onsemi FQP9N90C
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Chaîne d'approvisionnement
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Harmonized Tariff Schedule (HTS) Code8541.29.00.95
Introduction Date2003-10-02
Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 5 years ago)
Manufacturer Lifecycle StatusACTIVE (Last Updated: 5 years ago)
Descriptions
Descriptions de onsemi FQP9N90C fournies par ses distributeurs.
Power MOSFET, N-Channel, QFET®, 900 V, 8.0 A, 1.4 Ω, TO-220
N-Channel 900 V 1.4 Ohm Flange Mount Mosfet - TO-220-3
Power Field-Effect Transistor, 8A I(D), 900V, 1.4ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB
MOSFET; Transistor Type:MOSFET; Transistor Polarity:N Channel; Drain Source Voltage, Vds:900V; Continuous Drain Current, Id:8A; On Resistance, Rds(on):1.4ohm; Rds(on) Test Voltage, Vgs:10V; Package/Case:TO-220 ;RoHS Compliant: Yes
This N-Channel enhancement mode power MOSFET is produced using Fairchild Semiconductor’s proprietary planar stripe and DMOS technology. This advanced MOSFET technology has been especially tailored to reduce on-state resistance, and to provide superior switching performance and high avalanche energy strength. These devices are suitable for switched mode power supplies, active power factor correction (PFC), and electronic lamp ballasts.
MOSFET, N, TO-220; Transistor Type:MOSFET; Transistor Polarity:N; Voltage, Vds Typ:900V; Current, Id Cont:8A; Resistance, Rds On:1.12ohm; Voltage, Vgs Rds on Measurement:10V; Voltage, Vgs th Typ:5V; Case Style:TO-220; Termination Type:Through Hole; Operating Temperature Range:-55°C to +150°C; Current, Idm Pulse:32A; External Length / Height:4.83mm; No. of Pins:3; Power Dissipation:205W; Power, Pd:205W; Resistance, Rds on Max:1.4ohm; Temperature, Current:25°C; Temperature, Full Power Rating:25°C; Transistors, No. of:1; Voltage, Vds Max:900V; Voltage, Vgs th Max:5V; Width, External:10.67mm
Alias du fabricant
onsemi possède plusieurs marques à travers le monde que les distributeurs peuvent utiliser comme noms alternatifs. onsemi peut également être connu sous les noms suivants :
- ON Semiconductor
- ONS
- ONSEMICON
- ON SEM
- ON SEMICONDUCTO
- ON SEMICONDUCTORS
- ONSEMIC
- ON Semicondu
- OSC
- ONSE
- ON SEMICOND
- ON Semiconductor / Fairchild
- SCG
- ON Semiconductor Cor
- ON SEMICO
- ONSM
- ON SEMICONDUCTOR CORP
- onsemi / Fairchild
- MOT/ON SEMI
- Fairchild/ONSemiconductor
- ON Semiconductor Corporation
- ON4
- ON Semi - ON Semiconductor
- ON SEMICONDUCT
- ON-SEMI SCG
- ON Semiconductor Inc.
- onsemiconductor
- On Semiconductor Ltd
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Spécifications techniques
Physical
Case/PackageTO-220AB
MountThrough Hole
Number of Pins3
Number of Terminals3
Weight1.8 g
Technical
Continuous Drain Current (ID)8 A
Current Rating8 A
Drain to Source Breakdown Voltage900 V
Drain to Source Resistance1.4 Ω
Drain to Source Voltage (Vdss)900 V
Dual Supply Voltage900 V
Element ConfigurationSingle
Fall Time75 ns
Gate to Source Voltage (Vgs)30 V
Input Capacitance2.73 nF
Max Junction Temperature (Tj)150 °C
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation205 W
Min Breakdown Voltage900 V
Min Operating Temperature-55 °C
Nominal Vgs5 V
Number of Channels1
Number of Elements1
PackagingCut Tape (CT)
Power Dissipation205 W
Rds On Max1.4 Ω
Resistance1.4 Ω
Rise Time120 ns
Schedule B8541290080
TerminationThrough Hole
Threshold Voltage5 V
Turn-Off Delay Time100 ns
Turn-On Delay Time50 ns
Voltage Rating (DC)900 V
Dimensions
Height20.4 mm
Length10.1 mm
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Conformité
Classification environnementale
China RoHSNon-Compliant
Lead FreeLead Free
Radiation HardeningNo
REACH SVHCNo
RoHSCompliant
Déclarations de conformité