STMicroelectronics STU2LN60K3
$ 0.51
Production
Prix et stock
Distributeurs agréés
Distributeurs de solutions de stockage non agréés
Revendeurs non agréés
| Distributor | SKU | Min | Pkg | |||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| DigiKey | 497-13393-5-ND | 100 | 1 | Tube | ||||||||
| Avnet | STU2LN60K3 | 0 | 3K | 14h | ||||||||
| Mouser | 511-STU2LN60K3 | 5 273 | 1 | Tube | ||||||||
| Microchip USA | STU2LN60K3 | 163 | 600 | Tray | 5h | |||||||
| Win Source | WS-STU2LN60K3 | 20 000 | 75 | 13h |
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Pièces détachées
onsemiFQU2N60CTU
Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 1.9A; 4.7ohm; 2.5W; -55+150 deg.C; THT; IPAK
STMicroelectronicsSTD3NK50Z-1
STMICROELECTRONICS STD3NK50Z-1 MOSFET Transistor, N Channel, 1.15 A, 500 V, 2.8 ohm, 10 V, 3.75 V
STMicroelectronicsSTD2HNK60Z-1
N-channel 600 V, 4.4 Ohm, 2 A Zener-protected SuperMESH(TM) Power MOSFET in IPAK package
Descriptions
Descriptions de STMicroelectronics STU2LN60K3 fournies par ses distributeurs.
N-channel 600 V, 4 Ohm typ., 2 A, SuperMESH3(TM) Power MOSFET in IPAK package
Trans MOSFET N-CH 600V 2A 3-Pin(3+Tab) IPAK Tube
N-channel 600 V, 4typ., 2 A SuperMESH3 Power MOSFET in DPAK, TO-220FP and IPAK packages | MOSFET N CH 600V 2A IPAK
Power Field-Effect Transistor, 2A I(D), 600V, 4.5ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-251
Alias du fabricant
STMicroelectronics possède plusieurs marques à travers le monde que les distributeurs peuvent utiliser comme noms alternatifs. STMicroelectronics peut également être connu sous les noms suivants :
- ST MICRO
- STM
- SGS
- SGS THOMSON
- INMOS
- STMICROE
- STMICROEL
- STMICR
- ST MIC
- ST MICROELECTRONIC
- SGS THOMPSON
- SESCOSEM
- STMICROELECT
- ST8
- STMICROELECTRON
- WAFERSCALE
- SGS-ATES
- ST MICROELECTRONICS SEMI
- ST/SGS
- ST MICROELECTRO
- SGST
- THOMS
- STMICROELE
- WAFERSCALE INTEGRATION INC
- SGS-Thomson Microelectronics
- ST Microeletronics
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Spécifications techniques
Physical
Case/PackageTO-251-3
MountThrough Hole
Number of Pins3
Number of Terminals3
Technical
Continuous Drain Current (ID)2 A
Drain to Source Resistance4.5 Ω
Drain to Source Voltage (Vdss)600 V
Element ConfigurationSingle
Fall Time21 ns
Gate to Source Voltage (Vgs)30 V
Input Capacitance235 pF
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation45 W
Min Breakdown Voltage600 V
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Elements1
Rds On Max4.5 Ω
Rise Time8.5 ns
Turn-Off Delay Time23.5 ns
Turn-On Delay Time10 ns
Fiches techniques et documents
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Conformité
Classification environnementale
China RoHSCompliant
Lead FreeLead Free
Radiation HardeningNo
REACH SVHCYes
RoHSCompliant