onsemi FDP8874
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Chaîne d'approvisionnement
Country of OriginMainland China
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Harmonized Tariff Schedule (HTS) Code8541.29.00.95
Introduction Date2004-06-22
Lifecycle StatusObsolete (Last Updated: 2 days ago)
LTB Date2021-10-08
LTD Date2022-04-08
Manufacturer Lifecycle StatusOBSOLETE (Last Updated: 2 days ago)
Descriptions
Descriptions de onsemi FDP8874 fournies par ses distributeurs.
N-Channel PowerTrench® MOSFET 30V, 114A, 5.3mΩ
30V 16A 110W 5.3m´Î@10V40A 2.5V@250Ã×A N Channel TO-220AB MOSFETs ROHS
Trans MOSFET N-CH 30V 16A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
30V,114A,5.3 OHM,N-CH,TO220,POWER TRENCH MOSFET
30 V, 114 A, 5.3 MILLI OHM N-CHANNEL POWERTRENCH MOSFET
Power Field-Effect Transistor, 80A I(D), 30V, 0.0066ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB
MOSFET, N-CH, 30V, 114A, TO-220AB;
POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 8
MOSFETs 30V,114A,5.3 OHM N-CH
This N-Channel MOSFET has been designed specifically to improve the overall efficiency of DC/DC converters using either synchronous or conventional switching PWM controllers. It has been optimized for low gate charge, low RDS(ON) and fast switching speed.
Alias du fabricant
onsemi possède plusieurs marques à travers le monde que les distributeurs peuvent utiliser comme noms alternatifs. onsemi peut également être connu sous les noms suivants :
- ON Semiconductor
- ONS
- ONSEMICON
- ON SEM
- ON SEMICONDUCTO
- ON SEMICONDUCTORS
- ONSEMIC
- ON Semicondu
- OSC
- ONSE
- ON SEMICOND
- ON Semiconductor / Fairchild
- SCG
- ON Semiconductor Cor
- ON SEMICO
- ONSM
- ON SEMICONDUCTOR CORP
- onsemi / Fairchild
- MOT/ON SEMI
- Fairchild/ONSemiconductor
- ON Semiconductor Corporation
- ON4
- ON Semi - ON Semiconductor
- ON SEMICONDUCT
- ON-SEMI SCG
- ON Semiconductor Inc.
- onsemiconductor
- On Semiconductor Ltd
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Spécifications techniques
Physical
Case/PackageTO-220AB
MountThrough Hole
Number of Pins3
Number of Terminals3
Weight1.8 g
Technical
Continuous Drain Current (ID)80 A
Current Rating121 A
Drain to Source Breakdown Voltage30 V
Drain to Source Resistance6.6 mΩ
Drain to Source Voltage (Vdss)30 V
Element ConfigurationSingle
Fall Time31 ns
Gate to Source Voltage (Vgs)20 V
Input Capacitance3.13 nF
Max Operating Temperature175 °C
Max Power Dissipation110 W
Min Breakdown Voltage30 V
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Elements1
Power Dissipation110 W
Rds On Max5.3 mΩ
Rise Time128 ns
Schedule B8541290080
Turn-Off Delay Time44 ns
Turn-On Delay Time10 ns
Voltage Rating (DC)30 V
Dimensions
Height9.4 mm
Length10.67 mm
Width4.83 mm
Fiches techniques et documents
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Conformité
Classification environnementale
China RoHSNon-Compliant
Lead FreeLead Free
Radiation HardeningNo
REACH SVHCNo
RoHSCompliant
Déclarations de conformité