onsemi FQA55N25

N-Channel Power MOSFET, QFET®, 250 V, 55 A, 40 mΩ, TO-3P
$ 3.049
EOL
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DistributorSKUMinPkg
Verical
2
FQA55N2515195
Rochester ElectronicsFQA55N25277
23h
element14 APACFQA55N2501
1d
FarnellFQA55N2501
23h
Component Stockers USAFQA55N25440
>1wk

Fiches techniques et documents

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Farnell

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Chaîne d'approvisionnement

Country of OriginMainland China
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Harmonized Tariff Schedule (HTS) Code8541.29.00.95
Introduction Date2000-09-13
Lifecycle StatusEOL (Last Updated: 3 days ago)
LTB Date2022-12-30
LTD Date2023-06-30
Manufacturer Lifecycle StatusLAST SHIPMENTS (Last Updated: 3 days ago)

Pièces détachées

InfineonIRFP4332PBF
MOSFET Operating temperature: -40...175 °C Housing type: TO-247 Power dissipation: 360 W
Détails
InfineonIRFB4332PBF
IRFB4332PBF N-channel MOSFET Transistor, 60 A, 250 V, 3-Pin TO-220AB
Détails
onsemiFQA65N20
N-Channel Power MOSFET, QFET®, 200 V, 65 A, 32 mΩ, TO-3P
Détails
InfineonIRFP4229PBF
MOSFET Operating temperature: -40...+175 °C Housing type: TO-247 Power dissipation: 150 W
Détails
onsemiFQA62N25C
N-Channel Power MOSFET, QFET®, 250 V, 62 A, 35 mΩ, TO-3P
Détails
onsemiFDA59N25
N-Channel Power MOSFET, UniFETTM, 250V, 59A, 49mΩ, TO-3P
Détails

Descriptions

Descriptions de onsemi FQA55N25 fournies par ses distributeurs.

N-Channel Power MOSFET, QFET®, 250 V, 55 A, 40 mΩ, TO-3P
onsemi
Trans MOSFET N-CH 250V 55A 3-Pin(3+Tab) TO-3P Tube / MOSFET N-CH 250V 55A TO-3P
Win Source
MOSFET, N, TO-3P; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current Id:55A; Drain Source Voltage Vds:250V; On Resistance Rds(on):40mohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:10V; Threshold Voltage Vgs Typ:5V; Power Dissipation Pd:310W; Operating Temperature Range:-55°C to +150°C; Transistor Case Style:TO-3P; No. of Pins:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Current Id Max:55A; Junction Temperature Tj Max:150°C; Junction Temperature Tj Min:-55°C; Package / Case:TO-3P; Power Dissipation Pd:310W; Power Dissipation Pd:310W; Pulse Current Idm:220A; Termination Type:Through Hole; Voltage Vds Typ:250V; Voltage Vgs Max:30V; Voltage Vgs Rds on Measurement:10V
element14 APAC
This N-Channel enhancement mode power MOSFET is produced using Fairchild Semiconductor’s proprietary planar stripe and DMOS technology. This advanced MOSFET technology has been especially tailored to reduce on-state resistance, and to provide superior switching performance and high avalanche energy strength. These devices are suitable for switched mode power supplies, active power factor correction (PFC), and electronic lamp ballasts.
Fairchild Semiconductor

Images

iiiC
Farnell
UTSource
Future Electronics

Alias du fabricant

onsemi possède plusieurs marques à travers le monde que les distributeurs peuvent utiliser comme noms alternatifs. onsemi peut également être connu sous les noms suivants :

  • ON Semiconductor
  • ONS
  • ONSEMICON
  • ON SEM
  • ON SEMICONDUCTO
  • ON SEMICONDUCTORS
  • ONSEMIC
  • ON Semicondu
  • OSC
  • ONSE
  • ON SEMICOND
  • ON Semiconductor / Fairchild
  • SCG
  • ON Semiconductor Cor
  • ON SEMICO
  • ONSM
  • ON SEMICONDUCTOR CORP
  • onsemi / Fairchild
  • MOT/ON SEMI
  • Fairchild/ONSemiconductor
  • ON Semiconductor Corporation
  • ON4
  • ON Semi - ON Semiconductor
  • ON SEMICONDUCT
  • ON-SEMI SCG
  • ON Semiconductor Inc.
  • onsemiconductor
  • On Semiconductor Ltd

Alias de numéro de pièce

Ce composant peut être référencé sous ces autres numéros :

  • FQA55N25.