; Collector Emitter Voltage V(br)ceo: 600V; Transistor Case Style: TO-220AB; No. of Pins: 3Pins; Operating
The HGTP12N60A4D combines the best features of high input impedance of a MOSFET and the low on-state conduction loss of a bipolar transistor. This IGBT is ideal for many high voltage switching applications operating at high frequencies where low conduction losses are essential. This device has been optimized for fast switching applications, such as UPS and welder.
Alias du fabricant
onsemi possède plusieurs marques à travers le monde que les distributeurs peuvent utiliser comme noms alternatifs. onsemi peut également être connu sous les noms suivants :
- ON Semiconductor
- ONS
- ONSEMICON
- ON SEM
- ON SEMICONDUCTO
- ON SEMICONDUCTORS
- ONSEMIC
- ON Semicondu
- OSC
- ONSE
- ON SEMICOND
- ON Semiconductor / Fairchild
- SCG
- ON Semiconductor Cor
- ON SEMICO
- ONSM
- ON SEMICONDUCTOR CORP
- onsemi / Fairchild
- MOT/ON SEMI
- Fairchild/ONSemiconductor
- ON Semiconductor Corporation
- ON4
- ON Semi - ON Semiconductor
- ON SEMICONDUCT
- ON-SEMI SCG
- ON Semiconductor Inc.
- onsemiconductor
- On Semiconductor Ltd
Historique des stocks
Tendance sur 3 mois : -0.94%
Modèles CAO
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Pièces de rechange
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Spécifications techniques
Physical
Case/PackageTO-220-3
MountThrough Hole
Number of Pins3
Number of Terminals3
Weight1.8 g
Technical
Collector Emitter Breakdown Voltage600 V
Collector Emitter Saturation Voltage2.7 V
Collector Emitter Voltage (VCEO)600 V
Continuous Collector Current54 A
Current Rating54 A
Element ConfigurationSingle
Fall Time95 ns
Max Collector Current54 A
Max Junction Temperature (Tj)150 °C
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation167 W
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Elements1
Power Dissipation167 W
Reverse Recovery Time18 ns
Rise Time8 ns
Schedule B8541290080
Turn-Off Delay Time96 ns
Turn-On Delay Time17 ns
Voltage Rating (DC)600 V
Dimensions
Height20.4 mm
Length10.67 mm
Width4.83 mm
Fiches techniques et documents
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Conformité
Classification environnementale
China RoHSNon-Compliant
Lead FreeLead Free
Radiation HardeningNo
REACH SVHCYes
RoHSCompliant
Déclarations de conformité