onsemi FQPF8N90C
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Stock
164,661
57,670
Authorized Distributors
4
2
Mount
Through Hole
Through Hole
Case/Package
TO-220-3
SC
Drain to Source Voltage (Vdss)
900 V
900 V
Continuous Drain Current (ID)
6.3 A
4.5 A
Threshold Voltage
-
-
Rds On Max
1.9 Ω
1.9 Ω
Gate to Source Voltage (Vgs)
30 V
30 V
Power Dissipation
60 W
96 W
Input Capacitance
2.08 nF
1.88 nF
Chaîne d'approvisionnement
Country of OriginMainland China
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Harmonized Tariff Schedule (HTS) Code8541.29.00.95
Introduction Date2003-12-03
Lifecycle StatusObsolete (Last Updated: 5 days ago)
LTB Date2022-06-23
LTD Date2022-12-23
Manufacturer Lifecycle StatusOBSOLETE (Last Updated: 5 days ago)
Pièces détachées
onsemiFQPF9N90CT
MOSFET, N CH, 900V, 1.12OHM, 8A, TO-220F-3; Transistor Polarity:N Channel; Conti
STMicroelectronicsSTP6NK90ZFP
N-channel 900 V, 1.56 Ohm, 5.8 A TO-220FP Zener-protected SuperMESH(TM) Power MOSFET
Descriptions
Descriptions de onsemi FQPF8N90C fournies par ses distributeurs.
Power MOSFET, N-Channel, QFET®, 900 V, 6.3 A, 1.9 Ω, TO-220F
Trans MOSFET N-CH 900V 6.3A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
Mosfet, N-Ch, 900V, 6.3A, 150Deg C, 60W Rohs Compliant: Yes |Onsemi FQPF8N90C
Power Field-Effect Transistor, 6.3A I(D), 900V, 1.9ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB
This N-Channel enhancement mode power MOSFET is produced using Fairchild Semiconductor’s proprietary planar stripe and DMOS technology. This advanced MOSFET technology has been especially tailored to reduce on-state resistance, and to provide superior switching performance and high avalanche energy strength. These devices are suitable for switched mode power supplies, active power factor correction (PFC), and electronic lamp ballasts.
Alias du fabricant
onsemi possède plusieurs marques à travers le monde que les distributeurs peuvent utiliser comme noms alternatifs. onsemi peut également être connu sous les noms suivants :
- ON Semiconductor
- ONS
- ONSEMICON
- ON SEM
- ON SEMICONDUCTO
- ON SEMICONDUCTORS
- ONSEMIC
- ON Semicondu
- OSC
- ONSE
- ON SEMICOND
- ON Semiconductor / Fairchild
- SCG
- ON Semiconductor Cor
- ON SEMICO
- ONSM
- ON SEMICONDUCTOR CORP
- onsemi / Fairchild
- MOT/ON SEMI
- Fairchild/ONSemiconductor
- ON Semiconductor Corporation
- ON4
- ON Semi - ON Semiconductor
- ON SEMICONDUCT
- ON-SEMI SCG
- ON Semiconductor Inc.
- onsemiconductor
- On Semiconductor Ltd
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Spécifications techniques
Physical
Case/PackageTO-220-3
MountThrough Hole
Number of Pins3
Number of Terminals3
Weight2.27 g
Technical
Continuous Drain Current (ID)6.3 A
Current Rating6.3 A
Drain to Source Breakdown Voltage900 V
Drain to Source Resistance1.9 Ω
Drain to Source Voltage (Vdss)900 V
Element ConfigurationSingle
Fall Time70 ns
Gate to Source Voltage (Vgs)30 V
Input Capacitance2.08 nF
Max Junction Temperature (Tj)150 °C
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation60 W
Min Breakdown Voltage900 V
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Channels1
Number of Elements1
Power Dissipation60 W
Rds On Max1.9 Ω
Rise Time110 ns
Turn-Off Delay Time70 ns
Turn-On Delay Time40 ns
Voltage Rating (DC)900 V
Dimensions
Height19.5 mm
Conformité
Classification environnementale
China RoHSNon-Compliant
Lead FreeLead Free
Radiation HardeningNo
REACH SVHCNo
RoHSCompliant
Déclarations de conformité