onsemi FDS4501H
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Chaîne d'approvisionnement
Country of OriginPhilippines
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date2000-06-21
Lifecycle StatusEOL (Last Updated: 5 days ago)
LTB Date2022-01-08
LTD Date2022-07-08
Manufacturer Lifecycle StatusLAST SHIPMENTS (Last Updated: 5 days ago)
Descriptions
Descriptions de onsemi FDS4501H fournies par ses distributeurs.
N/P-Channel 30/20V 18/46mOhm Complementary PowerTrench Half-Bridge Mosfet SOIC-8
Small Signal Field-Effect Transistor, 9.3A I(D), 30V, 2-Element, N-Channel and P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET
2.5W ¡À20 @ N Channel,¡À8 @ P Channel 3V@ 250¦ÌA 27nC@ 4.5V 2N+2P 30V,20V 18m¦¸@ 9.3A,10V 9.3A,5.6A 1.958nF@10V SOIC-8 4.9mm*3.9mm*1.75mm
MOSFET, NP CH, 30V/20V, 8SOIC; Transistor Polarity:N and P Complement; Continuous Drain Current Id:9.3A; Drain Source Voltage Vds:30V; On Resistance Rds(on):14mohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:10V; Threshold Voltage Vgs Typ:1.6V; Power Dissipation Pd:1W; Operating Temperature Range:-55°C to +150°C; Transistor Case Style:SOIC; No. of Pins:8; MSL:MSL 1 - Unlimited; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011)
This complementary MOSFET half-bridge device is produced using Fairchild’s advanced PowerTrench process that has been especially tailored to minimize the on-state resistance and yet maintain low gate charge for superior switching performance.
Alias du fabricant
onsemi possède plusieurs marques à travers le monde que les distributeurs peuvent utiliser comme noms alternatifs. onsemi peut également être connu sous les noms suivants :
- ON Semiconductor
- ONS
- ONSEMICON
- ON SEM
- ON SEMICONDUCTO
- ON SEMICONDUCTORS
- ONSEMIC
- ON Semicondu
- OSC
- ONSE
- ON SEMICOND
- ON Semiconductor / Fairchild
- SCG
- ON Semiconductor Cor
- ON SEMICO
- ONSM
- ON SEMICONDUCTOR CORP
- onsemi / Fairchild
- MOT/ON SEMI
- Fairchild/ONSemiconductor
- ON Semiconductor Corporation
- ON4
- ON Semi - ON Semiconductor
- ON SEMICONDUCT
- ON-SEMI SCG
- ON Semiconductor Inc.
- onsemiconductor
- On Semiconductor Ltd
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Spécifications techniques
Physical
Case/PackageSOIC
Contact PlatingTin
MountSurface Mount
Number of Pins8
Number of Terminals8
Weight187 mg
Technical
Continuous Drain Current (ID)9.3 A
Current Rating9.3 A
Drain to Source Breakdown Voltage-20 V
Drain to Source Resistance18 mΩ
Drain to Source Voltage (Vdss)30 V
Fall Time25 ns
Gate to Source Voltage (Vgs)8 V
Input Capacitance1.958 nF
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation2.5 W
Min Breakdown Voltage30 V
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Elements2
PackagingDigi-Reel®
Power Dissipation2.5 W
Rds On Max18 mΩ
Resistance18 MΩ
Rise Time15 ns
Threshold Voltage1.6 V
Turn-Off Delay Time40 ns
Turn-On Delay Time15 ns
Dimensions
Height1.575 mm
Length4.9 mm
Width3.9 mm
Fiches techniques et documents
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Conformité
Classification environnementale
China RoHSCompliant
Lead FreeLead Free
Radiation HardeningNo
REACH SVHCYes
RoHSCompliant
Déclarations de conformité