Prix et stock
Distributeurs agréés
Distributeurs de solutions de stockage non agréés
Revendeurs non agréés
| Distributor | SKU | Min | Pkg | |||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| DigiKey | IRF840LCLPBF-ND | 1 965 | 1 | Tube | ||||||||
| TME | IRF840LCLPBF | 0 | 1 | 1d | ||||||||
| TTI | IRF840LCLPBF | 0 | 1K | Tube | 3d | |||||||
| Avnet | IRF840LCLPBF | 0 | 1K | 15h | ||||||||
| TTI Europe | IRF840LCLPBF | 0 | 1K | Tube | 3d |
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| SOURCE | ECAD | MCAD | FICHIERS |
|---|---|---|---|
 Component Search Engine | SymboleEmpreinte | 3D | Télécharger |
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Chaîne d'approvisionnement
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date2000-01-05
Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 4 months ago)
Pièces détachées
onsemiFQI9N50CTU
Power Field-Effect Transistor, 9A I(D), 500V, 0.8ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET
STMicroelectronicsSTB10NK60Z-1
N-channel 600 V, 0.65 Ohm typ., 10 A Zener-protected SuperMESH Power MOSFET in D2PAK package
STMicroelectronicsSTFI10N62K3
N-channel 620 V, 0.68 Ohm typ., 8.4 A SuperMESH3(TM) Power MOSFET in I2PAKFP package
onsemiFQI10N60CTU
Power Field-Effect Transistor, 9.5A I(D), 600V, 0.73ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET
Descriptions
Descriptions de Vishay IRF840LCLPBF fournies par ses distributeurs.
MOSFET N-Chan 500V 8.0 Amp
Power Field-Effect Transistor, 8A I(D), 500V, 0.85ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-262AA
3.1W(Ta),125W(Tc) 30V 4V@ 250¦ÌA 39nC@ 10 V 1N 500V 850m¦¸@ 4.8A,10V 8A 1.1nF@25V I2PAK 10.67mm*4.83mm*9.65mm
NCHAN, SMD-220, 500V IRF840LCLPBF
Alias du fabricant
Vishay possède plusieurs marques à travers le monde que les distributeurs peuvent utiliser comme noms alternatifs. Vishay peut également être connu sous les noms suivants :
- VIS
- VISH
- VISHAY INTERTECHNOLOGY INC
- Vishay Thin Film
- Vishay Intertechnology
- VISHA
- Vishay Semiconductors
- VISAHY
- Vishay Intertech
- VISHY
- VISHAY INTERTECHNOLOGY ASIA PTE LTD
- Vishay Intertechnologies
- Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- Vishay Semiconductor Opto Division
- VSHAY
- VISH/IR
- VSHY
- VSH
- VISHAY INTERTECHNOLOGY ASIA PT
- VISHAY ELECTRONIC
- VISHAY AMERICAS INC
- Vishay Semiconductor Diodes Division
- VISHAY OPTO
- Vishay Techno
- VISHAY FOIL RESISTORS
- Vishay Semiconductor
- Vishay Sfernice
- Vishay Siliconix
- Vishay Dale
- Vishay BCcomponents
- Vishay Angstrohm
- Vishay Draloric
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Spécifications techniques
Physical
Case/PackageTO-262-3
MountThrough Hole
Number of Terminals3
Weight2.387001 g
Technical
Continuous Drain Current (ID)8 A
Drain to Source Resistance850 mΩ
Drain to Source Voltage (Vdss)500 V
Element ConfigurationSingle
Fall Time19 ns
Gate to Source Voltage (Vgs)30 V
Input Capacitance1.1 nF
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation125 W
Min Breakdown Voltage500 V
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Channels1
Number of Elements1
PackagingBulk
Power Dissipation3.1 W
Rds On Max850 mΩ
Rise Time25 ns
Turn-Off Delay Time27 ns
Turn-On Delay Time12 ns
Dimensions
Height9.65 mm
Length10.41 mm
Width4.7 mm
Conformité
Classification environnementale
Lead FreeLead Free
Radiation HardeningNo
REACH SVHCYes
RoHSCompliant
Déclarations de conformité