Vishay IRFPC50APBF
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Chaîne d'approvisionnement
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date1999-06-29
Lifecycle StatusObsolete (Last Updated: 4 months ago)
Pièces détachées
STMicroelectronicsSTW19NM60N
Automotive-grade N-channel 600 V, 0.26 Ohm, 13 A MDmesh(TM) II Power MOSFET in TO-247 package
STMicroelectronicsSTW18NM60ND
N-Channel 650 V 0.29 Ohm 130 W Flange Mount Power Mosfet - TO-247
Descriptions
Descriptions de Vishay IRFPC50APBF fournies par ses distributeurs.
Single N-Channel 600 V 0.58 Ohms Flange Mount Power Mosfet - TO-247AC
MOSFET, POWER, N-CH, VDSS 600V, RDS(ON) 0.58OHM, ID 11A, TO-247AC, PD 180W, VGS +/-30V
Trans MOSFET N-CH 600V 11A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC / MOSFET N-CH 600V 11A TO-247AC
POWER MOSFET Power Field-Effect Transistor, 11A I(D), 600V, 0.58ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-247AC
MOSFET; Transistor Type:MOSFET; Transistor Polarity:N Channel; Drain Source Voltage, Vds:600V; Continuous Drain Current, Id:11A; On Resistance, Rds(on):580mohm; Rds(on) Test Voltage, Vgs:10V; Package/Case:TO-247AC ;RoHS Compliant: Yes
Alias du fabricant
Vishay possède plusieurs marques à travers le monde que les distributeurs peuvent utiliser comme noms alternatifs. Vishay peut également être connu sous les noms suivants :
- VIS
- VISH
- VISHAY INTERTECHNOLOGY INC
- Vishay Thin Film
- Vishay Intertechnology
- VISHA
- Vishay Semiconductors
- VISAHY
- Vishay Intertech
- VISHY
- VISHAY INTERTECHNOLOGY ASIA PTE LTD
- Vishay Intertechnologies
- Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- Vishay Semiconductor Opto Division
- VSHAY
- VISH/IR
- VSHY
- VSH
- VISHAY INTERTECHNOLOGY ASIA PT
- VISHAY ELECTRONIC
- VISHAY AMERICAS INC
- Vishay Semiconductor Diodes Division
- VISHAY OPTO
- Vishay Techno
- VISHAY FOIL RESISTORS
- Vishay Semiconductor
- Vishay Sfernice
- Vishay Siliconix
- Vishay Dale
- Vishay BCcomponents
- Vishay Angstrohm
- Vishay Draloric
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Spécifications techniques
Physical
Case/PackageTO-247-3
MountThrough Hole
Number of Pins3
Number of Terminals3
Weight38.000013 g
Technical
Continuous Drain Current (ID)11 A
Current Rating11 A
Drain to Source Breakdown Voltage600 V
Drain to Source Resistance580 mΩ
Drain to Source Voltage (Vdss)600 V
Element ConfigurationSingle
Fall Time29 ns
Gate to Source Voltage (Vgs)30 V
Input Capacitance2.1 nF
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation180 W
Min Breakdown Voltage600 V
Min Operating Temperature-55 °C
Nominal Vgs4 V
Number of Channels1
Number of Elements1
PackagingBulk
Power Dissipation180 W
Rds On Max580 mΩ
Resistance580 mΩ
Rise Time40 ns
Schedule B8541290080
Threshold Voltage4 V
Turn-Off Delay Time33 ns
Turn-On Delay Time15 ns
Voltage Rating (DC)600 V
Dimensions
Height20.7 mm
Length15.87 mm
Width5.31 mm
Conformité
Classification environnementale
Lead FreeLead Free
Radiation HardeningNo
REACH SVHCYes
RoHSCompliant
Déclarations de conformité