onsemi FDS8984
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Stock
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665,473
Authorized Distributors
6
5
Mount
Surface Mount
Surface Mount
Case/Package
SOIC
SOP
Drain to Source Voltage (Vdss)
30 V
30 V
Continuous Drain Current (ID)
7 A
6.9 A
Threshold Voltage
1.7 V
-
Rds On Max
23 mΩ
20 mΩ
Gate to Source Voltage (Vgs)
20 V
20 V
Power Dissipation
1.6 W
2 W
Input Capacitance
635 pF
725 pF
Chaîne d'approvisionnement
Country of OriginMainland China
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date2006-02-28
Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 5 years ago)
Manufacturer Lifecycle StatusACTIVE (Last Updated: 5 years ago)
Descriptions
Descriptions de onsemi FDS8984 fournies par ses distributeurs.
Transistor MOSFET Array Dual N-CH 30V 7A 8-Pin SOIC T/R
Avnet Japan
N-Channel 30 V 23 mOhm SMT PowerTrench Mosfet - SOIC-8
N-Channel PowerTrench® MOSFET 30V, 7A, 23mΩ
onsemi N-Ch Enhancement MOSFET Vds=30V 7A SOIC SMD 8-Pin
Power Field-Effect Transistor, 7A I(D), 30V, 0.023ohm, 2-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, MS-012AA
This N-Channel MOSFET has been designed specifically to improve the overall efficiency of DC/DC converters using either synchronous or conventional switching PWM controllers. It has been optimized for low gate charge, low rDS(ON) and fast switching speed.
Alias du fabricant
onsemi possède plusieurs marques à travers le monde que les distributeurs peuvent utiliser comme noms alternatifs. onsemi peut également être connu sous les noms suivants :
- ON Semiconductor
- ONS
- ONSEMICON
- ON SEM
- ON SEMICONDUCTO
- ON SEMICONDUCTORS
- ONSEMIC
- ON Semicondu
- OSC
- ONSE
- ON Semiconductor / Fairchild
- ON SEMICOND
- SCG
- ON Semiconductor Cor
- ON SEMICO
- ONSM
- onsemi / Fairchild
- ON SEMICONDUCTOR CORP
- MOT/ON SEMI
- Fairchild/ONSemiconductor
- ON Semiconductor Corporation
- ON4
- ON Semi - ON Semiconductor
- ON SEMICONDUCT
- ON-SEMI SCG
- ON Semiconductor Inc.
- onsemiconductor
- On Semiconductor Ltd
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Spécifications techniques
Physical
Case/PackageSOIC
Contact PlatingTin
MountSurface Mount
Number of Pins8
Number of Terminals8
Weight187 mg
Technical
Continuous Drain Current (ID)7 A
Current Rating7 A
Drain to Source Breakdown Voltage30 V
Drain to Source Resistance23 mΩ
Drain to Source Voltage (Vdss)30 V
Element ConfigurationDual
Fall Time9 ns
Gate to Source Voltage (Vgs)20 V
Input Capacitance635 pF
Max Junction Temperature (Tj)150 °C
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation1.6 W
Min Breakdown Voltage30 V
Min Operating Temperature-55 °C
Nominal Vgs1.7 V
Number of Channels2
Number of Elements2
PackagingCut Tape
Power Dissipation1.6 W
Rds On Max23 mΩ
Resistance23 MΩ
Rise Time9 ns
Schedule B8541290080
Threshold Voltage1.7 V
Turn-Off Delay Time42 ns
Turn-On Delay Time5 ns
Voltage Rating (DC)30 V
Dimensions
Height1.75 mm
Length5 mm
Width4 mm
Conformité
Classification environnementale
China RoHSCompliant
Lead FreeLead Free
Radiation HardeningNo
REACH SVHCYes
RoHSCompliant
Déclarations de conformité