onsemi FGH60N60SFDTU
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Chaîne d'approvisionnement
Country of OriginMainland China
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Harmonized Tariff Schedule (HTS) Code8541.29.00.95
Introduction Date2008-08-20
Lifecycle StatusEOL (Last Updated: 6 days ago)
Manufacturer Lifecycle StatusLAST SHIPMENTS (Last Updated: 6 days ago)
Pièces détachées
STMicroelectronicsSTGW50H60DF
Trans IGBT Chip N-CH 600V 100A 360000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
onsemiFGH40N60UFDTU
Trans IGBT Chip N-CH 600V 80A 290000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube / IGBT 600V 80A 290W TO247
InfineonIKW30N60H3FKSA1
Trans IGBT Chip N-CH 600V 60A 187mW Automotive 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
Descriptions
Descriptions de onsemi FGH60N60SFDTU fournies par ses distributeurs.
IGBT 600V 60A 378W TO247 / Trans IGBT Chip N-CH 600V 120A 378000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
Insulated Gate Bipolar Transistor, 120A I(C), 600V V(BR)CES, N-Channel, TO-247AB
TO-247-3 IGBT Transistors / Modules ROHS
IGBT Transistors N-Ch/ 60A 600V FS
Fspigbt To247 60A 600V Rohs Compliant: Yes
INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTO
Using novel field stop IGBT technology, Fairchild’s field stop IGBTs offer the optimum performance for solar inverter, UPS, welder and PFC applications where low conduction and switching losses are essentia
Alias du fabricant
onsemi possède plusieurs marques à travers le monde que les distributeurs peuvent utiliser comme noms alternatifs. onsemi peut également être connu sous les noms suivants :
- ON Semiconductor
- ONS
- ONSEMICON
- ON SEM
- ON SEMICONDUCTO
- ON SEMICONDUCTORS
- ONSEMIC
- ON Semicondu
- OSC
- ONSE
- ON SEMICOND
- ON Semiconductor / Fairchild
- SCG
- ON Semiconductor Cor
- ON SEMICO
- ONSM
- ON SEMICONDUCTOR CORP
- onsemi / Fairchild
- MOT/ON SEMI
- Fairchild/ONSemiconductor
- ON Semiconductor Corporation
- ON4
- ON Semi - ON Semiconductor
- ON SEMICONDUCT
- ON-SEMI SCG
- ON Semiconductor Inc.
- onsemiconductor
- On Semiconductor Ltd
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Spécifications techniques
Physical
Case/PackageTO-247-3
MountThrough Hole
Number of Pins3
Number of Terminals3
Weight6.39 g
Technical
Collector Emitter Breakdown Voltage600 V
Collector Emitter Saturation Voltage2.3 V
Collector Emitter Voltage (VCEO)600 V
Continuous Collector Current120 A
Element ConfigurationSingle
Fall Time62 ns
Max Collector Current120 A
Max Junction Temperature (Tj)150 °C
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation378 W
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Elements1
Power Dissipation378 W
Reverse Recovery Time47 ns
Turn-Off Delay Time134 ns
Turn-On Delay Time22 ns
Dimensions
Height24.75 mm
Length15.6 mm
Width4.7 mm
Conformité
Classification environnementale
China RoHSNon-Compliant
Radiation HardeningNo
REACH SVHCNo
RoHSCompliant
Déclarations de conformité