onsemi FDP3651U

Name: onsemi FDP3651U
Brand: onsemi
SKU: FDP3651U

N-Channel 100 V 18 mOhm PowerTrench® Mosfet - TO-220AB

$ 1.05

Production

Page du fabricant Fiche technique

Prix et stock

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Distributor		SKU		Min	Pkg
Newark		FDP3651U	486	1		3,500	1,950	1,770	1,520	1,500
Verical	2	FDP3651U	379	7			0,895	0,895	0,895	0,895
Arrow Electronics		FDP3651U	379	1		0,895	0,895	0,895	0,895	0,895
Rochester Electronics		FDP3651U	770					1,300	1,080	0,962	1h
DigiKey		FDP3651U-ND	424	1	Tube	3,100	3,100	1,391	1,042	0,956

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IHS

Datasheet7 pagesIl y a 12 ans

Datasheet0 pageIl y a 0 an

Fairchild Semiconductor

element14 APAC

onsemi

Farnell

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Chaîne d'approvisionnement

Country of OriginMainland China

Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99

Introduction Date2006-07-03

Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 5 years ago)

Manufacturer Lifecycle StatusACTIVE (Last Updated: 5 years ago)

Pièces détachées

InfineonIRFB4710PBF

MOSFET, Power;N-Ch;VDSS 100V;RDS(ON) 0.011Ohm;ID 75A;TO-220AB;PD 200W;VGS +/-20V

Détails

InfineonIRF8010PBF

MOSFET, Power;N-Ch;VDSS 100V;RDS(ON) 12Milliohms;ID 80A;TO-220AB;PD 260W;-55deg

Détails

InfineonIRFB4410ZPBF

IRFB4410ZPBF N-channel MOSFET Transistor, 97 A, 100 V, 3-Pin TO-220AB

Détails

onsemiHUF75645P3

Transistor HUF75645P3 N-Channel MOSFET 100 Volt 75 Amp TO-220AB

Détails

onsemiFDP3652

Trans MOSFET N-CH 100V 9A Automotive 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube

Détails

onsemiFDP3632

Transistor MOSFET Negative Channel 100 Volt 12A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube

Détails

Descriptions

Descriptions de onsemi FDP3651U fournies par ses distributeurs.

N-Channel 100 V 18 mOhm PowerTrench® Mosfet - TO-220AB

Future Electronics

N-Channel PowerTrench® MOSFET 100V, 80A, 18mΩ

onsemi

Power Field-Effect Transistor, 80A I(D), 100V, 0.018ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB

IHS

MOSFET, N, TO-220; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current Id:80A; Drain Source Voltage Vds:100V; On Resistance Rds(on):18mohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:10V; Threshold Voltage Vgs Typ:4.5V; Power Dissipation Pd:255W; Transistor Case Style:TO-220; No. of Pins:3; SVHC:No SVHC (20-Jun-2011); Alternate Case Style:SOT-78B; Capacitance Ciss Typ:4152pF; Current Id Max:80A; Junction Temperature Tj Max:175°C; Junction Temperature Tj Min:-55°C; Junction to Case Thermal Resistance A:0.59°C/W; On State Resistance Max:18mohm; On State Resistance Typ:15mohm; Package / Case:TO-220; Pin Configuration:G(1),D(2)S(3); Power Dissipation Pd:255W; Power Dissipation Pd:255W; Pulse Current Idm:320A; Termination Type:Through Hole; Voltage Vds Typ:100V; Voltage Vgs Max:20V; Voltage Vgs Rds on Measurement:10V; Voltage Vgs th Max:5.5V; Voltage Vgs th Min:3.5V

element14 APAC

Images

Rochester Electronics

Alias du fabricant

onsemi possède plusieurs marques à travers le monde que les distributeurs peuvent utiliser comme noms alternatifs. onsemi peut également être connu sous les noms suivants :

ON Semiconductor
ONS
ONSEMICON
ON SEM
ON SEMICONDUCTO
ON SEMICONDUCTORS
ONSEMIC
ON Semicondu
OSC
ONSE
ON SEMICOND
ON Semiconductor / Fairchild
SCG
ON Semiconductor Cor
ON SEMICO
ONSM
ON SEMICONDUCTOR CORP
onsemi / Fairchild
MOT/ON SEMI
Fairchild/ONSemiconductor
ON Semiconductor Corporation
ON4
ON Semi - ON Semiconductor
ON SEMICONDUCT
ON-SEMI SCG
ON Semiconductor Inc.
onsemiconductor
On Semiconductor Ltd

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Spécifications techniques

Physical

Case/PackageTO-220AB

MountThrough Hole

Number of Pins3

Number of Terminals3

Weight1.8 g

Technical

Continuous Drain Current (ID)80 A

Current Rating80 A

Drain to Source Breakdown Voltage100 V

Drain to Source Resistance18 mΩ

Drain to Source Voltage (Vdss)100 V

Element ConfigurationSingle

Fall Time14 ns

Gate to Source Voltage (Vgs)20 V

Input Capacitance5.522 nF

Max Operating Temperature175 °C

Max Power Dissipation255 W

Min Breakdown Voltage100 V

Min Operating Temperature-55 °C

Number of Elements1

Power Dissipation255 W

Rds On Max18 mΩ

Resistance18 MΩ

Rise Time16 ns

Schedule B8541290080

Threshold Voltage4.5 V

Turn-Off Delay Time32 ns

Turn-On Delay Time15 ns

Voltage Rating (DC)100 V

Dimensions

Height9.4 mm

Length10.67 mm

Width4.83 mm

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Datasheet0 pageIl y a 0 an

Fairchild Semiconductor

element14 APAC

onsemi

Farnell

Conformité

Classification environnementale

China RoHSNon-Compliant

Lead FreeLead Free

Radiation HardeningNo

REACH SVHCNo

RoHSCompliant

Déclarations de conformité

Rohs Statement3 pagesIl y a 5 ans

Reach Statement3 pagesIl y a 12 ans

Materials Sheet3 pagesIl y a 12 ans

Reach Statement3 pagesIl y a 11 ans

Materials Sheet3 pagesIl y a 11 ans

Reach Statement8 pagesIl y a 11 ans

Rohs Statement1 pageIl y a 12 ans

Rohs Statement1 pageIl y a 14 ans

Reach Statement2 pagesIl y a 13 ans

Rohs StatementN/AN/A