onsemi FQP50N06
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Chaîne d'approvisionnement
Country of OriginMainland China
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Harmonized Tariff Schedule (HTS) Code8541.29.00.95
Introduction Date1999-12-07
Lifecycle StatusEOL (Last Updated: 17 hours ago)
LTB Date2022-12-30
LTD Date2023-06-30
Manufacturer Lifecycle StatusLAST SHIPMENTS (Last Updated: 17 hours ago)
Pièces détachées
InfineonIRFZ44VPBF
MOSFET, Power;N-Ch;VDSS 60V;RDS(ON) 16.5 Milliohms;ID 55A;TO-220AB;PD 115W;-55de
InfineonIRFZ46NPBF
MOSFET, Power;N-Ch;VDSS 55V;RDS(ON) 16.5 Milliohms;ID 53A;TO-220AB;PD 107W;-55de
InfineonIRFZ44EPBF
MOSFET, Power;N-Ch;VDSS 60V;RDS(ON) 0.023Ohm;ID 48A;TO-220AB;PD 110W;VGS +/-20V
Descriptions
Descriptions de onsemi FQP50N06 fournies par ses distributeurs.
Power MOSFET, N-Channel, QFET®, 60 V, 50 A, 22 mΩ, TO-220
Transistor FQP50N06 MOSFET N-Channel 60 Volt 50 Amp TO-220
Trans MOSFET N-CH 60V 50A 3-Pin (3+Tab) TO-220AB Rail
N-Channel 60 V 0.022 Ohm Through Hole Mosfet - TO-220
60V N-CHANNEL MOSFET Power Field-Effect Transistor, 50A I(D), 60V, 0.022ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB
Mosfet, N, To-220; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current Id:50A; Drain Source Voltage Vds:60V; On Resistance Rds(On):0.022Ohm; Rds(On) Test Voltage Vgs:10V; Threshold Voltage Vgs:4V; Power Dissipation Pd:120W; Rohs Compliant: Yes |Onsemi FQP50N06...
These N-Channel enhancement mode power field effect transistors are produced using Fairchild’s proprietary, planar stripe, DMOS technology. This advanced technology has been especially tailored to minimize on-state resistance, provide superior switching performance, and withstand high energy pulse in the avalanche and commutation mode. These devices are well suited for low voltage applications such as automotive, DC/DC converters, and high efficiency switching for power management in portable and battery operated products.
Alias du fabricant
onsemi possède plusieurs marques à travers le monde que les distributeurs peuvent utiliser comme noms alternatifs. onsemi peut également être connu sous les noms suivants :
- ON Semiconductor
- ONS
- ONSEMICON
- ON SEM
- ON SEMICONDUCTO
- ON SEMICONDUCTORS
- ONSEMIC
- ON Semicondu
- OSC
- ONSE
- ON SEMICOND
- ON Semiconductor / Fairchild
- SCG
- ON Semiconductor Cor
- ON SEMICO
- ONSM
- ON SEMICONDUCTOR CORP
- onsemi / Fairchild
- MOT/ON SEMI
- Fairchild/ONSemiconductor
- ON Semiconductor Corporation
- ON4
- ON Semi - ON Semiconductor
- ON SEMICONDUCT
- ON-SEMI SCG
- ON Semiconductor Inc.
- onsemiconductor
- On Semiconductor Ltd
Modèles CAO
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Pièces de rechange
0 composant disponible
Spécifications techniques
Physical
Case/PackageTO-220-3
MountThrough Hole
Number of Pins3
Number of Terminals3
Weight1.8 g
Technical
Continuous Drain Current (ID)50 A
Current Rating50 A
Drain to Source Breakdown Voltage60 V
Drain to Source Resistance22 mΩ
Drain to Source Voltage (Vdss)60 V
Element ConfigurationSingle
Fall Time65 ns
Gate to Source Voltage (Vgs)25 V
Input Capacitance1.54 nF
Max Junction Temperature (Tj)175 °C
Max Operating Temperature175 °C
Max Power Dissipation120 W
Min Breakdown Voltage60 V
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Channels1
Number of Elements1
Power Dissipation120 W
Rds On Max22 mΩ
Resistance22 mΩ
Rise Time105 ns
Schedule B8541290080
Threshold Voltage4 V
Turn-Off Delay Time60 ns
Turn-On Delay Time15 ns
Voltage Rating (DC)60 V
Dimensions
Height20.4 mm
Length10.1 mm
Width4.7 mm
Fiches techniques et documents
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Conformité
Classification environnementale
Lead FreeLead Free
Radiation HardeningNo
REACH SVHCNo
RoHSCompliant
Déclarations de conformité