onsemi FQD2N90TM

N-channel Power Mosfet, Qfet®, 900 V, 1.7 A, 7.2 Ω, Dpak
$ 0.793
Production
Fiche technique
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Prix et stock

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Distributeur
SKU
Minimum
Emballage
Prix de gros
Newark
3
FQD2N90TM
3 237
1
Cut Tape
USD
2,310
2,310
1,190
1,120
1,070
Rochester Electronics
FQD2N90TM
15 140
USD
0,788
0,654
0,583
21h
Verical
6
FQD2N90TM
2 500
2500
USD
0,607
Arrow Electronics
4
FQD2N90TM
2 200
1
USD
1,604
1,198
0,898
0,652
0,652
Mouser
512-FQD2N90TM
9 482
1
Tape & Reel
USD
2,470
1,570
1,060
0,770
0,683

Fiches techniques et documents

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IHS

Master Electronics

onsemi

Fairchild Semiconductor

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Pièces de rechange

Ce composant
Pièces de rechange
onsemiFQD2N90TM
onsemiFQD2N90TF
Price @ 1000
$ 0.793
$ 0.581
Stock
438,699
587,378
Authorized Distributors
6
1
Mount
Surface Mount
Surface Mount
Case/Package
DPAK
TO-252-3
Drain to Source Voltage (Vds)
900 V
900 V
Continuous Drain Current (ID)
1.7 A
1.7 A
Threshold Voltage
-
-
Rds On Max
7.2 Ω
7.2 Ω
Gate to Source Voltage (Vgs)
30 V
30 V
Power Dissipation
2.5 W
2.5 W
Input Capacitance
500 pF
500 pF

Chaîne d'approvisionnement

Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 5 days ago)
Manufacturer Lifecycle StatusACTIVE (Last Updated: 5 days ago)

Pièces détachées

onsemiFQD2N80TM
N-Channel QFET® MOSFET 800V, 1.8A, 6.3Ω
Détails
STMicroelectronicsSTD2NK90ZT4
N-CHANNEL 900V - 5.5 Ohm - 2.1A - TO-220 ZENER-PROTECTED SUPERMESH MOSFET
Détails
onsemiFQD2N100TM
N-Channel Power MOSFET, QFET®, 1000 V, 1.6 A, 9 Ω, DPAK
Détails
onsemiFQD1N80TM
N-Channel Power MOSFET, QFET®, 800 V, 1.0 A, 20 Ω, DPAK
Détails
STMicroelectronicsSTD3NK90ZT4
N-channel 900 V, 4.1 Ohm typ., 3 A Zener-protected SuperMESH(TM) Power MOSFET in DPAK package
Détails
STMicroelectronicsSTD4NK80ZT4
N-CHANNEL 800V - 3 OHM - 3A DPAK Zener-Protected SuperMESH(TM) Power MOSFET
Détails

Descriptions

Descriptions de onsemi FQD2N90TM fournies par ses distributeurs.

N-Channel Power MOSFET, QFET®, 900 V, 1.7 A, 7.2 Ω, DPAK
onsemi
TRANSISTOR,MOSFET,N-CHANNEL,900V V(BR)DSS,1.7A I(D),TO-252AA
Newark
Power Field-Effect Transistor, 1.7A I(D), 900V, 7.2ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-252
IHS
MOSFET, N-CH, 900V, 1.7A, TO-252; Transistor Polarity: N Channel; Continuous Drain Current Id: 1.7A; Drain Source Voltage Vds: 900V; On Resistance Rds(on): 5.6ohm; Rds(on) Test Voltage Vgs: 10V; Threshold Voltage Vgs: 5V; Powe
Farnell
This N-Channel enhancement mode power MOSFET is produced using Fairchild Semiconductor’s proprietary planar stripe and DMOS technology. This advanced MOSFET technology has been especially tailored to reduce on-state resistance, and to provide superior switching performance and high avalanche energy strength. These devices are suitable for switched mode power supplies, active power factor correction (PFC), and electronic lamp ballasts.
Fairchild Semiconductor

Images

Farnell
Conrad
Future Electronics

Alias du fabricant

onsemi possède plusieurs marques à travers le monde que les distributeurs peuvent utiliser comme noms alternatifs. onsemi peut également être connu sous les noms suivants :

  • ON Semiconductor
  • ONS
  • ONSEMICON
  • ON SEM
  • ON SEMICONDUCTO
  • ON SEMICONDUCTORS
  • ONSEMIC
  • ON Semicondu
  • OSC
  • ONSE
  • ON Semiconductor / Fairchild
  • ON SEMICOND
  • SCG
  • ON Semiconductor Cor
  • ON SEMICO
  • ONSM
  • onsemi / Fairchild
  • ON SEMICONDUCTOR CORP
  • MOT/ON SEMI
  • Fairchild/ONSemiconductor
  • ON Semiconductor Corporation
  • ON4
  • ON Semi - ON Semiconductor
  • ON SEMICONDUCT
  • ON-SEMI SCG
  • ON Semiconductor Inc.
  • onsemiconductor
  • On Semiconductor Ltd

Alias de numéro de pièce

Ce composant peut être référencé sous ces autres numéros :

  • #FQD2N90TM