onsemi FDV304P

Name: onsemi FDV304P
Brand: onsemi
SKU: FDV304P

Power MOSFET, P Channel, 25 V, 460 mA, 1.1 ohm, SOT-23, Surface Mount

$ 0.081

Production

Page du fabricant Fiche technique

Prix et stock

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Distributor		SKU		Min	Pkg
Avnet	3	FDV304P	1 272 000	3K						0,024	11h
Newark	3	FDV304P	18 910	1	Cut Tape	0,039	0,039	0,039	0,039	0,039
Arrow Electronics	4	FDV304P	9 666	1		0,243	0,181	0,135	0,096	0,092
Verical	7	FDV304P	246	246					0,041	0,041
Future Electronics	2	FDV304P	1 932 000	3K	Tape & Reel					0,022

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IHS

Datasheet7 pagesIl y a 4 ans

Datasheet4 pagesIl y a 0 an

Upverter

Farnell

onsemi

Newark

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Chaîne d'approvisionnement

Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 5 years ago)

Manufacturer Lifecycle StatusACTIVE (Last Updated: 5 years ago)

Pièces détachées

onsemiFDV303N

TRANSISTOR, DIGITAL FET, N-CHANNEL, MOSFET, 25V, 0.68A, 0.35W, SOT-23

Détails

onsemiFDV302P

Transistor MOSFET P-Channel 25V 125mA 350mW Surface Mount SOT-23

Détails

onsemiFDV301N

Power MOSFET, N Channel, 25 V, 220 mA, 4 ohm, SOT-23, Surface Mount

Détails

Diodes Inc.DMN2004K-7

DMN2004K Series N-Channel 20 V 0.55 Ohm MosFet Surface Mount - SOT-23-3

Détails

Diodes Inc.DMN3730U-7

N-Channel 30 V 460 mOhm Surface Mount Enhancement Mode Mosfet - SOT-23-3

Détails

Diodes Inc.DMN2300U-7

N-Channel 20 V 80 mOhm Surface Mount Enhancement Mode Mosfet - SOT-23-3

Détails

Descriptions

Descriptions de onsemi FDV304P fournies par ses distributeurs.

Power MOSFET, P Channel, 25 V, 460 mA, 1.1 ohm, SOT-23, Surface Mount

Avnet Silica

25V 460mA 1.1Ω@4.5V,500mA 350mW 1.5V@250uA P Channel SOT-23-3L MOSFETs ROHS

HQonline

DIGITAL FET, P-CHANNEL Small Signal Field-Effect Transistor, 0.46A I(D), 25V, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET

ComSIT Distribution GmbH

This P-Channel enhancement mode field effect transistors is produced using Fairchild's proprietary, high cell density, DMOS technology. This very high density process is tailored to minimize on-state resistance at low gate drive conditions. This device is designed especially for application in battery power applications such as notebook computers and cellular phones. This device has excellent on-state resistance even at gate drive voltages as low as 2.5 volts.

Fairchild Semiconductor

Transistor Polarity = P-Channel / Configuration = Single / Continuous Drain Current (Id) mA = -460 / Drain-Source Voltage (Vds) V = -25 / ON Resistance (Rds(on)) Ohm = 1.5 / Gate-Source Voltage V = -8 / Fall Time ns = 35 / Rise Time ns = 8 / Turn-OFF Delay Time ns = 55 / Turn-ON Delay Time ns = 7 / Operating Temperature Min. °C = -55 / Operating Temperature Max. °C = 150 / Package Type = SOT-23 / Pins = 3 / Mounting Type = SMD / MSL = Level-1 / Packaging = Tape & Reel / Reflow Temperature Max. °C = 260 / Power Dissipation (Pd) mW = 350

Distrelec

Alias du fabricant

onsemi possède plusieurs marques à travers le monde que les distributeurs peuvent utiliser comme noms alternatifs. onsemi peut également être connu sous les noms suivants :

ON Semiconductor
ONS
ONSEMICON
ON SEM
ON SEMICONDUCTO
ON SEMICONDUCTORS
ONSEMIC
ON Semicondu
OSC
ONSE
ON SEMICOND
ON Semiconductor / Fairchild
SCG
ON Semiconductor Cor
ON SEMICO
ONSM
ON SEMICONDUCTOR CORP
onsemi / Fairchild
MOT/ON SEMI
Fairchild/ONSemiconductor
ON Semiconductor Corporation
ON4
ON Semi - ON Semiconductor
ON SEMICONDUCT
ON-SEMI SCG
ON Semiconductor Inc.
onsemiconductor
On Semiconductor Ltd

Alias de numéro de pièce

Ce composant peut être référencé sous ces autres numéros :

FDV 304 P
FDV304P.
FDV304P..

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Spécifications techniques

Physical

Case/PackageSOT-23

Contact PlatingTin

MountSurface Mount

Number of Pins3

Number of Terminals3

Technical

Continuous Drain Current (ID)460 mA

Current46 A

Current Rating-460 mA

Drain to Source Breakdown Voltage-25 V

Drain to Source Resistance1.1 Ω

Drain to Source Voltage (Vdss)-25 V

Dual Supply Voltage-25 V

Element ConfigurationSingle

Fall Time8 ns

Gate to Source Voltage (Vgs)-8 V

Input Capacitance63 pF

Max Junction Temperature (Tj)150 °C

Max Operating Temperature150 °C

Max Power Dissipation350 mW

Min Breakdown Voltage25 V

Min Operating Temperature-55 °C

Nominal Vgs-860 mV

Number of Channels1

Number of Elements1

PackagingCut Tape

Power Dissipation350 mW

Rds On Max1.1 Ω

Resistance1.5 Ω

Rise Time8 ns

Schedule B8541210080

TerminationSMD/SMT

Threshold Voltage-860 mV

Turn-Off Delay Time55 ns

Turn-On Delay Time7 ns

Voltage25 V

Voltage Rating (DC)-25 V

Dimensions

Height1.11 mm

Length2.92 mm

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