Infineon IRFZ44VPBF
$ 0.391
Obsolete
Prix et stock
Distributeurs agréés
Distributeurs de solutions de stockage non agréés
Revendeurs non agréés
Distributeur
SKU
Minimum
Emballage
Prix de gros
Historique des stocks
Tendance sur 3 mois : -79.12%
Modèles CAO
Télécharger le symbole, l’empreinte et le 3D STEP
Pièces de rechange
0 composant disponible
Modèles CAO
Téléchargez les symboles Infineon IRFZ44VPBF, les empreintes et les modèles STEP 3D de nos partenaires de confiance.
| SOURCE | ECAD | MCAD | FICHIERS |
|---|---|---|---|
 Component Search Engine | SymboleEmpreinte | 3D | Télécharger |
 EE Concierge | SymboleEmpreinte | ||
 SnapEDA | Empreinte | 3D | Télécharger |
Le site partenaire s’ouvrira dans un nouvel onglet lorsque vous téléchargez ses modèles de CAO.
En téléchargeant des modèles de CAO depuis Octopart, vous acceptez nos conditions générales d’utilisation et notre politique de confidentialité.
Chaîne d'approvisionnement
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date2000-08-17
Lifecycle StatusObsolete (Last Updated: 7 months ago)
LTB Date2012-12-28
LTD Date2013-06-28
Pièces détachées
InfineonIRFZ48NPBF
MOSFET, Power;N-Ch;VDSS 55V;RDS(ON) 14 Milliohms;ID 64A;TO-220AB;PD 130W;gFS 24S
InfineonIRFZ46NPBF
MOSFET, Power;N-Ch;VDSS 55V;RDS(ON) 16.5 Milliohms;ID 53A;TO-220AB;PD 107W;-55de
Descriptions
Descriptions de Infineon IRFZ44VPBF fournies par ses distributeurs.
MOSFET, Power;N-Ch;VDSS 60V;RDS(ON) 16.5 Milliohms;ID 55A;TO-220AB;PD 115W;-55de
Single N-Channel 60 V 16.5 mOhm 67 nC HEXFET® Power Mosfet - TO-220-3
60V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET in a TO-220AB package, TO220-3, RoHS
Infineon SCT
Trans MOSFET N-CH 60V 55A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
MOSFET Operating temperature: -55...175 °C Housing type: TO-220AB Polarity: N Power dissipation: 115 W
HEXFET POWER MOSFET Power Field-Effect Transistor, 55A I(D), 60V, 0.0165ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB
Benefits: RoHS Compliant; Low RDS(on); Industry-leading quality; Dynamic dv/dt Rating; Fast Switching; Fully Avalanche Rated; 175C Operating Temperature
N Channel Mosfet, 60V, 55A To-220Ab; Channel Type:N Channel; Drain Source Voltage Vds:60V; Continuous Drain Current Id:55A; Transistor Mounting:Through Hole; Rds(On) Test Voltage:10V; Gate Source Threshold Voltage Max:4V; Msl:- Rohs Compliant: Yes |Infineon Technologies IRFZ44VPBF
MOSFET, N, 60V, 55A, TO-220; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current Id:55A; Drain Source Voltage Vds:60V; On Resistance Rds(on):16.5mohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:10V; Threshold Voltage Vgs Typ:4V; Power Dissipation Pd:115W; Transistor Case Style:TO-220AB; No. of Pins:3; SVHC:No SVHC (20-Jun-2011); Current Id Max:55A; Junction to Case Thermal Resistance A:1.3°C/W; Package / Case:TO-220AB; Power Dissipation Pd:115W; Power Dissipation Pd:115W; Pulse Current Idm:220A; Termination Type:Through Hole; Voltage Vds Typ:60V; Voltage Vgs Max:4V; Voltage Vgs Rds on Measurement:10V; Voltage Vgs th Max:4V
Alias du fabricant
Infineon possède plusieurs marques à travers le monde que les distributeurs peuvent utiliser comme noms alternatifs. Infineon peut également être connu sous les noms suivants :
- Infineon Technologies
- INF
- INFINEO
- INFINE
- INFIN
- INFINION
- INFI
- INFENION
- SIM
- INFIEON
- INFINEON TECH
- INFINEN
- IFX
- INFIENON
- IR/INFINEON
- INFINEON/IR
- IFT
- INFINEON/SIEMENS
- LNFINEON
- INFN
- Infineon Tech ICs
- INFINEON TECHNOLOGIE
- NFINEON
- INFINEON/Infineon
- INFINEON TECHNOLOGIES (ASIA
Historique des stocks
Tendance sur 3 mois : -79.12%
Modèles CAO
Télécharger le symbole, l’empreinte et le 3D STEP
Pièces de rechange
0 composant disponible
Spécifications techniques
Physical
Case/PackageTO-220AB
MountThrough Hole
Number of Pins3
Number of Terminals3
Technical
Continuous Drain Current (ID)55 A
Current Rating55 A
Drain to Source Breakdown Voltage60 V
Drain to Source Resistance16.5 mΩ
Drain to Source Voltage (Vdss)60 V
Dual Supply Voltage60 V
Element ConfigurationSingle
Fall Time57 ns
Gate to Source Voltage (Vgs)20 V
Input Capacitance1.812 nF
Max Junction Temperature (Tj)175 °C
Max Operating Temperature175 °C
Max Power Dissipation115 W
Min Breakdown Voltage60 V
Min Operating Temperature-55 °C
Nominal Vgs4 V
Number of Channels1
Number of Elements1
On-State Resistance16.5 mΩ
Package Quantity1000
PackagingBulk
Power Dissipation115 W
Rds On Max16.5 mΩ
Recovery Time105 ns
Rise Time97 ns
Schedule B8541290080
TerminationThrough Hole
Threshold Voltage4 V
Turn-Off Delay Time40 ns
Turn-On Delay Time13 ns
Voltage Rating (DC)60 V
Dimensions
Height20.56 mm
Length10.668 mm
Width4.826 mm
Conformité
Classification environnementale
China RoHSNon-Compliant
Lead FreeLead Free
Radiation HardeningNo
REACH SVHCYes
RoHSCompliant
Déclarations de conformité