Infineon IRF8707PBF

IRF8707PBF N-channel MOSFET Transistor, 11 A, 30 V, 8-Pin SOIC
Obsolete
Page du fabricantFiche technique

Prix et stock

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DistributorSKUMinPkg
RS (Formerly Allied Electronics)IRF8707PBF03800Bulk
14h
FarnellIRF8707PBF01
8h
Win SourceWS-IRF8707PBF14 42055
23h
Worldway ElectronicsIRF8707PBF13 6577Tube
22h
ICPartonlineIRF8707PBF35 473
3d

Fiches techniques et documents

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Fiche technique officielleIl y a 2 ans

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Pièces de rechange

Ce composant
Pièces de rechange
InfineonIRF8707PBF
InfineonIRF8707TRPBF
InfineonIRF8707TRPBF
Price @ 1000
$ 0.386
$ 0.386
Stock
663,173
1,869,200
1,869,200
Authorized Distributors
2
2
2
Mount
Surface Mount
Surface Mount
Surface Mount
Case/Package
SOIC
SO
SO
Drain to Source Voltage (Vdss)
30 V
30 V
30 V
Continuous Drain Current (ID)
11 A
11 A
11 A
Threshold Voltage
1.8 V
1.8 V
1.8 V
Rds On Max
11.9 mΩ
11.9 mΩ
11.9 mΩ
Gate to Source Voltage (Vgs)
20 V
20 V
20 V
Power Dissipation
2.5 W
2.5 W
2.5 W
Input Capacitance
760 pF
760 pF
760 pF

Chaîne d'approvisionnement

Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date2007-08-10
Lifecycle StatusObsolete (Last Updated: 4 months ago)
LTB Date2016-11-16
LTD Date2017-05-16

Pièces détachées

InfineonIRF8707GTRPBF
N CH POWER MOSFET, HEXFET, 30V, 11A, SO-8; Transistor Polarity:N Channel; Contin
Détails
InfineonIRF7413ZTRPBF
MOSFET, Power;N-Ch;VDSS 30V;RDS(ON) 8 Milliohms;ID 13A;SO-8;PD 2.5W;VGS +/-20V
Détails
onsemiFDS6680A
N-Channel PowerTrench® MOSFET, Logic Level, 30V, 12.5A, 9.5mΩ
Détails
onsemiFDS6294
N-Channel Fast Switching PowerTrench® MOSFET, 30V, 13A, 11.3mΩ
Détails
InfineonIRF8313TRPBF
Transistor MOSFET Array Dual N-CH 30V 9.7A 8-Pin SOIC T/R
Détails
onsemiFDS6670A
N-Channel PowerTrench® MOSFET, Logic Level, 30V, 13A, 8mΩ
Détails

Descriptions

Descriptions de Infineon IRF8707PBF fournies par ses distributeurs.

IRF8707PBF N-channel MOSFET Transistor,11 A, 30 V, 8-Pin SOIC
RS (Formerly Allied Electronics)
Trans MOSFET N-CH 30V 11A 8-Pin SOIC Tube
Verical
Power Field-Effect Transistor, 11A I(D), 30V, 0.0119ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, MS-012AA
IHS
MOSFET, N SO-8; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current Id:11A; Drain Source Voltage Vds:30V; On Resistance Rds(on):11.9mohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:10V; Threshold Voltage Vgs Typ:1.8V; Power Dissipation Pd:2.5W; Transistor Case Style:SOIC; No. of Pins:8; Charge Qrr @ Tj = 25°C Typ:6.2nC; Current Id Max:11A; Package / Case:SOIC-8; Pulse Current Idm:88A; Termination Type:SMD; Voltage Vds:30V; Voltage Vds Typ:30V; Voltage Vgs Max:1.8V; Voltage Vgs Rds on Measurement:10V
element14 APAC

Images

Infineon
Newark
TME
Distrelec
International Rectifier
Conrad

Alias du fabricant

Infineon possède plusieurs marques à travers le monde que les distributeurs peuvent utiliser comme noms alternatifs. Infineon peut également être connu sous les noms suivants :

  • Infineon Technologies
  • INF
  • INFINEO
  • INFINE
  • INFIN
  • INFINION
  • INFI
  • INFENION
  • SIM
  • INFIEON
  • INFINEON TECH
  • INFINEN
  • IFX
  • INFIENON
  • IR/INFINEON
  • INFINEON/IR
  • IFT
  • INFINEON/SIEMENS
  • LNFINEON
  • INFN
  • Infineon Tech ICs
  • INFINEON TECHNOLOGIE
  • NFINEON
  • INFINEON/Infineon
  • INFINEON TECHNOLOGIES (ASIA

Alias de numéro de pièce

Ce composant peut être référencé sous ces autres numéros :

  • SP001560112