onsemi FQA9N90C-F109
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Obsolete
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Chaîne d'approvisionnement
Country of OriginMainland China
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date2003-03-10
Lifecycle StatusObsolete (Last Updated: 3 days ago)
Manufacturer Lifecycle StatusOBSOLETE (Last Updated: 3 days ago)
Pièces détachées
STMicroelectronicsSTP9NK70ZFP
N-Channel 700V - 1Ohm - 7.5A - TO-220FP Zener-Protected SuperMesh(TM) POWER MOSFET
Descriptions
Descriptions de onsemi FQA9N90C-F109 fournies par ses distributeurs.
N-Channel Power MOSFET, QFET®, 900 V, 9.0 A, 1.4 Ω, TO-3P
FQA9N90C Series 900 V 9 A 1.4 Ohm N-Channel QFET MOSFET - TO-3PN
Transistor Mosfets Rohs Compliant: Yes |Onsemi FQA9N90C-F109
Transistor MOSFET N 900V 1.4ohm 9A TO3 3
Trans MOSFET N-CH 900V 9A 3-Pin(3+Tab) TO-3P(N) Rail
900V 9A 1.4Ω@10V,4.5A 280W 5V@250uA N Channel TO-3P-3 MOSFETs ROHS
Power Field-Effect Transistor, 9A I(D), 900V, 1.4ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET
N-Channel 900 V 9A (Tc) 280W (Tc) Through Hole TO-3P
FQA9N90C-F109 - POWER MOSFET, N-
MOSFET, N-CH, 900V, 9A, TO-3PN-3; Transistor Polarity: N Channel; Continuous Drain Current Id: 9A; Drain Source Voltage Vds: 900V; On Resistance Rds(on): 1.12ohm; Rds(on) Test Voltage Vgs: 10V; Threshold Voltage Vgs: 5V; Power
Alias du fabricant
onsemi possède plusieurs marques à travers le monde que les distributeurs peuvent utiliser comme noms alternatifs. onsemi peut également être connu sous les noms suivants :
- ON Semiconductor
- ONS
- ONSEMICON
- ON SEM
- ON SEMICONDUCTO
- ON SEMICONDUCTORS
- ONSEMIC
- ON Semicondu
- OSC
- ONSE
- ON SEMICOND
- ON Semiconductor / Fairchild
- SCG
- ON Semiconductor Cor
- ON SEMICO
- ONSM
- ON SEMICONDUCTOR CORP
- onsemi / Fairchild
- MOT/ON SEMI
- Fairchild/ONSemiconductor
- ON Semiconductor Corporation
- ON4
- ON Semi - ON Semiconductor
- ON SEMICONDUCT
- ON-SEMI SCG
- ON Semiconductor Inc.
- onsemiconductor
- On Semiconductor Ltd
Historique des stocks
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Modèles CAO
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Pièces de rechange
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Spécifications techniques
Physical
Number of Terminals3
Technical
Continuous Drain Current (ID)9 A
Drain to Source Breakdown Voltage900 V
Drain to Source Resistance1.4 Ω
Drain to Source Voltage (Vdss)900 V
Gate to Source Voltage (Vgs)30 V
Max Junction Temperature (Tj)150 °C
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation280 W
Min Breakdown Voltage900 V
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Channels1
Number of Elements1
Power Dissipation280 W
Turn-Off Delay Time100 ns
Turn-On Delay Time50 ns
Dimensions
Height23.8 mm
Fiches techniques et documents
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Conformité
Classification environnementale
China RoHSNon-Compliant
REACH SVHCNo
RoHSCompliant
Déclarations de conformité