onsemi FQD2N90TM

N-channel Power Mosfet, Qfet®, 900 V, 1.7 A, 7.2 Ω, Dpak
$ 0.717
Production
Page du fabricantFiche technique

Prix et stock

Voir tous les prix
DistributorSKUMinPkg
AvnetFQD2N90TM7 5002500
10h
Newark
2
FQD2N90TM4 1531Cut Tape
Arrow ElectronicsFQD2N90TM2 2871
Verical
2
FQD2N90TM2 240400
Rochester ElectronicsFQD2N90TM2 240
8h

Fiches techniques et documents

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Technical Drawing1 pageIl y a 3 ans

IHS

Master Electronics

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Fairchild Semiconductor

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Pièces de rechange

Ce composant
Pièces de rechange
onsemiFQD2N90TM
onsemiFQD2N90TF
Price @ 1000
$ 0.717
$ 0.581
Stock
566,881
89,535
Authorized Distributors
6
1
Mount
Surface Mount
Surface Mount
Case/Package
DPAK
TO-252-3
Drain to Source Voltage (Vdss)
900 V
900 V
Continuous Drain Current (ID)
1.7 A
1.7 A
Threshold Voltage
-
-
Rds On Max
7.2 Ω
7.2 Ω
Gate to Source Voltage (Vgs)
30 V
30 V
Power Dissipation
2.5 W
2.5 W
Input Capacitance
500 pF
500 pF

Chaîne d'approvisionnement

Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 5 years ago)
Manufacturer Lifecycle StatusACTIVE (Last Updated: 5 years ago)

Pièces détachées

onsemiFQD2N80TM
N-Channel QFET® MOSFET 800V, 1.8A, 6.3Ω
Détails
STMicroelectronicsSTD2NK90ZT4
N-CHANNEL 900V - 5.5 Ohm - 2.1A - TO-220 ZENER-PROTECTED SUPERMESH MOSFET
Détails
onsemiFQD2N100TM
N-Channel Power MOSFET, QFET®, 1000 V, 1.6 A, 9 Ω, DPAK
Détails
onsemiFQD1N80TM
N-Channel Power MOSFET, QFET®, 800 V, 1.0 A, 20 Ω, DPAK
Détails
STMicroelectronicsSTD3NK90ZT4
N-channel 900 V, 4.1 Ohm typ., 3 A Zener-protected SuperMESH(TM) Power MOSFET in DPAK package
Détails
STMicroelectronicsSTD4NK80ZT4
N-CHANNEL 800V - 3 OHM - 3A DPAK Zener-Protected SuperMESH(TM) Power MOSFET
Détails

Descriptions

Descriptions de onsemi FQD2N90TM fournies par ses distributeurs.

N-Channel Power MOSFET, QFET®, 900 V, 1.7 A, 7.2 Ω, DPAK
onsemi
TRANSISTOR,MOSFET,N-CHANNEL,900V V(BR)DSS,1.7A I(D),TO-252AA
Newark
Power Field-Effect Transistor, 1.7A I(D), 900V, 7.2ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-252
IHS
MOSFET, N-CH, 900V, 1.7A, TO-252; Transistor Polarity: N Channel; Continuous Drain Current Id: 1.7A; Drain Source Voltage Vds: 900V; On Resistance Rds(on): 5.6ohm; Rds(on) Test Voltage Vgs: 10V; Threshold Voltage Vgs: 5V; Powe
Farnell
This N-Channel enhancement mode power MOSFET is produced using Fairchild Semiconductor’s proprietary planar stripe and DMOS technology. This advanced MOSFET technology has been especially tailored to reduce on-state resistance, and to provide superior switching performance and high avalanche energy strength. These devices are suitable for switched mode power supplies, active power factor correction (PFC), and electronic lamp ballasts.
Fairchild Semiconductor

Images

Farnell
Conrad
Future Electronics

Alias du fabricant

onsemi possède plusieurs marques à travers le monde que les distributeurs peuvent utiliser comme noms alternatifs. onsemi peut également être connu sous les noms suivants :

  • ON Semiconductor
  • ONS
  • ONSEMICON
  • ON SEM
  • ON SEMICONDUCTO
  • ON SEMICONDUCTORS
  • ONSEMIC
  • ON Semicondu
  • OSC
  • ONSE
  • ON SEMICOND
  • ON Semiconductor / Fairchild
  • SCG
  • ON Semiconductor Cor
  • ON SEMICO
  • ONSM
  • ON SEMICONDUCTOR CORP
  • onsemi / Fairchild
  • MOT/ON SEMI
  • Fairchild/ONSemiconductor
  • ON Semiconductor Corporation
  • ON4
  • ON Semi - ON Semiconductor
  • ON SEMICONDUCT
  • ON-SEMI SCG
  • ON Semiconductor Inc.
  • onsemiconductor
  • On Semiconductor Ltd