onsemi FQU13N06LTU
EOL
Prix et stock
Distributeurs agréés
Distributeurs de solutions de stockage non agréés
Revendeurs non agréés
| Distributor | SKU | Min | Pkg | |||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| Avnet | FQU13N06LTU | 9 850 | 2381 | 5d | ||||||||
| Flip Electronics | FQU13N06LTU | 9 850 | 6d | |||||||||
| element14 APAC | FQU13N06LTU | 0 | 1 | 1d | ||||||||
| Farnell | FQU13N06LTU | 0 | 1 | 14h | ||||||||
| Win Source | WS-FQU13N06LTU | 1 665 | 185 | 15h |
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Pièces de rechange
1 composant disponible
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| SOURCE | ECAD | MCAD | FICHIERS |
|---|---|---|---|
 Component Search Engine | SymboleEmpreinte | 3D | Télécharger |
 EE Concierge | SymboleEmpreinte | ||
 Ultra Librarian | SymboleEmpreinte | Télécharger |
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Pièces de rechange
Ce composant
Pièces de rechange
Price @ 1000
$ 0.495
Stock
265,282
214,226
Authorized Distributors
4
6
Mount
Through Hole
Through Hole
Case/Package
TO-251-3
TO-251-3
Drain to Source Voltage (Vdss)
60 V
60 V
Continuous Drain Current (ID)
11 A
11 A
Threshold Voltage
2.5 V
-
Rds On Max
115 mΩ
115 mΩ
Gate to Source Voltage (Vgs)
20 V
20 V
Power Dissipation
2.5 W
2.5 W
Input Capacitance
350 pF
350 pF
Chaîne d'approvisionnement
Country of OriginMainland China
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Harmonized Tariff Schedule (HTS) Code8541.29.00.95
Introduction Date2000-07-05
Lifecycle StatusEOL (Last Updated: 2 days ago)
LTB Date2022-12-30
LTD Date2023-06-30
Manufacturer Lifecycle StatusLAST SHIPMENTS (Last Updated: 2 days ago)
Pièces détachées
STMicroelectronicsSTD12NF06L-1
N-channel 60 V, 0.08 Ohm typ., 12 A STripFET II Power MOSFET in a IPAK package
onsemiHUF76407D3
11A, 60V, 0.107 Ohm, N-Channel, Logic Level UltraFET Power MOSFET | MOSFET N-CH 60V 12A IPAK
Descriptions
Descriptions de onsemi FQU13N06LTU fournies par ses distributeurs.
Power MOSFET, N-Channel, Logic Level, QFET®, 60 V, 11 A, 115 mΩ, IPAK
MOSFET Transistor, N Channel, 11 A, 60 V, 0.092 ohm, 10 V, 2.5 V
Power Field-Effect Transistor, 11A I(D), 60V, 0.145ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-251
MOSFET, N CH, 60V, 11A, TO-251AA-3; Transistor Polarity: N Channel; Continuous Drain Current Id: 11A; Drain Source Voltage Vds: 60V; On Resistance Rds(on): 0.092ohm; Available until stocks are exhausted Alternative available
This N-Channel enhancement mode power MOSFET is produced using Fairchild Semiconductor’s proprietary planar stripe and DMOS technology. This advanced MOSFET technology has been especially tailored to reduce on-state resistance, and to provide superior switching performance and high avalanche energy strength. These devices are suitable for switched mode power supplies, audio amplifier, DC motor control, and variable switching power applications.
Alias du fabricant
onsemi possède plusieurs marques à travers le monde que les distributeurs peuvent utiliser comme noms alternatifs. onsemi peut également être connu sous les noms suivants :
- ON Semiconductor
- ONS
- ONSEMICON
- ON SEM
- ON SEMICONDUCTO
- ON SEMICONDUCTORS
- ONSEMIC
- ON Semicondu
- OSC
- ONSE
- ON SEMICOND
- ON Semiconductor / Fairchild
- SCG
- ON Semiconductor Cor
- ON SEMICO
- ONSM
- ON SEMICONDUCTOR CORP
- onsemi / Fairchild
- MOT/ON SEMI
- Fairchild/ONSemiconductor
- ON Semiconductor Corporation
- ON4
- ON Semi - ON Semiconductor
- ON SEMICONDUCT
- ON-SEMI SCG
- ON Semiconductor Inc.
- onsemiconductor
- On Semiconductor Ltd
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Spécifications techniques
Physical
Case/PackageTO-251-3
MountThrough Hole
Number of Pins3
Number of Terminals3
Weight343.08 mg
Technical
Continuous Drain Current (ID)11 A
Current Rating11 A
Drain to Source Breakdown Voltage60 V
Drain to Source Resistance145 mΩ
Drain to Source Voltage (Vdss)60 V
Element ConfigurationSingle
Fall Time40 ns
Gate to Source Voltage (Vgs)20 V
Input Capacitance350 pF
Max Junction Temperature (Tj)150 °C
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation28 W
Min Breakdown Voltage60 V
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Channels1
Number of Elements1
Power Dissipation2.5 W
Rds On Max115 mΩ
Rise Time90 ns
Schedule B8541290080
Threshold Voltage2.5 V
Turn-Off Delay Time20 ns
Turn-On Delay Time8 ns
Voltage Rating (DC)60 V
Dimensions
Height8.58 mm
Length6.6 mm
Width2.3 mm
Fiches techniques et documents
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Conformité
Classification environnementale
China RoHSNon-Compliant
Lead FreeLead Free
Radiation HardeningNo
REACH SVHCNo
RoHSCompliant
Déclarations de conformité