onsemi FQA70N10

N-Channel Power MOSFET, QFET®, 100 V, 70 A, 23 mΩ, TO-3P
$ 1.51
Production
Page du fabricantFiche technique

Prix et stock

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DistributorSKUMinPkg
AvnetFQA70N1045030
1d
Newark
2
FQA70N1045030
Arrow Electronics
2
FQA70N101 9001
Verical
4
FQA70N1011 28030
Rochester ElectronicsFQA70N10746
2h

Fiches techniques et documents

Téléchargez les fiches techniques et la documentation du fabricant pour onsemi FQA70N10.

IHS

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onsemi

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Chaîne d'approvisionnement

Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Harmonized Tariff Schedule (HTS) Code8541.29.00.95
Introduction Date2000-10-19
Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 5 years ago)
Manufacturer Lifecycle StatusACTIVE (Last Updated: 5 years ago)

Pièces détachées

onsemiFQP70N10
Power MOSFET, N-Channel, QFET®, 100 V, 57 A, 23 mΩ, TO-220
Détails
InfineonIRF3710PBF
Transistor MOSFET N Channel 100 Volt 57 Amp 3-Pin 3+ Tab TO-220AB
Détails
InfineonIRF3710ZPBF
MOSFET, Power;N-Ch;VDSS 100V;RDS(ON) 14Milliohms;ID 59A;TO-220AB;PD 160W;-55deg
Détails
STMicroelectronicsSTP60NF10
Transistor MOSFET N-CH 100V 80A 3-Pin (3+Tab) TO-220 Tube
Détails
InfineonIRFP3710PBF
MOSFET, Power;N-Ch;VDSS 100V;RDS(ON) 0.025Ohm;ID 57A;TO-247AC;PD 200W;VGS +/-20V
Détails
onsemiFDP3651U
N-Channel 100 V 18 mOhm PowerTrench® Mosfet - TO-220AB
Détails

Descriptions

Descriptions de onsemi FQA70N10 fournies par ses distributeurs.

N-Channel Power MOSFET, QFET®, 100 V, 70 A, 23 mΩ, TO-3P
onsemi
N-Channel 100 V 0.023 Ohm Through Hole Mosfet - TO-3PN
Future Electronics
MOSFET, N, TO-3P; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current Id:70A; Drain Source Voltage Vds:100V; On Resistance Rds(on):23mohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:10V; Threshold Voltage Vgs Typ:4V; Power Dissipation Pd:214W; Operating Temperature Range:-55°C to +175°C; Transistor Case Style:TO-3P; No. of Pins:3; SVHC:No SVHC (20-Jun-2011); Current Id Max:70A; Junction Temperature Tj Max:150°C; Junction Temperature Tj Min:-55°C; Package / Case:TO-3P; Power Dissipation Pd:214W; Power Dissipation Pd:214W; Pulse Current Idm:280A; Termination Type:Through Hole; Voltage Vds Typ:100V; Voltage Vgs Max:25V; Voltage Vgs Rds on Measurement:10V
element14 APAC
This N-Channel enhancement mode power MOSFET is produced using Fairchild Semiconductor’s proprietary planar stripe and DMOS technology. This advanced MOSFET technology has been especially tailored to reduce on-state resistance, and to provide superior switching performance and high avalanche energy strength. These devices are suitable for switched mode power supplies, audio amplifier, DC motor control, and variable switching power applications.
Fairchild Semiconductor

Images

Augswan
TME
iiiC
Farnell
Rochester Electronics
UTSource
Conrad
Future Electronics

Alias du fabricant

onsemi possède plusieurs marques à travers le monde que les distributeurs peuvent utiliser comme noms alternatifs. onsemi peut également être connu sous les noms suivants :

  • ON Semiconductor
  • ONS
  • ONSEMICON
  • ON SEM
  • ON SEMICONDUCTO
  • ON SEMICONDUCTORS
  • ONSEMIC
  • ON Semicondu
  • OSC
  • ONSE
  • ON SEMICOND
  • ON Semiconductor / Fairchild
  • SCG
  • ON Semiconductor Cor
  • ON SEMICO
  • ONSM
  • ON SEMICONDUCTOR CORP
  • onsemi / Fairchild
  • MOT/ON SEMI
  • Fairchild/ONSemiconductor
  • ON Semiconductor Corporation
  • ON4
  • ON Semi - ON Semiconductor
  • ON SEMICONDUCT
  • ON-SEMI SCG
  • ON Semiconductor Inc.
  • onsemiconductor
  • On Semiconductor Ltd

Alias de numéro de pièce

Ce composant peut être référencé sous ces autres numéros :

  • FQA70N10.