onsemi HGTG18N120BND

Trans IGBT Chip N-CH 1200V 54A 390000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Rail
Obsolete
Page du fabricantFiche technique

Prix et stock

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DistributorSKUMinPkg
element14 APACHGTG18N120BND01
16h
FarnellHGTG18N120BND01
2h
Microchip USAHGTG18N120BND10620Tray
19h
Win SourceWS-HGTG18N120BND1 9003
3h
Worldway ElectronicsHGTG18N120BND15 0967Tube
2h

Fiches techniques et documents

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onsemi

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Upverter

IHS

Fairchild Semiconductor

element14 APAC

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Chaîne d'approvisionnement

Country of OriginMainland China
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Harmonized Tariff Schedule (HTS) Code8541.29.00.95
Introduction Date1999-01-01
Lifecycle StatusObsolete (Last Updated: 3 days ago)
LTB Date2022-01-07
LTD Date2022-07-07
Manufacturer Lifecycle StatusOBSOLETE (Last Updated: 3 days ago)

Pièces détachées

onsemiHGTG11N120CND
Trans IGBT Chip N-CH 1200V 43A 298000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube / IGBT 1200V 43A 298W TO247
Détails
STMicroelectronicsSTGW30NC120HD
N-Channel 1200 V 30 A Very Fast PowerMESH IGBT - TO-247
Détails
onsemiNGTB25N120SWG
Igbt Single Transistor, 50 A, 2 V, 385 W, 1.2 Kv, To-247, 3 Rohs Compliant: Yes
Détails
onsemiNGTB30N120FL2WG
Trans IGBT Chip N-CH 1.2KV 60A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
Détails
InfineonIHW20N120R5XKSA1
Compliant Through Hole Lead Free TO-247 Halogen Free Production (Last Updated: 2 years ago) 240
Détails
InfineonIHW20N120R3FKSA1
Trans IGBT Chip N-CH 1200V 40A 310000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
Détails

Descriptions

Descriptions de onsemi HGTG18N120BND fournies par ses distributeurs.

Trans IGBT Chip N-CH 1200V 54A 390000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Rail
Verical
HGTG18N120BND Series 1200 V 54 A Flange Mount NPT N-Channel IGBT-TO-247
Future Electronics
IGBT, N, TO-247; Transistor Type:IGBT; DC Collector Current:54A; Collector Emitter Voltage Vces:2.7V; Power Dissipation Pd:390W; Collector Emitter Voltage V(br)ceo:1.2kV; Transistor Case Style:TO-247; No. of Pins:3; SVHC:No SVHC (20-Jun-2011); Alternate Case Style:SOT-249; Current Ic @ Vce Sat:18A; Current Ic Continuous a Max:54A; Device Marking:HGTG18N120BND; Fall Time Max:140ns; Fall Time Typ:90ns; Package / Case:TO-247; Power Dissipation Max:390W; Power Dissipation Pd:390W; Power Dissipation Pd:390W; Pulsed Current Icm:160A; Rise Time:22ns; Termination Type:Through Hole; Transistor Polarity:N Channel; Voltage Vces:1.2kV
element14 APAC
HGTG18N120BND is based on Non- Punch Through(NPT) IGBT designs. The IGBT is ideal for many high voltage switching applications operating at moderate frequencies where low conduction losses are essential, such as UPS, solar inverter, motor control and power supplies.
Fairchild Semiconductor

Images

DKO Electronshik
Farnell
Augswan
Newark
Newark
element14 APAC
TME
RS
iiiC
UTSource
Future Electronics

Alias du fabricant

onsemi possède plusieurs marques à travers le monde que les distributeurs peuvent utiliser comme noms alternatifs. onsemi peut également être connu sous les noms suivants :

  • ON Semiconductor
  • ONS
  • ONSEMICON
  • ON SEM
  • ON SEMICONDUCTO
  • ON SEMICONDUCTORS
  • ONSEMIC
  • ON Semicondu
  • OSC
  • ONSE
  • ON SEMICOND
  • ON Semiconductor / Fairchild
  • SCG
  • ON Semiconductor Cor
  • ON SEMICO
  • ONSM
  • ON SEMICONDUCTOR CORP
  • onsemi / Fairchild
  • MOT/ON SEMI
  • Fairchild/ONSemiconductor
  • ON Semiconductor Corporation
  • ON4
  • ON Semi - ON Semiconductor
  • ON SEMICONDUCT
  • ON-SEMI SCG
  • ON Semiconductor Inc.
  • onsemiconductor
  • On Semiconductor Ltd

Alias de numéro de pièce

Ce composant peut être référencé sous ces autres numéros :

  • HGTG18N120BND.