onsemi FDP13AN06A0
$ 1.074
Obsolete
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Chaîne d'approvisionnement
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date2002-09-20
Lifecycle StatusObsolete (Last Updated: 4 months ago)
LTB Date2011-09-14
LTD Date2012-03-14
Pièces détachées
InfineonIRFZ44VPBF
MOSFET, Power;N-Ch;VDSS 60V;RDS(ON) 16.5 Milliohms;ID 55A;TO-220AB;PD 115W;-55de
InfineonIRFZ48VPBF
MOSFET, Power;N-Ch;VDSS 60V;RDS(ON) 12 Milliohms;ID 72A;TO-220AB;PD 150W;gFS 35S
InfineonIRF1018EPBF
MOSFET, Power;N-Ch;VDSS 60V;RDS(ON) 7.1Milliohms;ID 79A;TO-220AB;PD 110W;-55deg
Descriptions
Descriptions de onsemi FDP13AN06A0 fournies par ses distributeurs.
Trans MOSFET N-CH 60V 10.9A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
TO-220AB, SINGLE, N-CH, 60V, 0.013 OHM POWERTRENCH MOSFET
Power Field-Effect Transistor, 62A I(D), 60V, 0.0135ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB
MOSFET; Transistor Type:MOSFET; Transistor Polarity:N Channel; Drain Source Voltage, Vds:60V; Continuous Drain Current, Id:62A; On Resistance, Rds(on):13.5mohm; Rds(on) Test Voltage, Vgs:10V; Package/Case:3-TO-220AB ;RoHS Compliant: Yes
Alias du fabricant
onsemi possède plusieurs marques à travers le monde que les distributeurs peuvent utiliser comme noms alternatifs. onsemi peut également être connu sous les noms suivants :
- ON Semiconductor
- ONS
- ONSEMICON
- ON SEM
- ON SEMICONDUCTO
- ON SEMICONDUCTORS
- ONSEMIC
- ON Semicondu
- OSC
- ONSE
- ON SEMICOND
- ON Semiconductor / Fairchild
- SCG
- ON Semiconductor Cor
- ON SEMICO
- ONSM
- ON SEMICONDUCTOR CORP
- onsemi / Fairchild
- MOT/ON SEMI
- Fairchild/ONSemiconductor
- ON Semiconductor Corporation
- ON4
- ON Semi - ON Semiconductor
- ON SEMICONDUCT
- ON-SEMI SCG
- ON Semiconductor Inc.
- onsemiconductor
- On Semiconductor Ltd
Historique des stocks
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Modèles CAO
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Pièces de rechange
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Spécifications techniques
Physical
Case/PackageTO-220AB
MountThrough Hole
Number of Pins3
Number of Terminals3
Technical
Continuous Drain Current (ID)62 A
Current Rating62 A
Drain to Source Breakdown Voltage60 V
Drain to Source Resistance13.5 mΩ
Drain to Source Voltage (Vdss)60 V
Element ConfigurationSingle
Fall Time26 ns
Gate to Source Voltage (Vgs)20 V
Input Capacitance1.35 nF
Max Operating Temperature175 °C
Max Power Dissipation115 W
Min Breakdown Voltage60 V
Min Operating Temperature-55 °C
Nominal Vgs4 V
Number of Elements1
Power Dissipation115 W
Rds On Max13.5 mΩ
Rise Time96 ns
Threshold Voltage4 V
Turn-Off Delay Time44 ns
Turn-On Delay Time9 ns
Voltage Rating (DC)60 V
Dimensions
Height9.65 mm
Length10.67 mm
Width4.83 mm
Fiches techniques et documents
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Conformité
Classification environnementale
Lead FreeLead Free
REACH SVHCYes
RoHSCompliant
Déclarations de conformité