onsemi FQI7N80TU
Obsolete
Prix et stock
Distributeurs agréés
Distributeurs de solutions de stockage non agréés
Revendeurs non agréés
| Distributor | SKU | Min | Pkg | |||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| Flip Electronics | FQI7N80TU | 2 955 | 7d | |||||||||
| Avnet | FQI7N80TU | 0 | 455 | 20h | ||||||||
| Microchip USA | FQI7N80TU | 243 | 150 | Tube | 10h | |||||||
| Win Source | WS-FQI7N80TU | 11 400 | 100 | 19h | ||||||||
| Worldway Electronics | FQI7N80TU | 29 018 | 7 | Tube | 18h |
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Chaîne d'approvisionnement
Country of OriginMainland China
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Harmonized Tariff Schedule (HTS) Code8541.29.00.95
Introduction Date2000-07-12
Lifecycle StatusObsolete (Last Updated: 4 days ago)
Manufacturer Lifecycle StatusOBSOLETE (Last Updated: 4 days ago)
Pièces détachées
STMicroelectronicsSTFI7N80K5
N-channel 800 V, 0.95 Ohm typ., 6 A MDmesh K5 Power MOSFET in I2PAKFP package
STMicroelectronicsSTB6NK60Z-1
N-channel 600 V - 1 Ohm - 6 A - I2PAK Zener-Protected SuperMESH(TM) Power MOSFET
Descriptions
Descriptions de onsemi FQI7N80TU fournies par ses distributeurs.
N-Channel Power MOSFET, QFET®, 800 V, 6.6 A, 1.5 Ω, I2PAK
Transistor,mosfet,n-Channel,800V V(Br)Dss,6.6A I(D),to-262Aa Rohs Compliant: Yes |Onsemi FQI7N80TU
Power Field-Effect Transistor, 6.6A I(D), 800V, 1.5ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-262AA
This N-Channel enhancement mode power MOSFET is produced using Fairchild Semiconductor’s proprietary planar stripe and DMOS technology. This advanced MOSFET technology has been especially tailored to reduce on-state resistance, and to provide superior switching performance and high avalanche energy strength. These devices are suitable for switched mode power supplies, active power factor correction (PFC), and electronic lamp ballasts.
Alias du fabricant
onsemi possède plusieurs marques à travers le monde que les distributeurs peuvent utiliser comme noms alternatifs. onsemi peut également être connu sous les noms suivants :
- ON Semiconductor
- ONS
- ONSEMICON
- ON SEM
- ON SEMICONDUCTO
- ON SEMICONDUCTORS
- ONSEMIC
- ON Semicondu
- OSC
- ONSE
- ON SEMICOND
- ON Semiconductor / Fairchild
- SCG
- ON Semiconductor Cor
- ON SEMICO
- ONSM
- ON SEMICONDUCTOR CORP
- onsemi / Fairchild
- MOT/ON SEMI
- Fairchild/ONSemiconductor
- ON Semiconductor Corporation
- ON4
- ON Semi - ON Semiconductor
- ON SEMICONDUCT
- ON-SEMI SCG
- ON Semiconductor Inc.
- onsemiconductor
- On Semiconductor Ltd
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Spécifications techniques
Physical
Case/PackageTO-262
MountThrough Hole
Number of Terminals3
Weight2.084 g
Technical
Continuous Drain Current (ID)6.6 A
Current Rating6.6 A
Drain to Source Breakdown Voltage800 V
Drain to Source Resistance1.5 Ω
Drain to Source Voltage (Vdss)800 V
Element ConfigurationSingle
Fall Time55 ns
Gate to Source Voltage (Vgs)30 V
Input Capacitance1.85 nF
Max Junction Temperature (Tj)150 °C
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation167 W
Min Breakdown Voltage800 V
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Channels1
Number of Elements1
Power Dissipation3.13 W
Rds On Max1.5 Ω
Rise Time80 ns
Schedule B8541290080
Turn-Off Delay Time95 ns
Turn-On Delay Time35 ns
Voltage Rating (DC)800 V
Dimensions
Height15.01 mm
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Conformité
Classification environnementale
China RoHSNon-Compliant
Lead FreeLead Free
REACH SVHCNo
RoHSCompliant
Déclarations de conformité