onsemi FDP8870-F085
Obsolete
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Chaîne d'approvisionnement
Country of OriginPhilippines
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date2010-07-13
Lifecycle StatusObsolete (Last Updated: 5 years ago)
LTB Date2018-09-30
LTD Date2019-03-31
Manufacturer Lifecycle StatusOBSOLETE (Last Updated: 5 years ago)
Pièces détachées
InfineonIRLB8743PBF
30V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET in a TO-220AB package, TO220-3, RoHS
InfineonIRL3713PBF
MOSFET, Power;N-Ch;VDSS 30V;RDS(ON) 2.6Milliohms;ID 260A;TO-220AB;PD 330W;-55de
Descriptions
Descriptions de onsemi FDP8870-F085 fournies par ses distributeurs.
Trans MOSFET N-CH 30V 19A Automotive 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Rail
Power Field-Effect Transistor, 19A I(D), 30V, 0.0046ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB
MOSFET N-CH 30V 19A/156A TO220-3
N-Channel PowerTrench® 30V, 156A, 4.1mW
FDP8870_F085 Fairchild/ON Semiconductor
Nmos To220 30V 4.1 Mohm / Tube
This N-Channel MOSFET has been designed specifically to improve the overall efficiency of DC/DC converters using either synchronous or conventional switching PWM controllers. It has been optimized for low gate charge, low rDS(ON) and fast switching speed.
Alias du fabricant
onsemi possède plusieurs marques à travers le monde que les distributeurs peuvent utiliser comme noms alternatifs. onsemi peut également être connu sous les noms suivants :
- ON Semiconductor
- ONS
- ONSEMICON
- ON SEM
- ON SEMICONDUCTO
- ON SEMICONDUCTORS
- ONSEMIC
- ON Semicondu
- OSC
- ONSE
- ON SEMICOND
- ON Semiconductor / Fairchild
- SCG
- ON Semiconductor Cor
- ON SEMICO
- ONSM
- ON SEMICONDUCTOR CORP
- onsemi / Fairchild
- MOT/ON SEMI
- Fairchild/ONSemiconductor
- ON Semiconductor Corporation
- ON4
- ON Semi - ON Semiconductor
- ON SEMICONDUCT
- ON-SEMI SCG
- ON Semiconductor Inc.
- onsemiconductor
- On Semiconductor Ltd
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Pièces de rechange
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Spécifications techniques
Physical
Case/PackageTO-220AB
MountThrough Hole
Number of Pins3
Number of Terminals3
Weight1.8 g
Technical
Continuous Drain Current (ID)19 A
Drain to Source Breakdown Voltage30 V
Drain to Source Resistance4.6 mΩ
Drain to Source Voltage (Vdss)30 V
Element ConfigurationSingle
Fall Time46 ns
Gate to Source Voltage (Vgs)20 V
Input Capacitance5.2 nF
Max Operating Temperature175 °C
Max Power Dissipation160 W
Min Breakdown Voltage30 V
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Elements1
Power Dissipation160 W
Rds On Max4.1 mΩ
Rise Time105 ns
Turn-Off Delay Time70 ns
Turn-On Delay Time11 ns
Fiches techniques et documents
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Conformité
Classification environnementale
Radiation HardeningNo
REACH SVHCNo
RoHSCompliant
Déclarations de conformité