onsemi NGTB25N120SWG
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Chaîne d'approvisionnement
Country of OriginVietnam
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date2014-11-25
Lifecycle StatusObsolete (Last Updated: 5 days ago)
LTB Date2019-04-18
LTD Date2019-10-18
Manufacturer Lifecycle StatusOBSOLETE (Last Updated: 5 days ago)
Pièces détachées
InfineonIKW25T120FKSA1
Trans IGBT Chip N-CH 1200V 50A 190000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube / IGBT 1200V 50A 190W TO247-3
onsemiNGTB20N120IHWG
IGBT 20A 1200V TO-247 / IGBT Trench Field Stop 1200 V 40 A 341 W Through Hole TO-247-3
onsemiHGTG11N120CND
Trans IGBT Chip N-CH 1200V 43A 298000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube / IGBT 1200V 43A 298W TO247
InfineonIKW25N120H3FKSA1
Trans IGBT Chip N-CH 1200V 50A 326000mW Automotive 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
Descriptions
Descriptions de onsemi NGTB25N120SWG fournies par ses distributeurs.
Igbt Single Transistor, 50 A, 2 V, 385 W, 1.2 Kv, To-247, 3 Rohs Compliant: Yes
Trans IGBT Chip N-CH 1200V 50A 385000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
Insulated Gate Bipolar Transistor, 50A I(C), 1200V V(BR)CES, N-Channel, TO-247
IGBT, SINGLE, 1.2KV, 50A, TO-247-3
IGBT, SINGLE, 1.2KV, 50A, TO-247-3; DC Collector Current: 50A; Collector Emitter Saturation Voltage Vce(on): 2V; Power Dissipation Pd: 385W; Collector Emitter Voltage V(br)ceo: 1.2kV; Transistor Case Style: TO-247; No. of Pin
Alias du fabricant
onsemi possède plusieurs marques à travers le monde que les distributeurs peuvent utiliser comme noms alternatifs. onsemi peut également être connu sous les noms suivants :
- ON Semiconductor
- ONS
- ONSEMICON
- ON SEM
- ON SEMICONDUCTO
- ON SEMICONDUCTORS
- ONSEMIC
- ON Semicondu
- OSC
- ONSE
- ON SEMICOND
- ON Semiconductor / Fairchild
- SCG
- ON Semiconductor Cor
- ON SEMICO
- ONSM
- ON SEMICONDUCTOR CORP
- onsemi / Fairchild
- MOT/ON SEMI
- Fairchild/ONSemiconductor
- ON Semiconductor Corporation
- ON4
- ON Semi - ON Semiconductor
- ON SEMICONDUCT
- ON-SEMI SCG
- ON Semiconductor Inc.
- onsemiconductor
- On Semiconductor Ltd
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Spécifications techniques
Physical
Case/PackageTO-247
Contact PlatingTin
MountThrough Hole
Number of Pins3
Number of Terminals3
Technical
Collector Emitter Breakdown Voltage1.2 kV
Collector Emitter Saturation Voltage2.4 V
Collector Emitter Voltage (VCEO)1.2 kV
Element ConfigurationSingle
Max Collector Current50 A
Max Operating Temperature175 °C
Max Power Dissipation385 W
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Elements1
Reverse Recovery Time154 ns
Schedule B8541290080
Dimensions
Height21.4 mm
Length16.25 mm
Width5.3 mm
Fiches techniques et documents
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Conformité
Classification environnementale
China RoHSCompliant
Lead FreeLead Free
REACH SVHCYes
RoHSCompliant
Déclarations de conformité