onsemi FJPF13009H2TU
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Chaîne d'approvisionnement
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Harmonized Tariff Schedule (HTS) Code8541.29.00.95
Introduction Date2003-05-21
Lifecycle StatusEOL (Last Updated: 6 days ago)
Manufacturer Lifecycle StatusLAST SHIPMENTS (Last Updated: 6 days ago)
Pièces détachées
NXP SemiconductorsBUJ106A,127
Power Bipolar Transistor, 10A I(C), 400V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-220AB, Plastic/Epoxy, 3 Pin
Descriptions
Descriptions de onsemi FJPF13009H2TU fournies par ses distributeurs.
400V 50W 12A 6@8A5V 4MHz 3V@12A3A NPN +150¡Í@(Tj) TO-220F Bipolar Transistors - BJT ROHS
Power Bipolar Transistor, 12A I(C), 400V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-220AB, Plastic/Epoxy, 3 Pin
Trans GP BJT NPN 400V 12A 50000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
3V@ 3A,12A NPN 50W 9V 700V 400V 12A TO-220F-3 10.16mm*4.7mm*9.19mm
TRANSISTOR NPN 400V 12A TO-220F
The FJPF13009 is a 700 V 12 A NPN Silicon Epitaxial Planar Transistor. The FJPF13009 is available with multiple hFE bin classes for ease of design use. The FJPF13009 is designed for high speed switching applications which utilizes the industry standard TO-220F package offering flexibility in design and excellent Power Dissipation.
Alias du fabricant
onsemi possède plusieurs marques à travers le monde que les distributeurs peuvent utiliser comme noms alternatifs. onsemi peut également être connu sous les noms suivants :
- ON Semiconductor
- ONS
- ONSEMICON
- ON SEM
- ON SEMICONDUCTO
- ON SEMICONDUCTORS
- ONSEMIC
- ON Semicondu
- OSC
- ONSE
- ON SEMICOND
- ON Semiconductor / Fairchild
- SCG
- ON Semiconductor Cor
- ON SEMICO
- ONSM
- ON SEMICONDUCTOR CORP
- onsemi / Fairchild
- MOT/ON SEMI
- Fairchild/ONSemiconductor
- ON Semiconductor Corporation
- ON4
- ON Semi - ON Semiconductor
- ON SEMICONDUCT
- ON-SEMI SCG
- ON Semiconductor Inc.
- onsemiconductor
- On Semiconductor Ltd
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Spécifications techniques
Physical
Case/PackageTO-220-3
MountThrough Hole
Number of Pins3
Number of Terminals3
Weight2.27 g
Technical
Collector Base Voltage (VCBO)700 V
Collector Emitter Breakdown Voltage400 V
Collector Emitter Saturation Voltage1 V
Collector Emitter Voltage (VCEO)400 V
Current Rating12 A
Element ConfigurationSingle
Emitter Base Voltage (VEBO)9 V
Frequency4 MHz
Gain Bandwidth Product4 MHz
hFE Min15
Max Collector Current12 A
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation50 W
Min Operating Temperature-65 °C
Number of Elements1
PolarityNPN
Power Dissipation50 W
Schedule B8541290080
Transition Frequency4 MHz
Voltage Rating (DC)400 V
Conformité
Classification environnementale
China RoHSNon-Compliant
Lead FreeLead Free
Radiation HardeningNo
REACH SVHCNo
RoHSCompliant
Déclarations de conformité