Vishay IRF644PBF

Name: Vishay IRF644PBF
Brand: Vishay
SKU: IRF644PBF

Single N-Channel 250 V 0.28 Ohms Flange Mount Power Mosfet - TO-220AB

$ 0.779

Production

Page du fabricant Fiche technique

Prix et stock

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Distributor		SKU		Min	Pkg
Newark		IRF644PBF	1 998	1		3,360	2,990	2,260	1,760	1,630
Arrow Electronics	3	IRF644PBF	2 305	1		0,528	0,513	0,507	0,507	0,507
Verical	5	IRF644PBF	2 304	12				0,507	0,507	0,507
Future Electronics		IRF644PBF	2 445	30	Tube			0,660	0,630	0,585
RS (Formerly Allied Electronics)		IRF644PBF	1 216	1	Bulk	1,350	1,350	1,350	1,350	1,350	6h

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IHS

Datasheet7 pagesIl y a 2 ans

Datasheet9 pagesIl y a 14 ans

element14 APAC

Newark

Farnell

Future Electronics

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Chaîne d'approvisionnement

Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99

Introduction Date1993-09-01

Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 4 months ago)

LTB Date2008-06-30

LTD Date2008-09-30

Pièces détachées

VishayIRF640PBF

Single N-Channel 200 V 0.18 Ohms Flange Mount Power Mosfet - TO-220-3

Détails

InfineonIRF640NPBF

MOSFET, Power;N-Ch;VDSS 200V;RDS(ON) 0.15Ohm;ID 18A;TO-220AB;PD 150W;VGS +/-20V

Détails

onsemiFQP16N25C

MOSFET N-CH 250V 15.6A TO-220

Détails

InfineonIRFB4020PBF

200V Single N-Channel Digital Audio HEXFET Power MOSFET in a TO-220AB package, TO220-3, RoHS

Détails

onsemiFQP16N25

N-Channel Power MOSFET, QFET®, 250 V, 16 A, 230 mΩ, TO-220

Détails

onsemiIRL640A

Power MOSFET, N-Channel, Logic Level, A-FET, 200 V, 18 A, 180 mΩ, TO-220

Détails

Descriptions

Descriptions de Vishay IRF644PBF fournies par ses distributeurs.

Single N-Channel 250 V 0.28 Ohms Flange Mount Power Mosfet - TO-220AB

Future Electronics

Power MOSFET, N Channel, 250 V, 14 A, 0.28 ohm, TO-220AB, Through Hole

Avnet

Power Field-Effect Transistor, 14A I(D), 250V, 0.28ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB

IHS

MOSFET, N, 250V, 14A, TO-220; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current Id:14A; Drain Source Voltage Vds:250V; On Resistance Rds(on):280mohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:10V; Threshold Voltage Vgs Typ:4V; Power Dissipation Pd:125W; Transistor Case Style:TO-220AB; No. of Pins:3; Current Id Max:14A; Current Temperature:25°C; Full Power Rating Temperature:25°C; Junction to Case Thermal Resistance A:1°C/W; Package / Case:TO-220AB; Power Dissipation Pd:125W; Power Dissipation Pd:125W; Pulse Current Idm:56A; Termination Type:Through Hole; Voltage Vds:250V; Voltage Vds Typ:250V; Voltage Vgs Max:20V; Voltage Vgs Rds on Measurement:10V

element14 APAC

Images

Alias du fabricant

Vishay possède plusieurs marques à travers le monde que les distributeurs peuvent utiliser comme noms alternatifs. Vishay peut également être connu sous les noms suivants :

VIS
VISH
VISHAY INTERTECHNOLOGY INC
Vishay Thin Film
Vishay Intertechnology
VISHA
Vishay Semiconductors
VISAHY
Vishay Intertech
VISHY
VISHAY INTERTECHNOLOGY ASIA PTE LTD
Vishay Intertechnologies
Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Vishay Semiconductor Opto Division
VSHAY
VISH/IR
VSHY
VSH
VISHAY INTERTECHNOLOGY ASIA PT
VISHAY ELECTRONIC
VISHAY AMERICAS INC
Vishay Semiconductor Diodes Division
VISHAY OPTO
Vishay Techno
VISHAY FOIL RESISTORS
Vishay Semiconductor
Vishay Sfernice
Vishay Siliconix
Vishay Dale
Vishay BCcomponents
Vishay Angstrohm
Vishay Draloric

Alias de numéro de pièce

Ce composant peut être référencé sous ces autres numéros :

IRF644PBF.

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Spécifications techniques

Physical

Case/PackageTO-220AB

Contact PlatingTin

MountThrough Hole

Number of Pins3

Number of Terminals3

Weight6.000006 g

Technical

Continuous Drain Current (ID)14 A

Current Rating14 A

Drain to Source Breakdown Voltage250 V

Drain to Source Resistance280 mΩ

Drain to Source Voltage (Vdss)250 V

Element ConfigurationSingle

Fall Time49 ns

Gate to Source Voltage (Vgs)20 V

Input Capacitance1.3 nF

Max Operating Temperature150 °C

Max Power Dissipation125 W

Min Breakdown Voltage250 V

Min Operating Temperature-55 °C

Nominal Vgs4 V

Number of Channels1

Number of Elements1

PackagingBulk

Power Dissipation125 W

Rds On Max280 mΩ

Recovery Time500 ns

Resistance280 mΩ

Rise Time24 ns

Schedule B8541290080

Threshold Voltage4 V

Turn-Off Delay Time53 ns

Turn-On Delay Time11 ns

Voltage Rating (DC)250 V

Dimensions

Height9.01 mm

Length10.41 mm

Width4.7 mm

Fiches techniques et documents

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IHS

Datasheet7 pagesIl y a 2 ans

Datasheet9 pagesIl y a 14 ans

element14 APAC

Newark

Farnell

Future Electronics

Conformité

Classification environnementale

Lead FreeLead Free

Radiation HardeningNo

REACH SVHCNo

RoHSCompliant

Déclarations de conformité

Rohs Statement5 pagesIl y a 14 ans