onsemi FQI7N60TU
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Chaîne d'approvisionnement
Country of OriginMainland China
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Harmonized Tariff Schedule (HTS) Code8541.29.00.95
Introduction Date2000-06-26
Lifecycle StatusEOL (Last Updated: 4 days ago)
LTB Date2025-10-08
LTD Date2026-04-08
Manufacturer Lifecycle StatusLAST SHIPMENTS (Last Updated: 4 days ago)
Pièces détachées
onsemiFQI10N60CTU
Power Field-Effect Transistor, 9.5A I(D), 600V, 0.73ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET
VishayIRFSL9N60APBF
Single N-Channel 600 V 0.75 Ohms Through Hole Power Mosfet - I2PAK (TO-262)
Descriptions
Descriptions de onsemi FQI7N60TU fournies par ses distributeurs.
N-Channel Power MOSFET, QFET®, 600 V, 7.4 A, 1 Ω, I2PAK
Trans MOSFET N-CH 600V 7.4A 3-Pin(3+Tab) I2PAK Tube
Qf 600V 1.0Ohm I2Pak Rohs Compliant: Yes
Power Field-Effect Transistor, 7.4A I(D), 600V, 1ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-262AA
POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 7
3.13W(Ta),142W(Tc) 30V 5V@ 250¦ÌA 38nC@ 10V 1N 600V 1¦¸@ 3.7A,10V 7.4A 1.43pF@25V I2PAK,TO-262 10.29mm*4.83mm*7.88mm
This N-Channel enhancement mode power MOSFET is produced using Fairchild Semiconductor’s proprietary planar stripe and DMOS technology. This advanced MOSFET technology has been especially tailored to reduce on-state resistance, and to provide superior switching performance and high avalanche energy strength. These devices are suitable for switched mode power supplies, active power factor correction (PFC), and electronic lamp ballasts.
Alias du fabricant
onsemi possède plusieurs marques à travers le monde que les distributeurs peuvent utiliser comme noms alternatifs. onsemi peut également être connu sous les noms suivants :
- ON Semiconductor
- ONS
- ONSEMICON
- ON SEM
- ON SEMICONDUCTO
- ON SEMICONDUCTORS
- ONSEMIC
- ON Semicondu
- OSC
- ONSE
- ON SEMICOND
- ON Semiconductor / Fairchild
- SCG
- ON Semiconductor Cor
- ON SEMICO
- ONSM
- ON SEMICONDUCTOR CORP
- onsemi / Fairchild
- MOT/ON SEMI
- Fairchild/ONSemiconductor
- ON Semiconductor Corporation
- ON4
- ON Semi - ON Semiconductor
- ON SEMICONDUCT
- ON-SEMI SCG
- ON Semiconductor Inc.
- onsemiconductor
- On Semiconductor Ltd
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Spécifications techniques
Physical
Case/PackageTO-262-3
MountThrough Hole
Number of Terminals3
Weight2.084 g
Technical
Continuous Drain Current (ID)7.4 A
Current Rating7.4 A
Drain to Source Breakdown Voltage600 V
Drain to Source Resistance1 Ω
Drain to Source Voltage (Vdss)600 V
Element ConfigurationSingle
Fall Time60 ns
Gate to Source Voltage (Vgs)30 V
Input Capacitance1.43 nF
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation3.13 W
Min Breakdown Voltage600 V
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Elements1
Power Dissipation3.13 W
Rds On Max1 Ω
Rise Time80 ns
Schedule B8541290080
Turn-Off Delay Time65 ns
Turn-On Delay Time30 ns
Voltage Rating (DC)600 V
Conformité
Classification environnementale
China RoHSNon-Compliant
Lead FreeLead Free
REACH SVHCNo
RoHSCompliant
Déclarations de conformité