Infineon IRF7807ZPBF

IRF7807ZPBF N-channel MOSFET Transistor, 11 A, 30 V, 8-Pin SOIC
Obsolete
Page du fabricantFiche technique

Prix et stock

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DistributorSKUMinPkg
RS (Formerly Allied Electronics)IRF7807ZPBF03800Bulk
10h
FarnellIRF7807ZPBF01
21h
Win SourceWS-IRF7807ZPBF2080
22h
Worldway ElectronicsIRF7807ZPBF14 2457Tube
22h
ICPartonlineIRF7807ZPBF35 271
>1wk

Fiches techniques et documents

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Newark

Datasheet10 pagesIl y a 19 ans

IHS

element14

Jameco

Chaîne d'approvisionnement

Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date2003-06-23
Lifecycle StatusObsolete (Last Updated: 4 months ago)
LTB Date2016-11-16
LTD Date2017-05-16

Pièces détachées

InfineonIRF8707GTRPBF
N CH POWER MOSFET, HEXFET, 30V, 11A, SO-8; Transistor Polarity:N Channel; Contin
Détails
InfineonIRF7413ZTRPBF
MOSFET, Power;N-Ch;VDSS 30V;RDS(ON) 8 Milliohms;ID 13A;SO-8;PD 2.5W;VGS +/-20V
Détails
InfineonIRF8707PBF
IRF8707PBF N-channel MOSFET Transistor,11 A, 30 V, 8-Pin SOIC
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onsemiFDS6294
N-Channel Fast Switching PowerTrench® MOSFET, 30V, 13A, 11.3mΩ
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onsemiFDS6690AS
N-Channel 30 V 19 mOhm Surface Mount PowerTrench Mosfet - SOIC-8
Détails
onsemiFDS6680AS
FDS6680 Series 30 V 10 mO N-Channel PowerTrench Mosfet - SOIC-8
Détails

Descriptions

Descriptions de Infineon IRF7807ZPBF fournies par ses distributeurs.

IRF7807ZPBF N-channel MOSFET Transistor, 11 A, 30 V, 8-Pin SOIC
RS (Formerly Allied Electronics)
Small Signal Field-Effect Transistor, 11A I(D), 30V, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, MS-012AA
IHS
Benefits: RoHS Compliant; Industry-leading quality; Low RDS(ON) at 4.5V VGS; Fully Characterized Avalanche Voltage and Current; Ultra-Low Gate Impedance
Infineon
MOSFET; Transistor Type:MOSFET; Transistor Polarity:N Channel; Drain Source Voltage, Vds:30V; Continuous Drain Current, Id:11A; On Resistance, Rds(on):13.8mohm; Rds(on) Test Voltage, Vgs:10V; Package/Case:8-SOIC ;RoHS Compliant: Yes
Newark
MOSFET, N, LOGIC, SO-8; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current Id:11A; Drain Source Voltage Vds:30V; On Resistance Rds(on):13.8mohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:10V; Threshold Voltage Vgs Typ:1.8V; Power Dissipation Pd:2.5W; Transistor Case Style:SOIC; No. of Pins:8; SVHC:No SVHC (20-Jun-2011); Current Id Max:11A; Current Temperature:25°C; External Depth:5.2mm; External Length / Height:1.75mm; External Width:4.05mm; Full Power Rating Temperature:25°C; No. of Transistors:1; Package / Case:SOIC; Power Dissipation Pd:2.5W; Power Dissipation Pd:2.5W; Pulse Current Idm:88A; Row Pitch:6.3mm; SMD Marking:IRF7807ZPBF; Termination Type:SMD; Voltage Vds Typ:30V; Voltage Vgs Max:20V; Voltage Vgs Rds on Measurement:10V
element14 APAC

Images

Infineon
TME
Jameco
Rochester Electronics

Alias du fabricant

Infineon possède plusieurs marques à travers le monde que les distributeurs peuvent utiliser comme noms alternatifs. Infineon peut également être connu sous les noms suivants :

  • Infineon Technologies
  • INF
  • INFINEO
  • INFINE
  • INFIN
  • INFINION
  • INFI
  • INFENION
  • SIM
  • INFIEON
  • INFINEON TECH
  • INFINEN
  • IFX
  • INFIENON
  • IR/INFINEON
  • INFINEON/IR
  • IFT
  • INFINEON/SIEMENS
  • LNFINEON
  • INFN
  • Infineon Tech ICs
  • INFINEON TECHNOLOGIE
  • NFINEON
  • INFINEON/Infineon
  • INFINEON TECHNOLOGIES (ASIA

Alias de numéro de pièce

Ce composant peut être référencé sous ces autres numéros :

  • SP001554410