onsemi FQA65N20

N-Channel Power MOSFET, QFET®, 200 V, 65 A, 32 mΩ, TO-3P
$ 3.229
EOL
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Prix et stock

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DistributorSKUMinPkg
Arrow ElectronicsFQA65N201 2001
Flip ElectronicsFQA65N203 905
7d
AvnetFQA65N200144
5d
Farnell
2
FQA65N20.01
23h
Microchip USAFQA65N2022650Bulk
7d

Fiches techniques et documents

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IHS

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onsemi

Fairchild Semiconductor

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Chaîne d'approvisionnement

Country of OriginMainland China
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Harmonized Tariff Schedule (HTS) Code8541.29.00.95
Introduction Date2000-06-02
Lifecycle StatusEOL (Last Updated: 3 days ago)
LTB Date2022-12-30
LTD Date2023-06-30
Manufacturer Lifecycle StatusLAST SHIPMENTS (Last Updated: 3 days ago)

Pièces détachées

InfineonIRFB4227PBF
MOSFET, Power;N-Ch;VDSS 200V;RDS(ON) 19.7 Milliohms;ID 65A;TO-220AB;PD 330W
Détails
InfineonIRFP4227PBF
MOSFET Operating temperature: -40...175 °C Housing type: TO-247 Power dissipation: 330 W
Détails
InfineonIRFSL4227PBF
IRFSL4227PBF N-channel MOSFET Transistor, 62 A, 200 V, 3-Pin TO-262
Détails
onsemiFQA55N25
N-Channel Power MOSFET, QFET®, 250 V, 55 A, 40 mΩ, TO-3P
Détails
onsemiFDA70N20
N-Channel Power MOSFET, UniFETTM, 200V, 70A, 35mΩ, TO-3P
Détails
onsemiFDP61N20
N-Channel Power MOSFET, UniFETTM, 200V, 61A, 41mΩ, TO-220
Détails

Descriptions

Descriptions de onsemi FQA65N20 fournies par ses distributeurs.

N-Channel Power MOSFET, QFET®, 200 V, 65 A, 32 mΩ, TO-3P
onsemi
MOSFET N-CH 200V 65A TO-3P / Trans MOSFET N-CH 200V 65A 3-Pin(3+Tab) TO-3P Tube
Win Source
N-Channel 200 V 32 mO 200 nC Flange Mount QFET Mosfet - TO-3PN
Future Electronics
MOSFET, N, TO-3P; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current Id:65A; Drain Source Voltage Vds:200V; On Resistance Rds(on):32mohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:10V; Threshold Voltage Vgs Typ:5V; Power Dissipation Pd:310W; Operating Temperature Range:-55°C to +150°C; Transistor Case Style:TO-3P; No. of Pins:3; SVHC:No SVHC (20-Jun-2011); Current Id Max:65A; Junction Temperature Tj Max:150°C; Junction Temperature Tj Min:-55°C; Package / Case:TO-3P; Power Dissipation Pd:310W; Power Dissipation Pd:310W; Pulse Current Idm:260A; Termination Type:Through Hole; Voltage Vds Typ:200V; Voltage Vgs Max:30V; Voltage Vgs Rds on Measurement:10V
element14 APAC
MOSFET, N, TO-3P; Transistor Type:MOSFET; Transistor Polarity:N; Voltage, Vds Typ:200V; Current, Id Cont:65A; Resistance, Rds On:0.032ohm; Voltage, Vgs Rds on Measurement:10V; Voltage, Vgs th Typ:5V; Case Style:TO-3P; Termination ;RoHS Compliant: Yes
Newark
This N-Channel enhancement mode power MOSFET is produced using Fairchild Semiconductor’s proprietary planar stripe and DMOS technology. This advanced MOSFET technology has been especially tailored to reduce on-state resistance, and to provide superior switching performance and high avalanche energy strength. These devices are suitable for switched mode power supplies, active power factor correction (PFC), and electronic lamp ballasts.
Fairchild Semiconductor

Images

RS
iiiC
element14 APAC
Rochester Electronics
UTSource
South Microelectronics
Future Electronics

Alias du fabricant

onsemi possède plusieurs marques à travers le monde que les distributeurs peuvent utiliser comme noms alternatifs. onsemi peut également être connu sous les noms suivants :

  • ON Semiconductor
  • ONS
  • ONSEMICON
  • ON SEM
  • ON SEMICONDUCTO
  • ON SEMICONDUCTORS
  • ONSEMIC
  • ON Semicondu
  • OSC
  • ONSE
  • ON SEMICOND
  • ON Semiconductor / Fairchild
  • SCG
  • ON Semiconductor Cor
  • ON SEMICO
  • ONSM
  • ON SEMICONDUCTOR CORP
  • onsemi / Fairchild
  • MOT/ON SEMI
  • Fairchild/ONSemiconductor
  • ON Semiconductor Corporation
  • ON4
  • ON Semi - ON Semiconductor
  • ON SEMICONDUCT
  • ON-SEMI SCG
  • ON Semiconductor Inc.
  • onsemiconductor
  • On Semiconductor Ltd

Alias de numéro de pièce

Ce composant peut être référencé sous ces autres numéros :

  • FQA65N20.