STMicroelectronics STD2NK90ZT4

N-channel 900V - 5.5 Ohm - 2.1A - TO-220 Zener-protected Supermesh Mosfet
$ 0.849
Production
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DistributorSKUMinPkg
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2
STD2NK90ZT425 0002500
8h
Newark
2
STD2NK90ZT41 1801
VericalSTD2NK90ZT410 0002500
Arrow ElectronicsSTD2NK90ZT410 0002500
Future Electronics
2
STD2NK90ZT487 5002500Tape & Reel

Fiches techniques et documents

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Chaîne d'approvisionnement

Country of OriginMainland China
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date2004-10-05
Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 1 month ago)

Pièces détachées

STMicroelectronicsSTD3NK80ZT4
N-CHANNEL 800V - 3.8 Ohm - 2.5A DPAK Zener-Protected SuperMESH™ Power MOSFET
Détails
STMicroelectronicsSTD3NK90ZT4
N-channel 900 V, 4.1 Ohm typ., 3 A Zener-protected SuperMESH(TM) Power MOSFET in DPAK package
Détails
STMicroelectronicsSTD2NK100Z
N-channel 1000 V, 6.25 Ohm typ., 1.85 A, Zener-protected SuperMESH Power MOSFET in DPAK package
Détails
onsemiFQD2N90TM
N-Channel Power MOSFET, QFET®, 900 V, 1.7 A, 7.2 Ω, DPAK
Détails
onsemiFQD2N80TM
N-Channel QFET® MOSFET 800V, 1.8A, 6.3Ω
Détails
onsemiFQD2N100TM
N-Channel Power MOSFET, QFET®, 1000 V, 1.6 A, 9 Ω, DPAK
Détails

Descriptions

Descriptions de STMicroelectronics STD2NK90ZT4 fournies par ses distributeurs.

N-CHANNEL 900V - 5.5 Ohm - 2.1A - TO-220 ZENER-PROTECTED SUPERMESH MOSFET
STMicroelectronics
STD2NK90ZT4 N-channel MOSFET Transistor, 2.1 A, 900 V, 3-Pin DPAK
RS (Formerly Allied Electronics)
N-Channel 900 V 6.5 Ohm SMT Zener-Protect SuperMESH MosFet TO-252-3
Future Electronics
Trans MOSFET N-CH 900V 2.1A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R / MOSFET N-CH 900V 2.1A DPAK
Win Source
Power MOSFET, N Channel, 900 V, 2.1 A, 5 ohm, TO-252 (DPAK), Surface Mount
Avnet
N-channel 900 V, 5 Ohm typ., 2.1 A SuperMESH Power MOSFET in DPAK package
Ciiva
N-CHANNEL 900V-5 OHM-2.1A-DPAK ZENER-PROTECTED SUPER MESH MOSFET Power Field-Effect Transistor, 2.1A I(D), 900V, 6.5ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-252AA
ComSIT Distribution GmbH
MOSFET, N-CH, 900V, 2.1A, TO-252-3; Transistor Polarity: N Channel; Continuous Drain Current Id: 2.1A; Drain Source Voltage Vds: 900V; On Resistance Rds(on): 5ohm; Rds(on) Test Voltage Vgs: 10V; Threshold Voltage Vgs: 3.75V; P
Farnell
The SuperMESH(TM) series is obtained through an extreme optimization of ST's well established strip based PowerMESH(TM) layout. In addition to pushing on-resistance significantly down, special care is taken to ensure a very good dv/dt capability for the most demanding applications. Such series complements ST full range of high voltage MOSFETs including revolutionary MDmesh(TM) products.

Images

TME
Farnell
DKO Electronshik
RS (Formerly Allied Electronics)
Future Electronics
LZChips
iiiC

Alias du fabricant

STMicroelectronics possède plusieurs marques à travers le monde que les distributeurs peuvent utiliser comme noms alternatifs. STMicroelectronics peut également être connu sous les noms suivants :

  • ST MICRO
  • STM
  • SGS
  • SGS THOMSON
  • INMOS
  • STMICROE
  • STMICROEL
  • STMICR
  • ST MIC
  • ST MICROELECTRONIC
  • SGS THOMPSON
  • SESCOSEM
  • STMICROELECT
  • ST8
  • STMICROELECTRON
  • WAFERSCALE
  • SGS-ATES
  • ST MICROELECTRONICS SEMI
  • ST/SGS
  • ST MICROELECTRO
  • SGST
  • THOMS
  • STMICROELE
  • WAFERSCALE INTEGRATION INC
  • SGS-Thomson Microelectronics
  • ST Microeletronics