onsemi FQP6N25

Name: onsemi FQP6N25
Brand: onsemi
SKU: FQP6N25

Mosfet N-ch 250V 5.5A TO-220

$ 0.329

Obsolete

Fiche technique

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Distributor	SKU		Min	Pkg
Rochester Electronics	FQP6N25	1 189					0,396	0,329	0,293	42m
Worldway Electronics	FQP6N25	27 247	7	Tube		0,103	0,100	0,094	0,094	27m
Fly-Wing Technology	FQP6N25	1 208			0,299	0,299	0,299	0,299	0,299	23h
Vigor Components	FQP6N25	1 189			0,310	0,310	0,310	0,310	0,310	17h
Klychip	FQP6N25	Contact	1		0,340	0,340	0,323	0,323	0,323	>1wk

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IHS

Datasheet8 pagesIl y a 25 ans

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Chaîne d'approvisionnement

Lifecycle StatusObsolete (Last Updated: 4 months ago)

Pièces détachées

VishayIRF620PBF

Single N-Channel 200 V 0.8 Ohms Flange Mount Power Mosfet - TO-220AB

Détails

onsemiFQP10N20C

N-Channel Power MOSFET, QFET®, 200 V, 9.5 A, 360 mΩ, TO-220

Détails

onsemiFQP9N30

Power MOSFET, N-Channel, QFET®, 300 V, 9 A, 450 mΩ, TO-220

Détails

onsemiFQP4N20L

Power MOSFET, N-Channel, Logic Level, QFET®, 200 V, 3.8 A, 1.35 Ω, TO-220

Détails

VishayIRF630PBF

MOSFET N-CH 200V 9A TO-220AB / Trans MOSFET N-CH 200V 9A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB

Détails

InfineonBUZ73A

5.5 A 200 V 0.6 ohm N-CHANNEL Si POWER MOSFET TO-220AB

Détails

Descriptions

Descriptions de onsemi FQP6N25 fournies par ses distributeurs.

MOSFET N-CH 250V 5.5A TO-220

DigiKey

Power Field-Effect Transistor, 5.5A I(D), 250V, 1ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB

IHS

N-CHANNEL POWER MOSFET

Fly-Wing Technology

MOSFETs 250V N-Channel QFET

Mouser

MISCELLANEOUS MOSFETS;

Farnell

Alias du fabricant

onsemi possède plusieurs marques à travers le monde que les distributeurs peuvent utiliser comme noms alternatifs. onsemi peut également être connu sous les noms suivants :

ON Semiconductor
ONS
ONSEMICON
ON SEM
ON SEMICONDUCTO
ON SEMICONDUCTORS
ONSEMIC
ON Semicondu
OSC
ONSE
ON SEMICOND
ON Semiconductor / Fairchild
SCG
ON Semiconductor Cor
ON SEMICO
ONSM
ON SEMICONDUCTOR CORP
onsemi / Fairchild
MOT/ON SEMI
Fairchild/ONSemiconductor
ON Semiconductor Corporation
ON4
ON Semi - ON Semiconductor
ON SEMICONDUCT
ON-SEMI SCG
ON Semiconductor Inc.
onsemiconductor
On Semiconductor Ltd

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Spécifications techniques

Physical

Case/PackageTO-220AB

MountThrough Hole

Number of Terminals3

Technical

Continuous Drain Current (ID)5.5 A

Current Rating5.5 A

Drain to Source Breakdown Voltage250 V

Drain to Source Resistance1 Ω

Drain to Source Voltage (Vdss)250 V

Element ConfigurationSingle

Fall Time30 ns

Gate to Source Voltage (Vgs)30 V

Input Capacitance300 pF

Max Operating Temperature150 °C

Max Power Dissipation63 W

Min Breakdown Voltage250 V

Min Operating Temperature-55 °C

Number of Elements1

Power Dissipation63 W

Rds On Max1 Ω

Rise Time65 ns

Turn-Off Delay Time7.5 ns

Voltage Rating (DC)250 V

Fiches techniques et documents

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IHS

Datasheet8 pagesIl y a 25 ans

Conformité

Classification environnementale

Lead FreeLead Free

RoHSCompliant

Déclarations de conformité

Reach Statement8 pagesIl y a 11 ans

Rohs Statement1 pageIl y a 12 ans

Rohs Statement1 pageIl y a 14 ans

Reach Statement2 pagesIl y a 13 ans