onsemi FDA59N25

Name: onsemi FDA59N25
Brand: onsemi
SKU: FDA59N25

N-Channel Power MOSFET, UniFETTM, 250V, 59A, 49mΩ, TO-3P

$ 1.81

Production

Page du fabricant Fiche technique

Prix et stock

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Distributor		SKU		Min	Pkg
Newark		FDA59N25	1 867	1		5,210	3,200	2,760	2,610	2,610
Arrow Electronics	3	FDA59N25	11	1		2,532	1,685	1,685	1,685	1,685
Verical	2	FDA59N25	10	4			1,853	1,743	1,632	1,632
DigiKey		FDA59N25-ND	182	1	Tube	4,810	4,810	2,683	1,869	1,739
Flip Electronics		FDA59N25	450								7d

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Chaîne d'approvisionnement

Country of OriginMainland China

Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99

Harmonized Tariff Schedule (HTS) Code8541.29.00.95

Introduction Date2005-10-05

Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 5 years ago)

Manufacturer Lifecycle StatusACTIVE (Last Updated: 5 years ago)

Pièces détachées

onsemiFDP61N20

N-Channel Power MOSFET, UniFETTM, 200V, 61A, 41mΩ, TO-220

Détails

InfineonIRFP4229PBF

MOSFET Operating temperature: -40...+175 °C Housing type: TO-247 Power dissipation: 150 W

Détails

InfineonIRFB4229PBF

IRFB4229PBF N-channel MOSFET Transistor, 46 A, 250 V, 3-Pin TO-220AB

Détails

onsemiFDA70N20

N-Channel Power MOSFET, UniFETTM, 200V, 70A, 35mΩ, TO-3P

Détails

onsemiFDP51N25

Transistor MOSFET N Channel 250 Volt 51.6 Amp 3 Pin 3+ Tab TO-220 Rail

Détails

InfineonIRFB38N20DPBF

MOSFET, Power;N-Ch;VDSS 200V;RDS(ON) 0.054Ohm;ID 43A;TO-220AB;PD 300W;VGS +/-30V

Détails

Descriptions

Descriptions de onsemi FDA59N25 fournies par ses distributeurs.

N-Channel Power MOSFET, UniFETTM, 250V, 59A, 49mΩ, TO-3P

onsemi

Single N-Channel 250 V 0.049 Ohm 82 nC 392 W Silicon Flange Mount Mosfet TO-3PN

Future Electronics

MOSFET, N, TO-3P; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current Id:59A; Drain Source Voltage Vds:250V; On Resistance Rds(on):49mohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:10V; Threshold Voltage Vgs Typ:5V; Power Dissipation Pd:392W; Operating Temperature Range:-55°C to +150°C; Transistor Case Style:TO-3P; No. of Pins:3; SVHC:No SVHC (20-Jun-2011); Current Id Max:59A; Package / Case:TO-3P; Power Dissipation Pd:392W; Power Dissipation Pd:392W; Pulse Current Idm:236A; Termination Type:Through Hole; Voltage Vds Typ:250V; Voltage Vgs Max:30V; Voltage Vgs Rds on Measurement:10V

element14 APAC

UniFETTM MOSFET is Fairchild Semiconductor’s high voltage MOSFET family based on planar stripe and DMOS technology. This MOSFET is tailored to reduce on-state resistance, and to provide better switching performance and higher avalanche energy strength. This device family is suitable for switching power converter applications such as power factor correction (PFC), flat panel display (FPD) TV power, ATX and electronic lamp ballasts.

Fairchild Semiconductor

Images

Alias du fabricant

onsemi possède plusieurs marques à travers le monde que les distributeurs peuvent utiliser comme noms alternatifs. onsemi peut également être connu sous les noms suivants :

ON Semiconductor
ONS
ONSEMICON
ON SEM
ON SEMICONDUCTO
ON SEMICONDUCTORS
ONSEMIC
ON Semicondu
OSC
ONSE
ON SEMICOND
ON Semiconductor / Fairchild
SCG
ON Semiconductor Cor
ON SEMICO
ONSM
ON SEMICONDUCTOR CORP
onsemi / Fairchild
MOT/ON SEMI
Fairchild/ONSemiconductor
ON Semiconductor Corporation
ON4
ON Semi - ON Semiconductor
ON SEMICONDUCT
ON-SEMI SCG
ON Semiconductor Inc.
onsemiconductor
On Semiconductor Ltd

Alias de numéro de pièce

Ce composant peut être référencé sous ces autres numéros :

FDA59N25.

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Spécifications techniques

Physical

Contact PlatingTin

MountThrough Hole

Number of Pins3

Number of Terminals3

Weight6.401 g

Technical

Continuous Drain Current (ID)59 A

Drain to Source Breakdown Voltage250 V

Drain to Source Resistance49 mΩ

Drain to Source Voltage (Vdss)250 V

Element ConfigurationSingle

Fall Time170 ns

Gate to Source Voltage (Vgs)30 V

Input Capacitance4.02 nF

Max Junction Temperature (Tj)150 °C

Max Operating Temperature150 °C

Max Power Dissipation392 W

Min Breakdown Voltage250 V

Min Operating Temperature-55 °C

Nominal Vgs5 V

Number of Channels1

Number of Elements1

Power Dissipation392 W

Rds On Max49 mΩ

Rise Time480 ns

Schedule B8541290080

Threshold Voltage5 V

Turn-Off Delay Time90 ns

Turn-On Delay Time70 ns

Dimensions

Height22.6 mm

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Upverter

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onsemi

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Conformité

Classification environnementale

China RoHSNon-Compliant

Radiation HardeningNo

REACH SVHCNo

RoHSCompliant

Déclarations de conformité

Rohs Statement3 pagesIl y a 5 ans

Reach Statement3 pagesIl y a 12 ans

Materials Sheet3 pagesIl y a 12 ans

Reach Statement3 pagesIl y a 11 ans

Materials Sheet3 pagesIl y a 11 ans

Reach Statement8 pagesIl y a 11 ans

Rohs Statement1 pageIl y a 13 ans

Rohs Statement1 pageIl y a 14 ans

Reach Statement2 pagesIl y a 13 ans

Rohs StatementN/AN/A