onsemi FQT1N60CTF-WS
$ 0.33
EOL
Prix et stock
Distributeurs agréés
Distributeurs de solutions de stockage non agréés
Revendeurs non agréés
| Distributor | SKU | Min | Pkg | |||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| Newark | FQT1N60CTF-WS | 0 | 1 | Cut Tape | ||||||||
| Avnet | FQT1N60CTF-WS | 0 | 4K | 7h | ||||||||
| element14 APAC | FQT1N60CTF-WS | 0 | 1 | Cut Tape | 18h | |||||||
| Farnell | FQT1N60CTF-WS | 0 | 1 | Cut Tape | 1d | |||||||
| Component Stockers USA | FQT1N60CTF-WS | 5 590 | 19h |
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Chaîne d'approvisionnement
Country of OriginSouth Korea
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date2008-10-20
Lifecycle StatusEOL (Last Updated: 3 days ago)
Manufacturer Lifecycle StatusLAST SHIPMENTS (Last Updated: 3 days ago)
Pièces détachées
InfineonBSP125 L6327
MOSFET, N-CH, 600V, 120MA, SOT-223; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Dr
Descriptions
Descriptions de onsemi FQT1N60CTF-WS fournies par ses distributeurs.
Power MOSFET, N-Channel, QFET®, 600 V, 0.2 A, 11.5 Ω, SOT-223
Trans MOSFET N-CH 600V 0.2A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
MOSFET, N-CH, 600V, 0.2A, SOT-223-3; Transistor Polarity: N Channel; Continuous Drain Current Id: 200mA; Drain Source Voltage Vds: 600V; On Resistance Rds(on): 9.3ohm; Rds(on) Test Voltage Vgs: 10V; Threshold Voltage Vgs: 4V; Power Dissipation Pd: 2.1W; Transistor Case Style: SOT-223; No. of Pins: 3Pins; Operating Temperature Max: 150°C; Product Range: -; Automotive Qualification Standard: -; MSL: MSL 1 - Unlimited; SVHC: Lead (27-Jun-2018)
This N-Channel enhancement mode power MOSFET is produced using Fairchild Semiconductor’s proprietary planar stripe and DMOS technology. This advanced MOSFET technology has been especially tailored to reduce on-state resistance, and to provide superior switching performance and high avalanche energy strength. These devices are suitable for switched mode power supplies, active power factor correction (PFC), and electronic lamp ballasts.
Alias du fabricant
onsemi possède plusieurs marques à travers le monde que les distributeurs peuvent utiliser comme noms alternatifs. onsemi peut également être connu sous les noms suivants :
- ON Semiconductor
- ONS
- ONSEMICON
- ON SEM
- ON SEMICONDUCTO
- ON SEMICONDUCTORS
- ONSEMIC
- ON Semicondu
- OSC
- ONSE
- ON SEMICOND
- ON Semiconductor / Fairchild
- SCG
- ON Semiconductor Cor
- ON SEMICO
- ONSM
- ON SEMICONDUCTOR CORP
- onsemi / Fairchild
- MOT/ON SEMI
- Fairchild/ONSemiconductor
- ON Semiconductor Corporation
- ON4
- ON Semi - ON Semiconductor
- ON SEMICONDUCT
- ON-SEMI SCG
- ON Semiconductor Inc.
- onsemiconductor
- On Semiconductor Ltd
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Spécifications techniques
Physical
Case/PackageSOT-223-4
Contact PlatingTin
MountSurface Mount
Number of Pins3
Number of Terminals4
Weight188 mg
Technical
Continuous Drain Current (ID)200 mA
Drain to Source Breakdown Voltage600 V
Drain to Source Resistance11.5 Ω
Drain to Source Voltage (Vdss)600 V
Element ConfigurationSingle
Fall Time27 ns
Gate to Source Voltage (Vgs)30 V
Input Capacitance170 pF
Max Junction Temperature (Tj)150 °C
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation2.1 W
Min Breakdown Voltage600 V
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Channels1
Number of Elements1
Power Dissipation2.1 W
Rds On Max11.5 Ω
Resistance11.5 Ω
Rise Time21 ns
Schedule B8541290080
Threshold Voltage4 V
Turn-Off Delay Time13 ns
Turn-On Delay Time7 ns
Dimensions
Height1.91 mm
Conformité
Classification environnementale
China RoHSNon-Compliant
Lead FreeLead Free
REACH SVHCNo
RoHSCompliant
Déclarations de conformité