onsemi FJP13009TU

FJP13009 Series 400 V CE Breakdown 12 A NPN Power Transistor - TO-220
$ 0.596
Production
Page du fabricantFiche technique

Prix et stock

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DistributorSKUMinPkg
Avnet
2
FJP13009TU991563
3h
Master ElectronicsFJP13009TU1 00050
Onlinecomponents.comFJP13009TU1 00050Bulk
Verical
2
FJP13009TU1 000100
Arrow Electronics
2
FJP13009TU4501

Fiches techniques et documents

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JRH Electronics

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Chaîne d'approvisionnement

Country of OriginMainland China
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Harmonized Tariff Schedule (HTS) Code8541.29.00.95
Introduction Date2005-09-27
Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 5 years ago)
Manufacturer Lifecycle StatusACTIVE (Last Updated: 5 years ago)

Pièces détachées

onsemiFJPF13009TU
Power Bipolar Transistor, 12A I(C), 400V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-220AB, Plastic/Epoxy, 3 Pin
Détails
onsemiFJPF13009H2TU
400V 50W 12A 6@8A5V 4MHz 3V@12A3A NPN +150¡Í@(Tj) TO-220F Bipolar Transistors - BJT ROHS
Détails
onsemiFJP13007H2TU
Power Bipolar Transistor, 8A I(C), 400V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-220AB, Plastic/Epoxy, 3 Pin
Détails
NXP SemiconductorsPHE13009,127
Power Bipolar Transistor, 12A I(C), 400V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-220AB, Plastic/Epoxy, 3 Pin
Détails
NXP SemiconductorsPHE13009/DG,127
NOW WEEN - PHE13009 - POWER BIPO / Bipolar (BJT) Transistor NPN 400 V 12 A 80 W Through Hole TO-220AB
Détails
NXP SemiconductorsBUJ303B,127
NOW WEEN - BUJ303B - POWER BIPOL / Bipolar (BJT) Transistor NPN 400 V 5 A 100 W Through Hole TO-220AB
Détails

Descriptions

Descriptions de onsemi FJP13009TU fournies par ses distributeurs.

FJP13009 Series 400 V CE Breakdown 12 A NPN Power Transistor - TO-220
Future Electronics
1mA 400V 100W 12A 6@8A5V 4MHz 3V@12A3A NPN +150¡Í@(Tj) TO-220 Bipolar Transistors - BJT ROHS
Dasenic
Power Bipolar Transistor, 12A I(C), 400V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-220AB, Plastic/Epoxy, 3 Pin
IHS
Trans GP BJT NPN 400V 12A 100000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
Verical
High-Voltage Fast-Switching NPN Power Transistor
onsemi
TRANSISTOR, NPN, 12A 400V TO-220; Transistor Polarity:NPN; Collector Emitter Voltage V(br)ceo:400V; Transition Frequency Typ ft:4MHz; Power Dissipation Pd:100W; DC Collector Current:12A; DC Current Gain hFE:8; Transistor Case Style:TO-220; No. of Pins:3; SVHC:No SVHC (20-Jun-2011); Collector Emitter Voltage Vces:3V; Current Ic Continuous a Max:12A; Gain Bandwidth ft Typ:4MHz; Hfe Min:6; Package / Case:TO-220; Power Dissipation Pd:100W; Termination Type:Through Hole; Transistor Type:Switching
element14 APAC
The FJP13009 is a 700 V, 12 A NPN silicon epitaxial planar transistor. The FJP13009 is available with multiple hFE bin classes for ease of design use. The FJP13009 is designed for high speed switching applications which utilizes the industry standard TO-220 package offering flexibility in design and excellent power dissipation.
Fairchild Semiconductor

Images

TME
Newark
element14
RS
Electro Sonic
LZChips
Future Electronics
Rochester Electronics

Alias du fabricant

onsemi possède plusieurs marques à travers le monde que les distributeurs peuvent utiliser comme noms alternatifs. onsemi peut également être connu sous les noms suivants :

  • ON Semiconductor
  • ONS
  • ONSEMICON
  • ON SEM
  • ON SEMICONDUCTO
  • ON SEMICONDUCTORS
  • ONSEMIC
  • ON Semicondu
  • OSC
  • ONSE
  • ON SEMICOND
  • ON Semiconductor / Fairchild
  • SCG
  • ON Semiconductor Cor
  • ON SEMICO
  • ONSM
  • ON SEMICONDUCTOR CORP
  • onsemi / Fairchild
  • MOT/ON SEMI
  • Fairchild/ONSemiconductor
  • ON Semiconductor Corporation
  • ON4
  • ON Semi - ON Semiconductor
  • ON SEMICONDUCT
  • ON-SEMI SCG
  • ON Semiconductor Inc.
  • onsemiconductor
  • On Semiconductor Ltd

Alias de numéro de pièce

Ce composant peut être référencé sous ces autres numéros :

  • FJP13009TU.