Infineon IKW20N60TFKSA1

Trans IGBT Chip N=-CH 600V 40A 166000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
$ 1.665
Production
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Prix et stock

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DistributorSKUMinPkg
NewarkIKW20N60TFKSA17251
Arrow ElectronicsIKW20N60TFKSA11241
AvnetIKW20N60TFKSA10240
8h
Future ElectronicsIKW20N60TFKSA10240Tube
Farnell
2
IKW20N60TFKSA13581
6h

Fiches techniques et documents

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IHS

Datasheet13 pagesIl y a 11 ans

Upverter

element14 APAC

Farnell

iiiC

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Chaîne d'approvisionnement

Country of OriginGermany, Mainland China, Malaysia
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date2004-12-20
Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 1 month ago)

Pièces détachées

onsemiFGH20N60SFDTU
FGH20N60SFD Series 600 V 40 A Flange Mount Field Stop IGBT - TO-247
Détails
STMicroelectronicsSTGW20V60DF
Trench gate field-stop IGBT, V series 600 V, 20 A very high speed
Détails
onsemiFGH20N60UFDTU
Trans IGBT Chip N=-CH 600V 40A 165000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247AB Tube
Détails
InfineonIKW20N60H3FKSA1
IKW20N60H3 Series 600 V 40 A Third Generation High Speed Switching - TO-247-3
Détails
STMicroelectronicsSTGW20H60DF
Trans IGBT Chip N-CH 600V 40A 167000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
Détails
STMicroelectronicsSTGWA19NC60HD
STGWA19NC60HD Series 600 V 52 A Very Fast IGBT with Ultrafast Diode - TO-247
Détails

Descriptions

Descriptions de Infineon IKW20N60TFKSA1 fournies par ses distributeurs.

Trans IGBT Chip N=-CH 600V 40A 166000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
Verical
166W 40A 600V FS(Field Stop) TO-247-3-1 IGBT Transistors / Modules ROHS
EBEE
600 V IGBT with anti-parallel diode in TO-247 package, PG-TO247-3, RoHS
Infineon SCT
IGBT, N, 600V, 20A, TO-247; DC Collector Current: 40A; Collector Emitter Saturation Voltage Vce(on): 2.05V; Power Dissipation Pd: 166W; Collector Emitter Voltage V(br)ceo: 600V; Transistor Case Style: TO-247; Operating Temper
Farnell
IGBT, N, 600V, 20A, TO-247; Transistor Type:IGBT; Voltage, Vces:600V; Current, Ic Continuous a Max:20A; Voltage, Vce Sat Max:2.05V; Power Dissipation:166W; Case Style:TO-247; Termination Type:Through Hole; Transistor Polarity:N; RoHS Compliant: Yes
Newark
Hard-switching 600 V, 20 A TRENCHSTOP™ IGBT3 copacked with full-rated free-wheeling diode in a TO-247 package, leads to significant improvement of static as well as dynamic performance of the device, due to combination of trench-cell and fieldstop concept. The combination of IGBT with soft recovery emitter controlled diode further minimizes the turn-on losses. The highest efficiency is reached due to the best compromise between switching and conduction losses.
Infineon
Configuration = Single / Continuous Collector Current (Ic) A = 20 / Collector-Emitter Voltage (Vceo) V = 600 / Collector Emitter Saturation Voltage Max. (Vce(sat)) V = 1.5 / Emitter Leakage Current nA = 100 / Power Dissipation (Pd) W = 166 / Gate Emitter Voltage (Vge) V = 20 / Operating Temperature Min. °C = -40 / Operating Temperature Max. °C = 175 / Package Type = TO-247 / Pins = 3 / Mounting Type = Through Hole / Packaging = Tube / Reflow Temperature Max. °C = 260
Distrelec

Images

Farnell
Augswan
Farnell
iiiC
TME
LZChips
Rochester Electronics
RS
South Microelectronics
Future Electronics

Alias du fabricant

Infineon possède plusieurs marques à travers le monde que les distributeurs peuvent utiliser comme noms alternatifs. Infineon peut également être connu sous les noms suivants :

  • Infineon Technologies
  • INF
  • INFINEO
  • INFINE
  • INFIN
  • INFINION
  • INFI
  • INFENION
  • SIM
  • INFIEON
  • INFINEON TECH
  • INFINEN
  • IFX
  • INFIENON
  • IR/INFINEON
  • INFINEON/IR
  • IFT
  • INFINEON/SIEMENS
  • LNFINEON
  • INFN
  • Infineon Tech ICs
  • INFINEON TECHNOLOGIE
  • NFINEON
  • INFINEON/Infineon
  • INFINEON TECHNOLOGIES (ASIA

Alias de numéro de pièce

Ce composant peut être référencé sous ces autres numéros :

  • IKW20N60T
  • IKW20N60T.
  • SP000054886