onsemi FDS8884
$ 0.155
EOL
Historique des stocks
Tendance sur 3 mois : -66.97%
Modèles CAO
Télécharger le symbole, l’empreinte et le 3D STEP
Pièces de rechange
0 composant disponible
Modèles CAO
Téléchargez les symboles onsemi FDS8884, les empreintes et les modèles STEP 3D de nos partenaires de confiance.
| SOURCE | ECAD | MCAD | FICHIERS |
|---|---|---|---|
 EE Concierge | SymboleEmpreinte | ||
 SnapEDA | Empreinte | 3D | Télécharger |
Le site partenaire s’ouvrira dans un nouvel onglet lorsque vous téléchargez ses modèles de CAO.
En téléchargeant des modèles de CAO depuis Octopart, vous acceptez nos conditions générales d’utilisation et notre politique de confidentialité.
Chaîne d'approvisionnement
Lifecycle StatusEOL (Last Updated: 6 days ago)
Manufacturer Lifecycle StatusLAST SHIPMENTS (Last Updated: 6 days ago)
Pièces détachées
InfineonIRF8707GTRPBF
N CH POWER MOSFET, HEXFET, 30V, 11A, SO-8; Transistor Polarity:N Channel; Contin
Descriptions
Descriptions de onsemi FDS8884 fournies par ses distributeurs.
N-Channel 30 V 23 mOhm 13 nC Surface Mount PowerTrench Mosfet - SOIC-8
N-Channel PowerTrench® MOSFET 30V, 8.5A, 23mΩ
This N-Channel MOSFET has been designed specifically to improve the overall efficiency of DC/DC converters using either synchronous or conventional switching PWM controllers. It has been optimized for low gate charge, low rDS(on) and fast switching speed.
MOSFET, N, SO-8; Transistor Polarity:N; Current Id Max:8.5A; Drain Source Voltage Vds:30V; On Resistance Rds(on):23mohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:10V; Voltage Vgs Max:20V; Power Dissipation:2.5W; Operating Temperature Range:-55°C to +150°C; Transistor Case Style:SO; No. of Pins:8; SVHC:No SVHC (18-Jun-2010); Continuous Drain Current, Id:8.5A; Package / Case:SO-8 (SOIC-8); Termination Type:SMD; Threshold Voltage Vgs Typ:1.7V; Transistor Type:PowerTrench; Typ Voltage Vds:30V; Voltage Vgs Rds on Measurement:10V
Alias du fabricant
onsemi possède plusieurs marques à travers le monde que les distributeurs peuvent utiliser comme noms alternatifs. onsemi peut également être connu sous les noms suivants :
- ON Semiconductor
- ONS
- ONSEMICON
- ON SEM
- ON SEMICONDUCTO
- ON SEMICONDUCTORS
- ONSEMIC
- ON Semicondu
- OSC
- ONSE
- ON SEMICOND
- ON Semiconductor / Fairchild
- SCG
- ON Semiconductor Cor
- ON SEMICO
- ONSM
- ON SEMICONDUCTOR CORP
- onsemi / Fairchild
- MOT/ON SEMI
- Fairchild/ONSemiconductor
- ON Semiconductor Corporation
- ON4
- ON Semi - ON Semiconductor
- ON SEMICONDUCT
- ON-SEMI SCG
- ON Semiconductor Inc.
- onsemiconductor
- On Semiconductor Ltd
Historique des stocks
Tendance sur 3 mois : -66.97%
Modèles CAO
Télécharger le symbole, l’empreinte et le 3D STEP
Pièces de rechange
0 composant disponible
Spécifications techniques
Physical
Case/PackageSOIC
Contact PlatingTin
MountSurface Mount
Number of Pins8
Number of Terminals8
Weight130 mg
Technical
Continuous Drain Current (ID)8.5 A
Current Rating8.5 A
Drain to Source Breakdown Voltage30 V
Drain to Source Resistance23 mΩ
Drain to Source Voltage (Vdss)30 V
Element ConfigurationSingle
Fall Time21 ns
Gate to Source Voltage (Vgs)20 V
Input Capacitance635 pF
Max Junction Temperature (Tj)150 °C
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation2.5 W
Min Breakdown Voltage30 V
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Channels1
Number of Elements1
Power Dissipation2.5 W
Rds On Max23 mΩ
Rise Time9 ns
Schedule B8541290080
Threshold Voltage1.7 V
Turn-Off Delay Time42 ns
Turn-On Delay Time5 ns
Voltage Rating (DC)30 V
Dimensions
Height1.75 mm
Length5 mm
Width4 mm
Conformité
Classification environnementale
China RoHSCompliant
Lead FreeLead Free
Radiation HardeningNo
REACH SVHCYes
RoHSCompliant
Déclarations de conformité