onsemi FQU2N60CTU

Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 1.9A; 4.7ohm; 2.5W; -55+150 deg.C; THT; IPAK
$ 0.427
EOL
Page du fabricantFiche technique

Prix et stock

Fiches techniques et documents

Téléchargez les fiches techniques et la documentation du fabricant pour onsemi FQU2N60CTU.

Upverter

Datasheet9 pagesIl y a 3 ans
Technical Drawing1 pageIl y a 6 ans

IHS

Newark

onsemi

Components Direct

Historique des stocks

Tendance sur 3 mois:
+0.00%

Modèles CAO

Téléchargez les symboles onsemi FQU2N60CTU, les empreintes et les modèles STEP 3D de nos partenaires de confiance.

SOURCEECADMCADFICHIERS
EE Concierge
SymboleEmpreinte
Le site partenaire s’ouvrira dans un nouvel onglet lorsque vous téléchargez ses modèles de CAO.
En téléchargeant des modèles de CAO depuis Octopart, vous acceptez nos conditions générales d’utilisation et notre politique de confidentialité.

Chaîne d'approvisionnement

Country of OriginMainland China
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Harmonized Tariff Schedule (HTS) Code8541.29.00.95
Introduction Date2004-07-27
Lifecycle StatusEOL (Last Updated: 4 days ago)
LTB Date2022-12-30
LTD Date2023-06-30
Manufacturer Lifecycle StatusLAST SHIPMENTS (Last Updated: 4 days ago)

Pièces détachées

STMicroelectronicsSTU2LN60K3
N-channel 600 V, 4 Ohm typ., 2 A, SuperMESH3(TM) Power MOSFET in IPAK package
onsemiFQU3N60TU
MOSFET N-CH 600V 2.4A IPAK
onsemiFQU2N60TU
Power Field-Effect Transistor, 2A I(D), 600V, 4.7ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-251
STMicroelectronicsSTD3NK60Z-1
Transistor MOSFET N-CH 600V 2.4A 3-Pin (3+Tab) IPAK Tube
STMicroelectronicsSTD3NK50Z-1
STMICROELECTRONICS STD3NK50Z-1 MOSFET Transistor, N Channel, 1.15 A, 500 V, 2.8 ohm, 10 V, 3.75 V
MOSFET N-CH 500V 1.6A IPAK

Descriptions

Descriptions de onsemi FQU2N60CTU fournies par ses distributeurs.

Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 1.9A; 4.7ohm; 2.5W; -55+150 deg.C; THT; IPAK
Power MOSFET, N-Channel, QFET®, 600 V, 1.9 A, 4.7 Ω, IPAK
Trans MOSFET N-CH 600V 1.9A 3-Pin(3+Tab) IPAK Tube
600V 1.9A 2.5W 4.7´Î@10V950mA 4V@250Ã×A N Channel TO-251-3 MOSFETs ROHS
MOSFETs 600V N-Channel Adv Q-FET C-Series
Power Field-Effect Transistor, 1.9A I(D), 600V, 4.7ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET
MOSFET N-Channel 600V 1.9A IPAK
RS APAC
MOSFET, N-CH, 600V, 1.9A, 150DEG C, 44W;
2.5W(Ta),44W(Tc) 30V 4V@ 250¦ÌA 12nC@ 10 V 1N 600V 4.7¦¸@ 950mA,10V 1.9A 235pF@25V TO-251 6.8mm*2.5mm*6.3mm
POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 1
This N-Channel enhancement mode power MOSFET is produced using Fairchild Semiconductor’s proprietary planar stripe and DMOS technology. This advanced MOSFET technology has been especially tailored to reduce on-state resistance, and to provide superior switching performance and high avalanche energy strength. These devices are suitable for switched mode power supplies, active power factor correction (PFC), and electronic lamp ballasts.

Alias du fabricant

onsemi possède plusieurs marques à travers le monde que les distributeurs peuvent utiliser comme noms alternatifs. onsemi peut également être connu sous les noms suivants :

  • ON Semiconductor
  • ONS
  • ONSEMICON
  • ON SEM
  • ON SEMICONDUCTO
  • ON SEMICONDUCTORS
  • ONSEMIC
  • ON Semicondu
  • OSC
  • ONSE
  • ON SEMICOND
  • ON Semiconductor / Fairchild
  • SCG
  • ON Semiconductor Cor
  • ON SEMICO
  • ONSM
  • ON SEMICONDUCTOR CORP
  • onsemi / Fairchild
  • MOT/ON SEMI
  • Fairchild/ONSemiconductor
  • ON Semiconductor Corporation
  • ON4
  • ON Semi - ON Semiconductor
  • ON SEMICONDUCT
  • ON-SEMI SCG
  • ON Semiconductor Inc.
  • onsemiconductor
  • On Semiconductor Ltd

Alias de numéro de pièce

Ce composant peut être référencé sous ces autres numéros :

  • FQU2N60CTU.